Магазин
Мікросхема TDA8362 ( TDA8362B , TDA8362B S7 , TDA8362 S7 , TDA8362E )
В наявності
183,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VP | 7,2–8,8 В (тип. 8,0 В) |
| Напруга VP, макс. | 9,0 В |
| Струм споживання IP | 80 мА (тип.) |
| Споживана потужність | 700 мВт |
| Чутливість відео-ПЧ | 70 мкВ (тип.), 100 мкВ (макс.) |
| CVBS на виході | 2,4 В (розмах, тип.) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 40 К/Вт |
| Корпус | SDIP52 |
Мікросхема TDA8359J оригінал
В наявності
145,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VP | 7,5–18 В (тип. 12 В) |
| Напруга VFB, макс. | 68 В |
| Вихідний струм Io(p-p) | 3,2 А |
| Струм зворотного ходу, пік | ±1,8 А при t ≤ 1,5 мс |
| Потужність Ptot, макс. | 10 Вт |
| Tamb, макс. | +85 °C |
| Tj, макс. | 150 °C |
| Корпус | DBS9P (SOT523-1) |
| Корпус (докладно) | DBS9P (SOT523-1), 9 виводів |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA8357J оригінал
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VP | 7,5–18 В (тип. 12 В) |
| Напруга VFB, макс. | 68 В |
| Вихідний струм Io(p-p) | 2,0 А |
| Струм зворотного ходу, пік | ±1,2 А при t ≤ 1,5 мс |
| Потужність Ptot, макс. | 8 Вт |
| Робоча температура | –25…+75 °C |
| Tj, макс. | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 6 К/Вт |
| Корпус | DBS9P (SOT523-1) |
| Корпус (докладно) | DBS9P (SOT523-1), 9 виводів |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA8357J
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Вертикальна розгортка, повний міст, LVDMOS, клас G |
| Напруга живлення Vp | 7,5–18 В (тип. 12 В) |
| Напруга живлення зворотного ходу Vfb | 2·Vp … 66 В (тип. 45 В) |
| Вихідний струм Io(p-p) | 2,0 А (макс.) |
| Піковий вихідний струм зворотного ходу | ±1,2 А (макс.) |
| Корпус | DBS9P (SOT523-1) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Температура зберігання | -55…+150 °C |
| Виробник | NXP Semiconductors |
Демонтаж
Мікросхема TDA8356 демонтаж, укорочені виводи
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Вертикальна розгортка, DC-зв’язана, клас G |
| Напруга живлення Vp | 9–25 В (тип. 14,5 В) |
| Струм спокою Iq | 30 мА (типове значення) |
| Вихідний струм Io(p-p) | 2 А (макс.) |
| Піковий вихідний струм зворотного ходу Im | ±1 А (макс.) |
| Напруга живлення зворотного ходу Vfb | 50 В (макс.) |
| Корпус | SIL9P (SOT131-2) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Температура зберігання | -55…+150 °C |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TDA8356 демонтаж
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Вертикальна розгортка, DC-зв’язана, клас G |
| Напруга живлення Vp | 9–25 В (тип. 14,5 В) |
| Струм спокою Iq | 30 мА (типове значення) |
| Вихідний струм Io(p-p) | 2 А (макс.) |
| Піковий вихідний струм зворотного ходу Im | ±1 А (макс.) |
| Напруга живлення зворотного ходу Vfb | 50 В (макс.) |
| Корпус | SIL9P (SOT131-2) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Температура зберігання | -55…+150 °C |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA8351
В наявності
83,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | SIL9P (SOT131-2) |
| Напруга живлення Vp | 9–25 В |
| Струм спокою Iq | 30 мА |
| Вихідний струм Io(p-p) | 3 А |
| Піковий вихідний струм зворотного ходу Im | ±1,5 А |
| Напруга живлення зворотного ходу Vfb | 50 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Макс. робоча температура | +75 °C |
Мікросхема TDA8350Q оригінал
В наявності
195,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DBS13P (SOT141-6) |
| Напруга живлення Vp | 9–25 В |
| Струм спокою Iq | 30 мА |
| Вихідний струм Io(p-p) | 3 А |
| Піковий вихідний струм зворотного ходу Im | ±1,5 А |
| Напруга живлення зворотного ходу Vfb | 50 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Макс. робоча температура | +75 °C |
| Вихід East-West: струм (лише втікання) | 500 мА |
| Вихід East-West: пікова напруга | 40 В |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA8303A
В наявності
83,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DIP-28 (SOT117) |
| Напруга живлення (вив. 7) | 9.5–13.2 В |
| Струм споживання (вив. 7) | 125 мА |
| Пусковий струм (вив. 11) | 6.5 мА |
| Робоча температура | –25…+65 °C |
| Температура зберігання | –55…+150 °C |
IGBT-транзистор XNF20N60T оригінал, TO220F
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Xiner |
| Напруга Vces | 600 В |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.7 В тип. |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.2 В тип. / 6.5 В макс. |
| Пряма напруга діода VF | 1.8 В тип. / 2.3 В макс. |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA8177F оригінал
В наявності
41,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення, макс. | 40 В (вив. 2 відносно вив. 4) |
| Робоча напруга живлення | 10–35 В |
| Різниця напруг V3 – V2, макс. | 50 В |
| Напруга живлення генератора зворотного ходу | до 70 В |
| Вихідний пік. струм, макс. | 2.5 А (до 4 А при t ≤ 10 мкс, до 120 Гц, у межах SOAR) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C (рекомендована макс. 120 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт (макс.) |
| Робоча температура навколишнього середовища | –20…+75 °C |
| Підсилення за напругою | 80 dB (VS = 35 В, Tамб 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA8177 оригінал демонтаж
В наявності
39,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | HEPTAWATT |
| Напруга живлення, макс. | 40 В (вив. 2 відносно вив. 4) |
| Робоча напруга живлення | 10–35 В |
| Пікова напруга зворотного ходу, макс. | 75 В (вив. 6 відносно вив. 4) |
| Вихідний пік. струм, макс. | 2.5 А (до 4 А при t ≤ 10 мкс, до 120 Гц, у межах SOAR) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C (рекомендована макс. 120 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт (макс.) |
| Робоча температура навколишнього середовища | –20…+75 °C |
| Підсилення за напругою | 80 dB (VS = 35 В, Tамб 25 °C) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TDA8177 оригінал
В наявності
66,74 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | HEPTAWATT |
| Напруга живлення, макс. | 40 В (вив. 2 відносно вив. 4) |
| Робоча напруга живлення | 10–35 В |
| Пікова напруга зворотного ходу, макс. | 75 В (вив. 6 відносно вив. 4) |
| Вихідний пік. струм, макс. | 2.5 А (до 4 А при t ≤ 10 мкс, до 120 Гц, у межах SOAR) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C (рекомендована макс. 120 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт (макс.) |
| Робоча температура навколишнього середовища | –20…+75 °C |
| Підсилення за напругою | 80 dB (VS = 35 В, Tамб 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA8172 ( TEA8172 )
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | вихідний підсилювач вертикальної розгортки |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення макс. (вивід 2) | 35 В |
| Пікова напруга зворотного ходу макс. | 60 В, V5, V6 |
| Вихідний струм | 2 А, f = 50–200 Гц, t > 10 мкс |
| Вихідний струм піковий | 5 А, f = 50–200 Гц, t ≤ 10 мкс |
| Повна розсіювана потужність | 20 Вт, Tcase 90 °C |
| Температура переходу макс. | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт |
| Температура теплового захисту | 140 °C, типово |
| Корпус | HEPTAWATT |
Мікросхема TDA8146
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | корекція растру схід–захід (East/West) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення | 15–29 В (тип. 24 В), Tj 25 °C, Vs = 24 В у тесті |
| Напруга живлення макс. | 33 В |
| Вихідний струм (втікаючий) | до 800 мА, вивід 7 |
| Вихідний струм (витікаючий) | до 100 мА, вивід 7 |
| Опорна напруга (вивід 5) | 8,2 В, Vs = 24 В, Tj 25 °C |
| Температура переходу | 0…+150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 80 °C/W макс. |
| Корпус | DIP14 |
Мікросхема TDA8145 ( TD8145 , TEA2031A ) , DIP8
В наявності
32,43 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | корекція растру схід–захід (East/West) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення | 17–30 В (тип. 24 В), Tamb 25 °C, Vs = 26 В у тесті |
| Напруга живлення макс. | 35 В |
| Опорна напруга | 8,0 В (7,6–8,8 В), Tamb 25 °C |
| Розсіювана потужність | 500 мВт, Tamb 50 °C |
| Температура зберігання і переходу | –25…+150 °C |
| Корпус | POWERDIP8 (DIP-8) |
Мікросхема TDA8139
В наявності
64,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | здвоєний стабілізатор напруги |
| Вихідна напруга 1 | 5,1 В (5–5,2 В) при Io1 = 10 мА, Tamb 25 °C, Vin1 = 7 В |
| Вихідна напруга 2 | 2,8–16 В (регульована) при Io2 = 10 мА, Tamb 25 °C, Vin2 = 10 В |
| Вхідна напруга | 7–18 В |
| Вихідний струм | до 750 мА |
| Вхідна напруга макс. | 20 В (абсолютний максимум) |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Корпус | 9-SIP |
Мікросхема TDA8138A , TO-220-7
В наявності
71,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | здвоєний стабілізатор напруги |
| Вихідна напруга 1 | 5,1 В (5–5,2 В) при Io1 = 10 мА, Vin1 = 7 В, Tj 25 °C |
| Вихідна напруга 2 | 12 В (11,76–12,24 В) при Io2 = 10 мА, Vin2 = 14 В, Tj 25 °C |
| Вихідний струм (кожен вихід) | до 1 А |
| Вхідна напруга макс. | 20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220-7 |
Мікросхема TDA8138 , HSIP9
В наявності
71,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | здвоєний стабілізатор напруги |
| Вихідна напруга 1 | 5,1 В (5–5,2 В) при Io1 = 10 мА, Vin1 = 7 В, Tj 25 °C |
| Вихідна напруга 2 | 12 В (11,76–12,24 В) при Io2 = 10 мА, Vin2 = 14 В, Tj 25 °C |
| Вихідний струм (кожен вихід) | до 1 А |
| Вхідна напруга макс. | 20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | HSIP9 |
Демонтаж
Мікросхема TDA8133 демонтаж
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | 9-SIP |
| Вихідна напруга 1 | 5,1 В ±2 % |
| Вихідна напруга 2 | 8 В ±2 % |
| Вихідний струм | до 0,75 А на кожному виході |
| Макс. вхідна напруга | 20 В (абсолютний максимум, вивід 1) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 8 °C/Вт (макс.) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 60 °C/Вт (макс.) |
| Рекомендована температура переходу | 130 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA7566 оригінал
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Flexiwatt25 |
| Потужність на 4 Ом | 4 x 25 Вт (VS 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Макс. потужність на 4 Ом | 4 x 40 Вт (VS 14,4 В) |
| Напруга живлення | 8–18 В |
| Піковий вихідний струм | 8 А (неповторюваний, t = 100 мкс) |
| Струм спокою | 150 мА, макс. 300 мА (VS 14,4 В, RL 4 Ом) |
| Підсилення | 26 та 12 дБ (по I2C) |
| Потужність розсіювання | 85 Вт (Tcase 70 °C) |
| Керування | I2C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA7564B оригінал демонтаж
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Flexiwatt25 |
| Потужність на 4 Ом | 4 x 28 Вт (VS 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Макс. потужність | 4 x 50 Вт (VS 15,2 В, 4 Ом) |
| Напруга живлення | 8–18 В |
| Піковий вихідний струм | 8 А (неповторюваний, t = 100 мс) |
| Струм спокою | 170 мА, макс. 300 мА (VS 14,4 В, RL 4 Ом) |
| Підсилення | 26 та 12 дБ (по I2C) |
| Потужність розсіювання | 85 Вт (Tcase 70 °C) |
| Керування | I2C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TDA7560 демонтаж ( CLEA-0041 , C1EA-0041 , CLEA-004L )
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна потужність на 4 Ом | 4 x 30 Вт (14,4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Вихідна потужність на 2 Ом | 4 x 55 Вт (14,4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ |
| Струм спокою | 200 мА (VS 14,4 В, Play) |
| Корпус | Flexiwatt25 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA7496LK оригінал ( заміна для SA7496LS ), so-20
В наявності
88,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Кількість каналів | 2 (стерео, клас AB) |
| Вихідна потужність | 2 Вт (THD 10 %, RL 8 Ом, VSS 14 В) |
| Напруга живлення | 10–18 В (TA 25 °C) |
| Струм спокою | 25 мА (VSS 14 В, TA 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення | 30 дБ |
| Корпус | SO-20 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7495
В наявності
133,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | стереопідсилювач 11 + 11 Вт класу AB з DC-регулюванням гучності |
| Вихідна потужність на канал | 11 Вт (THD 10 %, VS 28 В, RL 8 Ом) |
| Напруга живлення | 11–35 В |
| Струм спокою | 70 мА (VS 20 В, RL 8 Ом, Tamb 25 °C) |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Виробник | STMicroelectronics |
Мікросхема TDA7494
В наявності
120,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Вихідна потужність | 10 Вт (THD 10 %, VCC 28 В, RL 8 Ом, тип.) |
| Напруга живлення | 11–35 В |
| Струм спокою | 22 мА (тип.; VS 21 В, RL 8 Ом) |
| Макс. вхідна напруга | 8 Vpp |
| Входи | 3 комутовані входи |
| Розсіювана потужність | 16 Вт (Tamb 70 °C) |
| Робоча температура | -20–85 °C |
Мікросхема TDA7449 , DIP
В наявності
98,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP |
| Напруга живлення | 6–10.2 В (тип. 9 В) |
| Струм споживання | 7 мА (тип.; VS 9 В, RL 10 кОм) |
| Входи | 2 стереовходи з мультиплексором |
| Регулювання гучності | -47–0 дБ (крок 1 дБ) |
| Регулювання низьких і високих | ±14 дБ (крок 2 дБ) |
| Відношення сигнал/шум | 106 дБ (Vout 1 В rms) |
| Робоча температура | 0–70 °C |
Мікросхема TDA7394
В наявності
271,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Макс. вихідна потужність | 2 × 30 Вт (EIAJ, VS 13.2 В, RL 4 Ом) |
| Потужність на канал | 22 Вт (THD 10 %, VS 14.4 В, RL 4 Ом, тип.) |
| Коефіцієнт підсилення | 40 дБ (VS 13.2 В, f 1 кГц, RL 4 Ом) |
| Струм спокою | 90 мА (тип.) |
| Напруга живлення, макс. | 18 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема TDA7388 (Заміна для TDA7386 , TB2903HQ , TB2904HQ , TB2906H )
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Flexiwatt25 |
| Кількість виводів | 25 |
| Макс. вихідна потужність | 4 × 45 Вт, RL 4 Ом |
| Вихідна потужність на канал | 26 Вт (мін. 22 Вт); VS 14.4 В, f 1 кГц, RL 4 Ом, Tamb 25 °C, THD 10 % |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ (мін. 25, макс. 27) |
| Робоча напруга живлення | 18 В (макс.) |
| Напруга живлення DC | 28 В (макс.) |
| Розсіювана потужність | 80 Вт при Tcase 70 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Транзистор PDP6980-5 ( DP6980-5 ) оригінал, TO220
В наявності
237,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Potens Semiconductor |
| Напруга Vds (VGS=0 В, ID=250 мкА) | 65 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 180 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 113 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=20 А) | 1.7 мОм (тип.), 2.2 мОм (макс.) |
| Rds(on) (VGS=4.5 В, ID=15 А) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–2.5 В (тип. 1.5 В) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (тип.), 260 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 9040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 278 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7385
В наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Flexiwatt25 |
| Кількість виводів | 25 |
| Вихідна потужність на канал | 23 Вт (тип.), 21 Вт (мін.); Vs = 14.4 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц, THD = 10 % |
| Підсилення за напругою | 26 дБ (25–27) |
| Робоча напруга живлення | 18 В (макс.) |
| Макс. постійна напруга живлення | 28 В |
| Струм спокою | 180 мА (тип.), 300 мА (макс.) при Vs = 14.4 В |
| Розсіювана потужність | 80 Вт при Tcase = 70 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема TDA7377 оригінал ( заміна для YD7377 )
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Кількість виводів | 15 |
| Вихідна потужність (міст) | 20 Вт (тип.), 18 Вт (мін.); 2 канали, Vs = 14.4 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц, THD = 10 % |
| Вихідна потужність (звичайний вихід) | 6 Вт (тип.), 5.5 Вт (мін.); 4 канали, Vs = 14.4 В, RL = 4 Ом, THD = 10 % |
| Напруга живлення Vs | 8–18 В |
| Макс. постійна напруга живлення | 28 В |
| Струм спокою | 150 мА при Vs = 14.4 В |
| Розсіювана потужність | 36 Вт при Tcase = 85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7365
В наявності
110,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Напруга живлення Vs | 8–18 В |
| Макс. постійна напруга | 28 В |
| Потужність на канал | 6 Вт типово, 5.5 Вт мінімум (Vs = 14.4 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц, THD = 10 %) |
| Потужність при 2 Ом | 9 Вт типово (Vs = 14.4 В, THD = 10 %) |
| Підсилення | 40 дБ (39–41) |
| Струм спокою | 80 мА типово (Vs = 14.4 В) |
| Розсіювана потужність | 32 Вт (Tcase = 85 °C) |
| Тепловий опір кристал–корпус | 2 °C/Вт максимум |
Мікросхема TDA7313ND ( TDA7313D )( заміна для SC7313S ) , so-28
В наявності
111,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SOP-28 |
| Напруга живлення Vs | 6–10 В (типово 9 В) |
| Макс. напруга живлення | 10.2 В (абсолютний максимум) |
| Макс. вхідний сигнал | 2 Vrms (мін.) |
| THD | 0.01 % типово, 0.1 % максимум (V = 1 Vrms, f = 1 кГц) |
| Відношення сигнал/шум | 106 дБ (типово) |
| Розділення каналів | 103 дБ (типово, f = 1 кГц) |
| Регулювання гучності | від -78.75 до 0 дБ, крок 1.25 дБ |
| Регулювання тембру | від -14 до +14 дБ, крок 2 дБ |
| Робоча температура | від -40 до 85 °C |
Демонтаж
Мікросхема PAL007C демонтаж ( Заміна для PAL007E )
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | підсилювач потужності |
| Кількість каналів | 4 (OUT1–OUT4) |
| Кількість виводів | 25 (виводи 1–25 та TAB) |
| Захисти | від перенапруги, перегріву, короткого замикання, обмеження струму, детектор зсуву |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA7294 оригінал
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Напруга живлення | ±10…±40 В (Vs ±35 В, RL 8 Ом, Tamb 25 °C) |
| Напруга живлення, макс. допустима | ±50 В (без сигналу) |
| Вихідна потужність (RMS) | 70 Вт, мін. 60 Вт (THD 0,5 %, Vs ±35 В, RL 8 Ом) |
| Музична потужність | 100 Вт (THD 10 %, RL 8 Ом, Vs ±38 В, t = 1 с) |
| Нелінійні спотворення | 0,005 % (Po 5 Вт, f 1 кГц, Vs ±35 В, RL 8 Ом) |
| Струм спокою | 30 мА, 20…65 мА (Vs ±35 В, RL 8 Ом) |
| Піковий вихідний струм | 10 А |
| Розсіювана потужність | 50 Вт (Tcase 70 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,5 °C/Вт |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7293 оригінал
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | MULTIWATT15 |
| Напруга живлення | ±12…±50 В (Tamb 25 °C) |
| Напруга живлення, макс. допустима | ±60 В (без сигналу) |
| Вихідна потужність | 100 Вт (THD 10 %, RL 8 Ом, Vs ±40 В) |
| Нелінійні спотворення | 0,005 % (Po 5 Вт, f 1 кГц, Vs ±40 В, RL 8 Ом) |
| Струм спокою | 50 мА, макс. 100 мА (Vs ±40 В, RL 8 Ом) |
| Піковий вихідний струм | 10 А |
| Розсіювана потужність | 50 Вт (Tcase 70 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | не більше 1,5 °C/Вт |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7269 оригінал
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Multiwatt11 |
| Вихідна потужність на канал | 10 Вт (THD 10 %, RL 8 Ом, Vs ±14 В) |
| Напруга живлення | до ±20 В (роздільне живлення) |
| Напруга живлення, макс. допустима | ±22 В (абсолютний максимум) |
| Нелінійні спотворення | 0,03 % (Po 1 Вт, RL 8 Ом, f 1 кГц, Vs ±14 В) |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7267A , DIP16
В наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP16 (PowerDIP 8+8), 16 виводів |
| Напруга живлення | 5 … 18 В |
| Напруга живлення, макс. | 18 В |
| Вихідна потужність (THD 10 %, Vs 14,5 В, RL 8 Ом) | 3 Вт |
| Підсилення (Vs 14,5 В, RL 8 Ом) | 32 дБ |
| Струм спокою | 23 мА (макс. 35 мА) |
| Піковий вихідний струм | 1,5 А |
| Робоча температура | 0 … 70 °C |
Мікросхема TDA7266SA
В наявності
149,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Clipwatt15 |
| Напруга живлення | 3 … 18 В (типово 11 В) |
| Напруга живлення, макс. | 20 В |
| Потужність на канал (THD 10 %, Vcc 11 В, RL 8 Ом) | 7 Вт (мін. 6,3 Вт) |
| Підсилення (f 1 кГц) | 26 дБ |
| Струм спокою | 50 мА (макс. 65 мА) |
| Піковий вихідний струм | 2 А |
| Робоча температура | 0 … 70 °C |