Магазин
Демонтаж
Транзистор 70N60DM2 ( STW70N60DM2 , 70N60M2 , STW70N60M2 ) оригінал демонтаж, TO247( 600V, 66A , 0.042R )
Немає в наявності
221,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-247 |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік–витік Vds | 600 В (Vgs 0 В, Id 1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 66 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 42 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 37 мОм (тип.), 42 мОм (макс.); Vgs 10 В, Id 33 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 / 4 / 5 В (мін. / тип. / макс.; Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (тип.; Vdd 480 В, Id 66 А, Vgs 0…10 В) |
| Розсіювана потужність Pd | 446 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C (робочий діапазон -55…150 °C) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 150 нс (тип.; Isd 66 А, di/dt 100 А/мкс, Vdd 60 В; 250 нс при Tj 150 °C) |
| Пряма напруга вбудованого діода Vsd | 1.6 В (макс.; Vgs 0 В, Isd 66 А) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TC4424 ( TC4424CPA ) , DIP8
Немає в наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Тип | Двоканальний неінвертувальний драйвер MOSFET |
| Напруга живлення VDD | 4,5–18 В (абсолютний максимум +22 В) |
| Піковий вихідний струм | 3 А (типово, TA 25 °C, VDD 4,5–18 В; максимум 5 А) |
| Вихідний опір низького рівня | 3,5 Ом (типово, IOUT 10 мА, VDD 18 В, TA 25 °C; максимум 5 Ом) |
| Вихідний опір високого рівня | 2,8 Ом (типово, IOUT 10 мА, VDD 18 В, TA 25 °C) |
| Час наростання | 23 нс (типово, CL 1800 пФ, TA 25 °C) |
| Час спаду | 25 нс (типово, CL 1800 пФ, TA 25 °C) |
| Вхідна напруга логічної 1 | 2,4 В мін. |
| Діапазон робочих температур | 0…+70 °C |
| Корпус | DIP8 |
IGBT-транзистор FGD4536 оригінал , D-PAK (360V,220A,125W)
Немає в наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга колектор–емітер Vces | 360 В (абсолютний максимум; BVCES при VGE 0 В, IC 250 мкА) |
| Імпульсний струм колектора | 220 А (Tc 25 °C, півсинусоїда, D<0,01, імпульс <1 с) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,59 В тип., 1,8 В макс. (IC 50 А, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) при 125 °C | 1,66 В (IC 50 А, VGE 15 В, Tc 125 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3,3 В тип., 2,4–4,0 В (IC 250 мкА, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 47 нКл (VCE 200 В, IC 20 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1295 пФ (VCE 30 В, VGE 0 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус (макс.) | 1,0 °C/Вт (IGBT) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Конденсатор металоплівковий змінної напруги 0,15 mkf-250 VAC (±10%) шаг 22,5 мм
Немає в наявності
26,32 ₴
Демонтаж
IGBT-транзистор GT30J124 ( 30J124 ) оригінал демонтаж б/в, TO220F ( GT30J122 , 30J122 )
Немає в наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (Ta = 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 30 А (Ta = 25 °C; імпульсний ICP 100 А, 1 мс) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В тип., 2,8 В макс. (IC = 50 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C) |
| Напруга відсікання VGE(off) | 3,0–6,0 В (IC = 50 мА, VCE = 5 В) |
| Час спаду tf | 0,25 мкс тип., 0,40 мкс макс. (IC = 50 А) |
| Потужність розсіювання Pc | 75 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема GM0765R ( FSGM0765R )
Немає в наявності
98,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | ШІМ-контролер з вбудованим високовольтним ключем (FPS) |
| Напруга пробою стік-витік BVDSS | 650 В (VCC = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 1,3 Ом тип., 1,6 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Піковий струм обмеження ILIM | 2,60 А (2,37–2,83 А, di/dt = 300 мА/мкс) |
| Частота перемикання | 66 кГц (60–72 кГц, VCC = 14 В, VFB = 4 В) |
| Робоча напруга живлення VCC | 13–23 В |
| Безперервний струм стоку ID | 6,4 А (TC = 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 45 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга ізоляції | 2,5 кВ |
| Корпус | TO-220F-6L |
Мікросхема RFRXD0420
Немає в наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Діапазон частот прийому | 300–450 МГц |
| Напруга живлення VCC | 2,5–5,5 В (до 400 МГц); 2,7–5,5 В (понад 400 МГц) |
| Струм споживання | 8,2 мА (тип., LNAGAIN = 0) |
| Струм у режимі очікування | менше 100 нА (ENRX = 0) |
| Максимальна швидкість даних | ASK 80 кбіт/с; FSK 40 кбіт/с (NRZ) |
| Проміжна частота | 455 кГц – 21,4 МГц |
| Діапазон RSSI | 70 дБ |
| Температурний діапазон | -40…+85 °C |
| Корпус | LQFP-32 |
| Кількість виводів | 32 |
Мікросхема PIC16F688 I SL
Немає в наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Напруга живлення | 2,0–5,5 В |
| Тактова частота | до 20 МГц (цикл команди 200 нс) |
| Пам'ять програм (Flash) | 4096 слів |
| Пам'ять даних (SRAM) | 256 байт |
| Пам'ять даних (EEPROM) | 256 байт |
| Лінії вводу-виводу | 12 |
| АЦП | 10 біт, 8 каналів |
| Струм у режимі сну | 1 нА (тип., VDD 2,0 В) |
| Температурний діапазон | -40…+85 °C (виконання -I) |
| Корпус | SOIC-14, 150 mil (код SL) |
| Кількість виводів | 14 |
Мікросхема ENC28J60 SP
Немає в наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Корпус | SPDIP-28 (код SP, Skinny Plastic DIP) |
| Кількість виводів | 28 |
| Напруга живлення VDD | 3,1–3,6 В (типово 3,3 В; входи толерантні до 5 В) |
| Частота SPI | до 20 МГц |
| Тактовий вхід | 25 МГц |
| Буфер пакетів | 8 Кбайт (двопортова SRAM для передачі та прийому) |
| Струм споживання при передачі пакетів | 160 (тип.), 180 (макс.) мА (VDD 3,30 В, FSCK 10 МГц, SO без навантаження, світлодіоди LEDA/LEDB відкриті, ECON2 = 0) |
| Струм споживання без передачі пакетів | 120 (тип.) мА (VDD 3,30 В, світлодіоди LEDA/LEDB відкриті, ECON2 = 0) |
| Температурний діапазон | -40…+85 °C (промисловий) |
Мікросхема AD8065A (AD8065)
Немає в наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Analog Devices |
| Діапазон напруги живлення | 5–24 В |
| Смуга пропускання за рівнем –3 дБ | 145 МГц (G = +1, Vo 0,2 В розмах, Vs ±12 В, Rl 1 кОм, Ta 25 °C) |
| Швидкість наростання | 180 В/мкс (G = +2, стрибок 4 В, Vs ±12 В, Rl 1 кОм, Ta 25 °C) |
| Час встановлення до 0,1 % | 55 нс (G = +2, стрибок 2 В, Vs ±12 В) |
| Шум за напругою на вході | 7 нВ/√Гц (f 10 кГц) |
| Напруга зміщення нуля Vos | 0,4 (тип.), 1,5 (макс.) мВ (Vcm 0 В, корпус SOIC, Vs ±12 В) |
| Вхідний струм зміщення | 3 (тип.), 7 (макс.) пА (корпус SOIC, Vs ±12 В, Ta 25 °C) |
| Струм споживання на підсилювач | 6,6 (тип.), 7,4 (макс.) мА (Vs ±12 В) |
| Робочий діапазон температур | –40…+85 °C |
Мікросхема SG6859 ( SG6859A ) , sot23-6
Немає в наявності
39,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | SOT23-6 |
| Максимальна напруга живлення Vdd | 30 В (абсолютний максимум) |
| Рекомендована напруга живлення Vdd | 22 В (максимум для нормальної роботи) |
| Робоча температура навколишнього середовища | –20…+85 °C |
| Струм запуску | 9 мкА |
| Робочий струм споживання | 3 мА (Vdd 15 В, затвор навантажений 1 нФ) |
| Частота ШІМ | 70 (65–75) кГц (Ri 95 кОм, Vdd 15 В, Ta 25 °C) |
| Максимальний коефіцієнт заповнення | 75 (70–80) % (Vdd 15 В, Io 20 мА) |
| Обмеження напруги на затворі | 17 В |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
Мікросхема IR2213S , sop-16
Немає в наявності
112,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Напруга плаваючого каналу Voffset | 1200 В (максимум) |
| Імпульсний струм виходу Io+ / Io– | 1,7 / 2 А мін. (типово 2,0 / 2,5 А; Vbias 15 В, Ta 25 °C, імпульс не більше 10 мкс) |
| Напруга живлення драйвера | 12–20 В |
| Напруга живлення логіки Vdd | 3,3–20 В (логіка сумісна з 3,3 В) |
| Затримка вмикання ton | 280 нс (типово; Vbias 15 В, Cl 1000 пФ, Vs 0 В, Ta 25 °C) |
| Затримка вимикання toff | 225 нс (типово; Vbias 15 В, Cl 1000 пФ, Vs 0 В, Ta 25 °C) |
| Розбіжність затримок каналів | 30 нс (максимум) |
| Виробник | Infineon |
Транзистор IRF1010NS оригінал , D2PAK
Немає в наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга стік–витік Vdss | 55 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 85 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C; обмеження корпусу 75 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 60 А (Vgs 10 В, Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 11 мОм (макс.; Vgs 10 В, Id 43 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл (макс.; Id 43 А, Vds 44 В, Vgs 10 В) |
| Розсіювана потужність Pd | 180 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C (робочий діапазон -55…+175 °C) |
| Пряма напруга вбудованого діода Vsd | 1.3 В (макс.; Tj 25 °C, Is 43 А, Vgs 0 В) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 69 нс (тип., макс. 100 нс; Tj 25 °C, If 43 А, di/dt 100 А/мкс) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж