Магазин
Мікросхема UC3845B оригінал, DIP8
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | DIP8 |
| Поріг увімкнення UVLO | 8.4 В (VCC зростає) |
| Поріг вимкнення UVLO | 7.6 В |
| Опорна напруга Vref | 5.0 В (IO = 1.0 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота генератора | 52 кГц (TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ, VCC = 15 В) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ) |
| Струм виходу, макс. | 1.0 А (абсолютний максимум) |
| VCC, макс. | 36 В (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UC3844B ( 3844B , UC3844BD , UC3844A , UC3844 , KA3844 ) оригінал, so-8
В наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Опорна напруга VREF | 5 В (4,9–5,1 В) при IVREF = 1 мА, TJ = 25 °C |
| Частота генератора | 52 кГц (47–57 кГц) при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. робоча частота | 500 кГц |
| Піковий струм виходу | 1 А |
| Поріг вмикання UVLO | 16 В (14,5–17,5 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Поріг вимикання UVLO | 10 В (8,5–11,5 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (47–50 %) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. напруга живлення VCC | 30 В (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UC3844BN ( UC3844B ) , DIP8
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | DIP8 |
| Опорна напруга VREF | 5 В (4,9–5,1 В) при IVREF = 1 мА, TJ = 25 °C |
| Частота генератора | 52 кГц (47–57 кГц) при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. робоча частота | 500 кГц |
| Піковий струм виходу | 1 А |
| Поріг вмикання UVLO | 16 В (14,5–17,5 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Поріг вимикання UVLO | 10 В (8,5–11,5 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (47–50 %) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. напруга живлення VCC | 30 В (абсолютний максимум) |
| Робочий діапазон температур | 0…70 °C |
Мікросхема UC3843D ( UC3843BDG ) , so-14
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-14 |
| Опорна напруга VREF | 5 В (4,9–5,1 В) при IVREF = 1 мА, TJ = 25 °C |
| Частота генератора | 52 кГц (47–57 кГц) при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. робоча частота | 500 кГц |
| Піковий струм виходу | 1 А |
| Поріг вмикання UVLO | 8,4 В (7,8–9 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Поріг вимикання UVLO | 7,6 В (7–8,2 В) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 97 % (92–100 %) при 0 °C ≤ TA ≤ 70 °C, VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ |
| Макс. напруга живлення VCC | 30 В (абсолютний максимум) |
| Робочий діапазон температур | 0…70 °C |
Мікросхема UC3843B оригінал, DIP8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP8 |
| Опорна напруга Vref (тип) | 5,0 В при IO = 1,0 мА, TJ = 25 °C, VCC = 15 В |
| Частота генератора fOSC (тип) | 52 кГц при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ, VCC = 15 В |
| Поріг увімкнення UVLO (тип) | 8,4 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 96 % (тип) при VCC = 15 В |
| Вихідний струм (макс.) | 1,0 А |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 30 В |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор KGH15N120NDA ( 15N120NDA ) оригінал демонтаж б/в (заміна для KGT15N120NDH , 15N120NDH , MX15N120NDA ) , TO-3P
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (Vge=0 В, Ic=3 мА) |
| Струм колектора Ic | 24 А при Tc 25 °C; 15 А при Tc 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В типове (Vge=15 В, Ic=15 А, Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Cies | 1400 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, If=15 А (Tc 100 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема UC3842B оригінал, so-8
В наявності
51,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | SO-8 |
| Опорна напруга Vref (тип) | 5,0 В при IO = 1,0 мА, TJ = 25 °C, VCC = 15 В |
| Частота генератора fOSC (тип) | 52 кГц при TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3,3 нФ, VCC = 15 В |
| Поріг увімкнення UVLO (тип) | 16 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 96 % (тип) при VCC = 15 В |
| Вихідний струм (макс.) | 1,0 А |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 30 В |
| Робоча температура | 0…+70 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N18R оригінал, TO220(60V,180A)
В наявності
109,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | SI-TECH |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 180 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 114 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 2,8 мОм тип., 3,4 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Потужність Pd | 227 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6647 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор CS20J65 оригінал демонтаж , TO-3P (20A,650V)
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, super junction |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 60 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,14 Ом тип., 0,18 Ом макс. (VGS=10 В, ID=10 А) |
| Vgs(th) | 2,5–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл тип. (ID=20 А, VDD=520 В, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2005 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TSA5511AT , smd
В наявності
129,25 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors |
| Напруга живлення | 5 В (діапазон 4.5–5.5 В, Tamb 25 °C) |
| Струм споживання | 35 мА (VCC 5 В, Tamb 25 °C; діапазон 25–50 мА) |
| Діапазон вхідної частоти | 64–1300 МГц |
| Коефіцієнт ділення | 256–32767 |
| Частота кварцового резонатора | 4 (3.2–4.48) МГц |
| Опорна частота фазового компаратора | 7.8125 кГц при кварці 4 МГц |
| Робоча температура | -10…+80 °C |
| Температура зберігання | -40…+150 °C |
| Керовані порти | 8 |
| Корпус | SO-20 |
Мікросхема TSA5511
В наявності
112,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors |
| Напруга живлення | 5 В (діапазон 4.5–5.5 В, Tamb 25 °C) |
| Струм споживання | 35 мА (VCC 5 В, Tamb 25 °C; діапазон 25–50 мА) |
| Діапазон вхідної частоти | 64–1300 МГц |
| Коефіцієнт ділення | 256–32767 |
| Частота кварцового резонатора | 4 (3.2–4.48) МГц |
| Опорна частота фазового компаратора | 7.8125 кГц при кварці 4 МГц |
| Робоча температура | -10…+80 °C |
| Температура зберігання | -40…+150 °C |
| Керовані порти | 8 |
Мікросхема TPA3130 ( TPA3130D2 ) , HTSSOP32
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Стереопідсилювач класу D |
| Виробник | Texas Instruments |
| Напруга живлення (PVCC, AVCC) | 4.5…26 В |
| Гранична напруга живлення | 30 В |
| Вихідна потужність (міст 8 Ом, 15 В) | 2 x 15 Вт |
| ККД | >90 % |
| Частота перемикання | до 1.2 МГц |
| Температура навколишнього середовища | -40…85 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 36 °C/Вт |
| Корпус | HTSSOP32 (DAP, 11.00 x 6.20 мм) |
Мікросхема TPA3113D2 оригінал, htssop-28
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | стерео підсилювач класу D без вихідного фільтра, SpeakerGuard |
| Напруга живлення | 8–26 В (AVCC, PVCC) |
| Вихідна потужність на канал | 6 Вт (8 Ом, THD+N 10 %, VCC 10 В) |
| Потужність в моно (PBTL) | 12 Вт (4 Ом, THD+N 10 %, VCC 10 В) |
| ККД | 87 % |
| Струм спокою | 32 мА, макс 50 (SD = 2 В, без навантаження, PVCC = 24 В) |
| Корпус | TSSOP-28 EP |
| Корпус (докладно) | htssop-28 (28-pin TSSOP PWP, PowerPAD, 9.70 x 4.40 мм) |
| Виробник | Texas Instruments |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TPA3110D2 , smd
В наявності
101,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | стерео підсилювач класу D без вихідного фільтра, SpeakerGuard |
| Напруга живлення | 8–26 В (AVCC, PVCC) |
| Вихідна потужність на канал | 15 Вт (8 Ом, THD+N 10 %, VCC 16 В) |
| Вихідна потужність на канал, VCC 13 В | 10 Вт (8 Ом, THD+N 10 %) |
| Потужність в моно (PBTL) | 30 Вт (4 Ом, THD+N 10 %, VCC 16 В) |
| ККД | 90 % |
| Струм спокою | 32 мА, макс 50 (SD = 2 В, без навантаження, PVCC = 24 В) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Корпус | TSSOP-28 EP |
| Виробник | Texas Instruments |
Мікросхема TPA3008D2 , smd
В наявності
98,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | стерео підсилювач потужності класу D, мостове підключення |
| Напруга живлення | 8.5–18 В (AVCC, PVCC, однополярне) |
| Вихідна потужність на канал | 10 Вт (THD+N 10 %, f 1 кГц, RL 16 Ом, VCC 17 В) |
| Мінімальний опір навантаження | 8 Ом |
| ККД | до 92 % |
| Коефіцієнти підсилення | 15.3 / 21.2 / 27.2 / 31.8 дБ |
| Частота генератора | 200–300 кГц |
| Робоча температура повітря | -40…85 °C |
| Корпус | smd (за datasheet 48-pin HTQFP (PHP), PowerPAD) |
| Виробник | Texas Instruments |
Мікросхема TPA1517NE , DIP
В наявності
92,12 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Стерео підсилювач потужності звуку |
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | DIP-20 |
| Корпус (докладно) | DIP-20 (NE) |
| Вихідна потужність на канал | 6 Вт (4 Ом, THD+N = 10 %) |
| Вихідна потужність на канал (THD+N = 1 %) | 5 Вт (4 Ом) |
| Посилення | 20 дБ (фіксоване, кожен канал) |
| Напруга живлення (рекомендована) | 9,5–18 В |
| Напруга живлення, максимум | 22 В |
| Робоча температура | -40…85 °C |
Мікросхема TP4366E ( TP4366 ) , so-8
В наявності
35,72 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TPOWER |
| Вихідна напруга розряду | 5 В |
| Вихідний струм | 1 А (синхронний підвищувальний режим) |
| Струм заряду | 0.8 А (фіксований) |
| ККД розряду | до 93 % при струмі навантаження 1 А |
| Напруга закінчення розряду BAT | 2.85 В |
| Напруга закінчення заряду | 4.2 або 4.35 В |
| Захист входу від перенапруги | 6.5 В |
| Вхідна напруга зарядки | 4.5–5.5 В |
| Робоча температура | -20…85 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Корпус (докладно) | ESOP8 (8 виводів з тепловою площадкою) |
Мікросхема TOP266VG , eDIP-12
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | eDIP-12 |
| Корпус (докладно) | eDIP-12 (V package, eDIP-12B) |
| Максимальна пікова напруга DRAIN | 725 В |
| Напруга пробою BVDSS | 725 В (мін.) при TJ = 25 °C |
| Струм обмеження ILIMIT | 2,55 А при TJ = 25 °C |
| RDS(ON) | 2,8 Ом (тип.) при ID = 300 мА, TJ = 25 °C |
| Частота перемикання | 132 кГц (FREQUENCY з’єднаний з SOURCE); 66 кГц (FREQUENCY з’єднаний з CONTROL) |
| Потужність в адаптері | 24 Вт (230 В AC ±15 %, мідна площа плати) |
Мікросхема TOP264VG оригінал, eDIP-12
В наявності
97,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Корпус | eDIP-12 |
| Корпус (докладно) | eDIP-12 (V package, eDIP-12B) |
| Максимальна пікова напруга DRAIN | 725 В |
| Напруга пробою BVDSS | 725 В (мін.) при TJ = 25 °C |
| Струм обмеження ILIMIT | 1,30 А при TJ = 25 °C |
| RDS(ON) | 5,4 Ом (тип.) при ID = 150 мА, TJ = 25 °C |
| Частота перемикання | 132 кГц (FREQUENCY з’єднаний з SOURCE); 66 кГц (FREQUENCY з’єднаний з CONTROL) |
| Потужність в адаптері | 21 Вт (230 В AC ±15 %, мідна площа плати) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор 2SK3523 оригінал демонтаж(500V,25A), TO-3PF
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Fuji Electric |
| Корпус | TO-3PF |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 25 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.20 Ом тип., 0.26 Ом макс. (ID=10.5 А, VGS=10 В) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (ID=250 мкА, VDS=VGS) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл тип. (VCC=300 В, ID=21 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2280 пФ |
| Потужність Pd | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Напруга ізоляції Viso | 2 кВ (t=60 с, f=60 Гц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TOP257EN , eSIP-7C
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-HX |
| Максимальна напруга Drain | 700 В (абсолютний максимум) |
| Піковий струм Drain | 5,44 А (абсолютний максимум) |
| Струм обмеження ILIMIT (typ) | 3,40 А при TJ 25 °C, di/dt = 705 мА/мкс |
| RDS(on) typ | 2,0 Ом при TJ 25 °C, ID = 400 мА |
| RDS(on) макс. | 2,30 Ом при TJ 25 °C, ID = 400 мА |
| Частота перемикання | 132 кГц (F-pin до SOURCE, корпуси E/L); 66 кГц з опцією половинної частоти |
| Потужність в адаптері, 230 В AC ±15% | 85 Вт (50 °C навколишнього) |
| Потужність open frame, 230 В AC ±15% | 157 Вт (50 °C навколишнього) |
| Потужність в адаптері, 85–265 В AC | 55 Вт (50 °C навколишнього) |
| Потужність open frame, 85–265 В AC | 119 Вт (50 °C навколишнього) |
| Робоча температура переходу | від -40 до 150 °C |
| Корпус | eSIP-7C |
Мікросхема TOP255EN , eSIP-7C
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-HX |
| Максимальна напруга Drain | 700 В (абсолютний максимум) |
| Піковий струм Drain | 2,72 А (абсолютний максимум) |
| Струм обмеження ILIMIT (typ) | 1,70 А при TJ 25 °C, di/dt = 350 мА/мкс |
| RDS(on) typ | 4,1 Ом при TJ 25 °C, ID = 200 мА |
| RDS(on) макс. | 4,70 Ом при TJ 25 °C, ID = 200 мА |
| Частота перемикання | 132 кГц (F-pin до SOURCE, корпуси E/L); 66 кГц з опцією половинної частоти |
| Потужність в адаптері, 230 В AC ±15% | 40 Вт (50 °C навколишнього) |
| Потужність open frame, 230 В AC ±15% | 81 Вт (50 °C навколишнього) |
| Потужність в адаптері, 85–265 В AC | 26 Вт (50 °C навколишнього) |
| Потужність open frame, 85–265 В AC | 57 Вт (50 °C навколишнього) |
| Робоча температура переходу | від -40 до 150 °C |
| Корпус | eSIP-7C |
Мікросхема TOP254PN , DIP7
В наявності
90,71 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | TOPSwitch-HX |
| Максимальна напруга Drain | 700 В (абсолютний максимум) |
| Піковий струм Drain | 2,08 А (абсолютний максимум) |
| Струм обмеження ILIMIT (typ) | 1,00 А при TJ 25 °C, di/dt = 105 мА/мкс |
| RDS(on) typ | 5,4 Ом при TJ 25 °C, ID = 150 мА |
| RDS(on) макс. | 6,25 Ом при TJ 25 °C, ID = 150 мА |
| Частота перемикання | 66 кГц (59,4–72,6 кГц) при TJ 25 °C |
| Робоча температура переходу | від -40 до 150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Корпус (докладно) | DIP7 (DIP-8C, 7 виводів) |
