Магазин
Мікросхема EG1165S оригінал, so-16
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro |
| Напруга VB (макс.) | 600 В |
| Напруга VCC (макс.) | 20 В |
| Робочий діапазон VCC | 10–20 В |
| UVLO вмикання (EG1165S) | 8.5 В |
| UVLO вимикання (EG1165S) | 7.5 В |
| Робоча частота | 20 Гц–500 кГц |
| Опорна напруга REF5V | 5 В, до 10 мА |
| Температура навколишнього середовища | -45…125 °C |
| Корпус | SO-16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема D1875 ( CD1875 )
В наявності
104,81 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Одноканальний Hi-Fi підсилювач потужності НЧ |
| Напруга живлення VCC | 16–60 В |
| Вихідна потужність | 25 Вт (THD 1 %, RL 8 Ом, VCC ±25 В, 1 кГц) |
| Максимальний вихідний струм | 4 А |
| Струм спокою | 70 мА (макс. 100 мА) |
| Корпус | TO220-5 |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
Електролітичний конденсатор 120uF 500V 105C ( 120мкФ 500В 105град , 120*500*105гр ) жорсткі виводи 22*45 мм
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 120 мкФ |
| Робоча напруга | 500 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 22×45 мм |
| Виводи | жорсткі |
Електролітичний конденсатор 10uF 500V 105C ( 10мкФ 500В 105град , 10*500*105гр ) 12*20мм
В наявності
120,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 10 мкФ |
| Робоча напруга | 500 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 12×20 мм |
Демонтаж
Діод Шоттки C4D20120 ( C4D20120D ) оригінал демонтаж, TO247-3pin
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шоттки SiC, подвійний |
| Виробник (datasheet) | Wolfspeed |
| Корпус | TO-247 |
| Vrrm | 1200 В (Tc 25 °C) |
| Vrsm | 1300 В (Tc 25 °C) |
| If на плече | 34 А (Tc 25 °C); 16.5 А (Tc 135 °C); 10 А (Tc 157 °C) |
| Ifsm на плече | 71 А (Tc 25 °C, tp = 10 мс, півсинусоїда) |
| Vf на плече, тип. / макс. | 1.5 / 1.8 В (If = 10 А, Tj 25 °C) |
| Qc | 64 нКл (Vr = 800 В, Tj 25 °C, If = 10 А, di/dt = 200 А/мкс) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Діод SFF2004 оригінал демонтаж, TO220F-3pin
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | JUXING |
| Тип | Діод надшвидкий (superfast) |
| Корпус | TO-220F |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 400 В |
| Дійсна напруга Vrms | 280 В |
| Середній прямий струм If(av) | 20 А (Tc 100 °C) |
| Ударний прямий струм Ifsm | 170 А (8,3 мс, напівсинус) |
| Пряма напруга Vf | 1,3 В (If 10 А) |
| Час відновлення trr (макс.) | 35 нс (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irr 0,25 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Діод RURG3060 оригінал демонтаж ( заміна для R3060G2 ), TO247-2pin
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана пікова зворотна напруга Vrrm | 600 В (TC=25°C) |
| Середній прямий струм If(AV) | 30 А (TC=130°C) |
| Пряме падіння напруги Vf | не більше 1.5 В (If=30А, TC=25°C) |
| Пряме падіння напруги Vf при 150°C | не більше 1.3 В (If=30А, TC=150°C) |
| Час зворотного відновлення trr | не більше 60 нс (If=30А, dIF/dt=100А/мкс) |
| trr при If=1А | не більше 55 нс |
| Неповторюваний імпульсний струм Ifsm | 325 А (напівхвиля, 1 фаза, 60 Гц) |
| Робочий діапазон температур | -65…175 °C |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Корпус | TO-247-2 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Діод RHRG3060 оригінал демонтаж, TO247-2pin
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | Діод надшвидкий (hyperfast) одиночний |
| Корпус | TO-247-2 |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А (Tc 25 °C) |
| Ударний прямий струм Ifsm | 90 А (напівхвиля, 1 фаза, 50 Гц) |
| Пряма напруга Vf (тип.) | 1,64 В (If 30 А, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr (тип.) | 33 нс (If 30 А, di/dt 200 А/мкс, Vcc 390 В, Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,66 °C/Вт |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діодний міст RBV5010 оригінал
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна повторювана пікова зворотна напруга Vrrm | 1000 В (Ta 25 °C) |
| Діюча напруга Vrms | 700 В (Ta 25 °C) |
| Постійна блокувальна напруга Vdc | 1000 В (Ta 25 °C) |
| Середній прямий струм If(AV) | 50 А (Tc 55 °C) |
| Пряма напруга на діод Vf | 1,1 В (If 25 А, максимум) |
| Пік струму перевантаження Ifsm | 400 А (одна напівхвиля 8,3 мс) |
| I²t | 660 А²с (t < 8,3 мс) |
| Зворотний струм витоку Ir | 10 мкА (Ta 25 °C) / 200 мкА (Ta 100 °C) |
| Тепловий опір Rjc | 1,5 °C/Вт (типове, на радіаторі) |
| Робоча температура | –40…+150 °C |
| Корпус | пластиковий, гвинтове кріплення на радіатор, маса 8,17 г |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст GBJ2508 (800V,25A)(Заміна для GBJ2508A )
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна повторювана зворотна напруга Vrrm | 800 В (TJ 25 °C) |
| Середній прямий струм If(AV) | 25 А (з радіатором, TJ 150 °C) |
| Пряма напруга Vf | 1,05 В (If 12,5 А, TJ 25 °C, максимум) |
| Пік струму перевантаження Ifsm | 350 А (одна напівхвиля 8,3 мс) |
| I²t | 510 А²с (t = 8,3 мс) |
| Зворотний струм витоку Ir | 10 мкА (TJ 25 °C, максимум) |
| Робоча температура | –55…+150 °C |
| Корпус | GBJ |
| Корпус (докладно) | GBJ (4-SIP, гвинтове кріплення на радіатор), маса 6,6 г |
Діодний міст D30XB100 оригінал
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Середній струм Io | 30 А (60 Гц, резистивне навантаження) |
| Ударний струм Ifsm | 350 А (8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1,0 В (при 15 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (25 °C), 500 мкА (100 °C) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR6030NCT оригінал (300V,60A) , TO3P-3pin
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Ультрашвидкий діод, здвоєний |
| Корпус | TO-3P |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 300 В |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А на діод при Tc 135 °C; на корпус 60 А |
| Пряма напруга Vf (тип.) | 1,00 В при If 30 А, Tc 25 °C |
| Час відновлення trr (тип.) | 31 нс при VR 30 В, If 1 А, -di/dt 50 А/мкс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод MM30F060B оригінал демонтаж, TO247-2pin
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Швидкий діод (FRED), одиночний |
| Корпус | TO-247-2 |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А при Tc 110 °C |
| Пряма напруга Vf (тип.) | 1,5 В при If 30 А, Tc 25 °C |
| Час відновлення trr (тип.) | 22 нс при If 1 А, di/dt -200 А/мкс, VR 30 В |
| Заряд Qrr (тип.) | 210 нКл при If 30 А, VR 300 В, di/dt -200 А/мкс, Tj 25 °C |
| Розсіювана потужність Pd | 156 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Діод FF60UP30DN ( F60UP30DN ) оригінал демонтаж , TO-3P
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Швидкий діод (FRED), здвоєний, спільний катод |
| Корпус | TO-3P |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 300 В |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А на діод при Tc 110 °C; на корпус 60 А |
| Пряма напруга Vf (тип.) | 1,25 В при If 30 А, Tc 25 °C |
| Час відновлення trr (тип.) | 35 нс при VR 150 В, If 30 А, di/dt -200 А/мкс, Tj 25 °C |
| Розсіювана потужність Pd | 156 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Діод DSP25-16A оригінал демонтаж, TO247-3pin
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS (Littelfuse) |
| Корпус | TO-247 |
| Конфігурація | фазова гілка (phase leg): два діоди послідовно |
| Vrrm | 1600 В при Tvj 25 °C |
| Vrsm | 1700 В |
| IF(AV) | 25 А на один діод при Tc 135 °C, синус 180° |
| IR | 40 мкА макс. при VR 1600 В, Tvj 25 °C |
| Ptot | 160 Вт при Tc 25 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Діод 60EPU06 оригінал демонтаж, TO247-2pin
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Корпус | TO-247-2 |
| Конфігурація | одиночний діод |
| VR | 600 В |
| IF(AV) | 60 А при TC 116 °C |
| IFSM | 600 А (одиночний імпульс, TC 25 °C) |
| Vf | 1.35 В типово, 1.68 В макс. при IF 60 А, Tj 25 °C |
| trr | 34 нс типово, 45 нс макс. при IF 1 А, diF/dt 200 А/мкс, VR 30 В, Tj 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод 30F60W оригінал, TO247-2pin
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | JILIN SINO |
| Корпус | TO-247-2 |
| Vrrm | 600 В |
| IF(AV) | 30 А при Tc 110 °C |
| IFSM | 300 А (одиночний імпульс, t 8.3 мс) |
| Vf | 2.0 В типово, 2.5 В макс. при IF 30 А, Tj 25 °C |
| trr | 26 нс типово, 35 нс макс. при IF 1 А, VR 30 В, diF/dt -100 А/мкс, Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор UTC12N65L ( 12N65L ) оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга стік–витік Vds | 650 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.65 Ом тип., 0.85 Ом макс. (VGS 10 В, ID 6 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл тип. (VDS 520 В, ID 12 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1480 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 51 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | UTC |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A60D ( K15A60D ) оригінал , TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N (MOS, підвищення) |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (DC) | 15 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 7.5 А | тип. 0.31 Ом, макс. 0.37 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 50 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Тепловий опір канал–корпус | макс. 2.5 °C/Вт |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SJ68N058 оригінал (заміна для M08N68 , BLM08N68 ), TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P40V65FDR1 ( P40V65 , SGTP40V65FDR1P7 ) оригінал, TO247
В наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Тип | IGBT-транзистор з антипаралельним швидким діодом |
| Напруга Vce | 650 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.65 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3150 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP40T15GU ( P40T15GU ) оригінал, PDFN-8(5×6)
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип каналу | N (Super Trench) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 150 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 106 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 20 А | тип. 1.09 мОм, макс. 1.35 мОм |
| Rds(on) при VGS 4.5 В, ID 20 А | тип. 1.5 мОм, макс. 1.85 мОм |
| Vgs(th) | тип. 1.5 В (1.0–2.2 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 135 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 5200 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP40T11K оригінал, DPAK
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип каналу | N (Super Trench) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 110 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 85 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 55 А | тип. 2.4 мОм, макс. 3.5 мОм |
| Rds(on) при VGS 4.5 В, ID 55 А | тип. 3.3 мОм, макс. 4.8 мОм |
| Vgs(th) | тип. 1.7 В (1.2–2.2 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 150 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 3510 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MM75GAU65BKX оригінал, TO247-4
В наявності
145,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO247-4 |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор K40T120 ( IKW40T120 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при 25 °C | 75 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.7 В тип. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 270 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HYG022N10NS1TA ( HYG022N10 ) оригінал, TOLL
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TOLL |
| Напруга стік–витік Vds | 100 В (VGS 0 В, IDS 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 249 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 176 А |
| Rds(on) | 2,2 мОм тип., 2,8 мОм макс. (VGS 10 В, IDS 50 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3,1 В), VDS=VGS, IDS 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 160,5 нКл тип. (VGS 10 В, VDS 80 В, IDS 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 9026 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 312 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор GP28S50G оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
200,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Greatpower Microelectronic (Champion) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO220F (у документі TO-220FP) |
| Напруга стік–витік Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tj 25 °C) | 28 А |
| Rds(on) | 125 мОм макс. (VGS=10 В, ID=15 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В), VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 40,7 нКл (VDS=400 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1517.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор E10N170 оригінал демонтаж, D2PAK
В наявності
211,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор CRST055N08N оригінал ( заміна для CRST055N08NP ), TO220
В наявності
50,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга стік–витік Vds | 85 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 120 А (обмеження корпусом) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 86 А |
| Rds(on) | 4,6 мОм тип., 5,5 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В), VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл (VGS=10 В, VDS=40 В, ID=50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3086 пФ |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 174 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор CRJQ30N60G2F оригінал демонтаж, TO247
В наявності
200,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 83 А при Tc 25 °C; 55 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 28 мОм тип., 33 мОм макс. (VGS=10 В, ID=42 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,2–4,6 В при VDS=VGS, ID=250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл (VGS=10 В, VDS=480 В, ID=42 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6000 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 595 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 6R125C6 ( IPW60R125C6 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | MOSFET, N-канал, CoolMOS C6 |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 600 В (VGS=0 В, ID=0,25 мА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку ID | 30 А (TC=25 °C); 19 А (TC=100 °C) |
| RDS(on) | 0,125 Ом макс. (VGS=10 В, ID=14,5 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 96 нКл тип. (VDD=480 В, ID=14,5 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2127 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 219 Вт (TC=25 °C) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 65F6048A ( IPW65R048CFDA ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
139,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=1 мА, мін.) |
| Струм Id | 63,3 А при Tc 25 °C; 40 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0,043 Ом тип., 0,048 Ом макс. (VGS=10 В, ID=29,4 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3,5–4,5 В (тип. 4 В) при VDS=VGS, ID=2,9 мА |
| Заряд затвора Qg | 270 нКл (VDD=480 В, ID=44,2 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7440 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 500 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| trr діода | 240 нс (VR=400 В, IF=44,2 А, di/dt=100 А/мкс) |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SD1624 ( 2SD1624G , 2SD1624G-S-AB3-R , 2SD1624L ) оригінал, sot89
В наявності
34,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Напруга Vceo | 50 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 60 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 3 А (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icp | 6 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pc | 500 мВт (TA 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE | 100–560 (Vce 2 В, Ic 100 мА) |
| Vce(sat) | 0,19 В typ, 0,5 В max (Ic 2 А, Ib 100 мА) |
| Гранична частота fT | 150 МГц typ (Vce 10 В, Ic 50 мА) |
| Ємність Cob | 25 пФ typ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | SOT-89 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA1020G ( 2SA1020G-Y-AB3-R ) оригінал, sot89
В наявності
34,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Напруга Vceo | –50 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | –50 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | –5 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | –2 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pc | 500 мВт (SOT-89, TA 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE1 | 70–240 (Vce –2 В, Ic –0,5 А) |
| hFE2 (мін.) | 40 (Vce –2 В, Ic –1,5 А) |
| Vce(sat) макс. | –0,5 В (Ic –1 А, Ib –0,05 А) |
| Ємність Cob | 80 пФ (Vcb –10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | SOT-89 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 20CL36 оригінал, D2PAK
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TPS65198 , QFN-28
В наявності
112,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Виходи | 6 CLK, VST, RESET, ODD, EVEN, VGH_F, VGH_R, DISCHARGE |
| Напруга VGH1, VGH2 | 15–38 В |
| Напруга VGL | –3…–23 В |
| Різниця VGH – VGL | 18–56 В |
| Напруга живлення підсилювача AVDD | 8–20 В |
| Робоча температура навколишнього середовища | –40…85 °C |
| Робоча температура переходу | –40…125 °C |
| Корпус | QFN 28 виводів, 4×4 мм |
Мікросхема THS7374IPWR ( THS7374 , THS7374IPW ) оригінал, TSSOP-14
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Кількість каналів | 4 |
| Вбудований фільтр | 6-го порядку, Баттерворта, 9,5 МГц (за рівнем –3 дБ) |
| Смуга пропускання ±1 дБ | 8,2 МГц |
| Загасання | 54 дБ на 27 МГц |
| Смуга в режимі обходу фільтра | 150 МГц (за рівнем –3 дБ) |
| Підсилення | 6 дБ (2 В/В) |
| Напруга живлення | 3–5 В |
| Струм споживання | 9,6 мА при VS+ = 3,3 В |
| Корпус | TSSOP-14 (PW) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA8947J оригінал демонтаж
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP |
| Корпус | DBS17P |
| Напруга живлення (робоча) | 9 / 18 / 26 В (мін / тип / макс) |
| Струм спокою | 100 мА тип. при VCC = 18 В |
| Потужність BTL | 18 Вт тип. при THD = 10 %, RL = 8 Ом, VCC = 18 В |
| Потужність SE | 8,5 Вт тип. при THD = 10 %, RL = 4 Ом, VCC = 18 В |
| Підсилення SE / BTL | 26 дБ / 32 дБ |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TDA7563B оригінал демонтаж
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | 4-канальний мостовий підсилювач класу SB |
| Вихідна потужність на канал | 28 Вт (RL 4 Ом, 1 кГц, THD 10 %, Vs 14.4 В, типове) |
| Напруга живлення | 8–18 В |
| Струм спокою | 170 мА (макс. 300 мА), Vs 14.4 В |
| Підсилення | 30 / 16 дБ (вибір по I2C) |
| Корпус | Flexiwatt27 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |