Магазин
Транзистор R6015ANX оригінал , TO220F
Немає в наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 15 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 7.0 А |
| Опір Rds(on) тип. | 0.23 Ом (VGS = 10 В, ID = 7.5 А, Tj 25 °C; макс. 0.3 Ом) |
| Поріг Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 77 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема HT7536-1 ( 7536-1 ) , sot89
Немає в наявності
33,84 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Holtek |
| Вихідна напруга | 3,6 В (VIN = 5,6 В, IOUT = 10 мА, Ta 25 °C) |
| Максимальна вхідна напруга | 30 В |
| Вихідний струм | 100 мА (VIN = 5,6 В) |
| Падіння напруги (dropout) | 25 мВ (IOUT = 1 мА, зміна VOUT на 2 %) |
| Струм власного споживання | 2,5 мкА |
| Розсіювана потужність | 0,5 Вт (SOT-89, Ta 25 °C) |
| Робочий діапазон температур | –40…85 °C |
| Корпус | SOT-89 |
Мікросхема FA5760N ( FA5760 ) , so-16
Немає в наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Призначення | Контролер LLC-резонансного напівмостового перетворювача |
| Діапазон робочої частоти | 25–220 кГц |
| Напруга драйвера верхнього плеча | 630 В |
| Напруга пускового пристрою | 600 В |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | –0.3…+30 В (абсолютний максимум) |
| Напруга живлення VBS (макс.) | –0.3…+30 В (абсолютний максимум) |
| Вхідна напруга виводу VH | –0.3…+600 В (абсолютний максимум) |
| Допустима швидкість зміни зсуву живлення dV/dt | ±50 кВ/мкс (макс.) |
| Повні втрати | 0.83 Вт |
| Робоча температура переходу | –40…+150 °C |
| Корпус | SO-16 |
Транзистор APM4052D ( APM4052DU ) (40V,7.5A,6A) , TO252
Немає в наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N + P (комплементарна пара) |
| Напруга Vds (N-канал) | 40 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Напруга Vds (P-канал) | -40 В (VGS = 0 В, IDS = -250 мкА) |
| Струм Id (N-канал, Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Id (P-канал, Tc 25 °C) | -18 А |
| Опір Rds(on) (N-канал) | 30 мОм (VGS = 10 В, IDS = 7.5 А, Tj 25 °C) |
| Опір Rds(on) (P-канал) | 40 мОм (VGS = -10 В, IDS = -6 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252-4 (DPAK, 4 виводи) |
Мікросхема AD8008 ( AD8008AR , CSC8008 , SC8008 , MD8008 ) , so-8
Немає в наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Analog Devices |
| Кількість підсилювачів | 2 |
| Напруга живлення | 5–12 В |
| Макс. напруга живлення | 12.6 В (абсолютний максимум) |
| Смуга –3 дБ | 650 МГц (G=+1) |
| Швидкість наростання | 1000 В/мкс |
| Шум напруги на вході | 2.7 нВ/√Гц |
| Шум струму на вході (інвертуючий) | 22.5 пА/√Гц |
| Струм споживання на підсилювач | 9 мА (типово) |
| Напруга зміщення нуля | 0.5 мВ (типово) |
| 2-а гармоніка | –77 дБн (20 МГц) |
| 3-я гармоніка | –98 дБн (20 МГц) |
| Робоча температура | –40…+85 °C |
| Корпус | SO-8 |
Демонтаж
Мікросхема OB3353CP , so-8
Немає в наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | On-Bright (OB) |
| Призначення | LED-драйвер підсвітки LCD, струмовий PWM-контролер boost-перетворювача |
| Напруга живлення VIN | 9–30 В (рекомендований діапазон) |
| Макс. напруга VIN, GATE, OVP | 33 В (абсолютний максимум) |
| Робоча частота | 120 кГц (VIN 12 В, PWM 5 В, TA 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 95 % (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Опорна напруга підсилювача помилки | 400 мВ (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Поріг UVLO (вимкнення) | 8.3 В |
| Струм споживання | 2 мА (VIN 12 В, PWM 5 В, без навантаження) |
| Струм у режимі очікування | 130 мкА (PWM низький понад 50 мс) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура середовища | –40…85 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема CS8508E , so-8
Немає в наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | моноаудіопідсилювач 8 Вт, перемикання режимів AB/D |
| Робоча напруга живлення | 2,5–8,8 В |
| Максимальна напруга живлення | 9 В |
| Потужність, режим D, 4 Ом | 8,50 Вт (VDD 8,5 В, THD+N 10 %, f 1 кГц) |
| Потужність, режим D, 8 Ом | 4,20 Вт (VDD 8,5 В, THD+N 10 %) |
| Потужність, режим AB, 4 Ом | 8,00 Вт (VDD 8,5 В, THD+N 10 %) |
| Потужність, режим AB, 8 Ом | 4,00 Вт (VDD 8,5 В, THD+N 10 %) |
| ККД у режимі D | до 90 % |
| Частота перемикання | 750 кГц (VDD 2,5–8,8 В) |
| Корпус | ESOP-8 |
Транзистор STD12NM50N (550V,11A,0.38R) , D-PAK(Заміна для FDD8N50NZ )
Немає в наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, MDmesh II |
| Напруга Vds | 500 В (550 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 6,7 А |
| Опір Rds(on) | 0,29 Ом тип., 0,38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А; TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.) (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 340 нс (ISD = 11 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 100 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Мікросхема TC4422 , DIP8
Немає в наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Призначення | швидкий драйвер потужних MOSFET і IGBT з піковим струмом 9 А |
| Робоча напруга живлення | 4,5–18 В |
| Максимальна напруга живлення | 20 В |
| Піковий вихідний струм | 9,0 А (VDD 18 В) |
| Постійний вихідний струм | 2 А (макс.) |
| Час наростання | 60 нс (тип.; макс. 75 нс; CL 10 000 пФ, Ta 25 °C) |
| Час спаду | 60 нс (тип.; макс. 75 нс; CL 10 000 пФ, Ta 25 °C) |
| Затримка розповсюдження | 30–33 нс (тип.; макс. 60 нс; Ta 25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
Оптрон TCET1103 ( ET1103 ) , 4pin
Немає в наявності
11,28 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип виходу | фототранзистор |
| Коефіцієнт передачі струму CTR | 100–200 % (IF = 10 мА) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 70 В (Ic = 1 мА, мін.) |
| Струм колектора Ic | 50 мА (Tamb 25 °C) |
| Прямий струм LED If max | 60 мА (Tamb 25 °C) |
| Пряма напруга LED Vf | 1.25 В тип., 1.6 В макс. (IF = 50 мА) |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В діюче (1 хв) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.3 В макс. (IF = 10 мА, Ic = 1 мА) |
| Гранична частота fc | 110 кГц тип. (VCE = 5 В, IF = 10 мА, RL = 100 Ом) |
| Робоча температура | -40…+100 °C |
| Корпус | DIP-4 |
Оптрон PC123
Немає в наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототранзистор |
| Коефіцієнт передачі струму CTR | 50–400 % (IF 5 мА, VCE 5 В, Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 70 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Прямий струм LED If max | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Пряма напруга LED Vf | 1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF 20 мА |
| Напруга ізоляції Viso | 5 кВ (діюче, 1 хв, вологість 40–60 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.1 В (тип.), 0.2 В (макс.) при IF 20 мА, Ic 1 мА |
| Потужність Pd | 200 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -30…+100 °C |
| Корпус | DIP-4 |
Оптрон MOC3062
Немає в наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототріак з детектором переходу через нуль |
| Пікова блокуюча напруга Vdrm | 600 В |
| Струм спрацьовування LED Ift | 10 мА (макс., напруга на головних виводах 3 В) |
| Прямий струм LED If max | 60 мА (безперервний) |
| Пряма напруга LED Vf | 1.3 В (тип.), 1.5 В (макс.) при IF 30 мА, Ta 25 °C |
| Напруга ізоляції Viso | 7500 В (пік, 60 Гц, 1 с) |
| dv/dt | 600 В/мкс (мін.), 1500 В/мкс (тип.), статичний, Ta 25 °C |
| Напруга у відкритому стані Vtm | 1.8 В (тип.), 3 В (макс.) при ITM 100 мА |
| Струм утримання Ih | 250 мкА (тип., в обох напрямках) |
| Потужність Pd | 250 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон MOC3052
Немає в наявності
28,67 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототріак (triac driver) |
| Пікова блокуюча напруга Vdrm | 600 В (мін., Ta 25 °C) |
| Струм спрацьовування LED Ift | 10 мА (макс., напруга на головних виводах 3 В) |
| Прямий струм LED If max | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Пряма напруга LED Vf | 1.15 В (тип.), 1.5 В (макс.) при IF 20 мА |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (діюче, 1 хв, вологість 40–60 %) |
| dv/dt | 1000 В/мкс (мін., Vin 240 В діюче, статичний) |
| Напруга у відкритому стані Vtm | 1.7 В (тип.), 3.0 В (макс.) при ITM 100 мА (пік) |
| Повторюваний імпульсний струм Itsm | 1 А (PW 1 мс, 120 імп./с) |
| Робоча температура | -40…+100 °C |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон MOC3043 , DIP6
Немає в наявності
28,67 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототріак з детектором переходу через нуль |
| Напруга Vdrm | 400 В (Ta 25 °C) |
| Струм спрацьовування Ift | 5 мА макс. (VTM 3 В) |
| Прямий струм LED | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Пряма напруга LED Vf | 1,2 В тип., 1,4 В макс. (IF 20 мА) |
| Напруга Vtm | 3,0 В макс. (ITM 100 мА, пік) |
| Напруга блокування Vinh | 20 В макс. (IF = номінальний Ift) |
| Потужність Pd | 250 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -40…+100 °C |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон MOC3041
Немає в наявності
21,15 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фотосимістор з перемиканням у нулі напруги (zero cross) |
| Напруга Vdrm | 400 В мін. (IDRM 500 нА) |
| Струм спрацювання Ift | 15 мА макс. (VTM 3 В) |
| Ізоляційна напруга вхід–вихід | 5300 В ефект. (7500 В пікових; входи й виходи закорочені) |
| dV/dt | 600 В/мкс мін., 1500 В/мкс тип. |
| Макс. прямий струм діода | 50 мА (25 °C) |
| Імпульсний струм виходу | 1 А (PW 100 мкс, 120 імп./с) |
| Напруга Vtm | 3,0 В макс. (ITM 100 мА, імпульс) |
| Пряма напруга діода Vf | 1,2 В тип., 1,4 В макс. (IF 20 мА) |
| Напруга блокування | 20 В макс. (IF = номінальний Ift) |
| Робоча температура | -40…+100 °C |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон MOC3020
Немає в наявності
18,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фотосимістор (драйвер симістора) |
| Напруга Vdrm | 400 В мін. (Tamb 25 °C) |
| Струм спрацювання Ift | 30 мА макс. (напруга на головних виводах 3 В) |
| Ізоляційна напруга вхід–вихід | 5000 В (ефект.) |
| dV/dt | 1000 В/мкс мін. (Vin 240 В ефект., статичне) |
| Макс. прямий струм діода | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм виходу Itsm | 1 А (PW 1 мс, 120 імп./с) |
| Напруга Vtm | 1,7 В тип., 3,0 В макс. (ITM 100 мА, імпульс) |
| Пряма напруга діода Vf | 1,15 В тип., 1,5 В макс. (IF 20 мА) |
| Робоча температура | -40…+100 °C |
| Корпус | DIP-6 |
Оптрон H11D1
Немає в наявності
39,01 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP-6 |
| Тип виходу | фототранзистор з виводом бази |
| Vceo | 300 В (Tamb 25 °C, ICE 1 мА, RBE 1 МОм) |
| CTR | від 20 % (IF 10 мА, VCE 10 В) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (ефект., UL1577, t = 1 хв) |
| Прямий струм діода | 60 мА (Tamb 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 50 мА (Tamb 25 °C) |
| Vce(sat) | 0,25 В тип., 0,4 В макс. (IF 10 мА, IC 0,5 мА, RBE 1 МОм) |
| Пряма напруга Vf | 1,2 В тип., 1,5 В макс. (IF 10 мА) |
| Робоча температура | -55…+100 °C |
Оптрон CNY17-2
Немає в наявності
13,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Корпус | DIP-6 |
| Тип виходу | фототранзистор NPN з виводом бази |
| CTR | 63–125 % (VCE 5 В, IF 10 мА, Tamb 25 °C) |
| Напруга ізоляції | 5000 В (ефект., t = 1 хв) |
| Vceo | 70 В (Tamb 25 °C) |
| Прямий струм діода | 60 мА (Tamb 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 50 мА (постійний) |
| Vce(sat) | 0,25 В тип., 0,4 В макс. (IF 10 мА, IC 2,5 мА) |
| Потужність Pd | 250 мВт (Tamb 25 °C) |
| Робоча температура | -55…+110 °C |
Мікросхема YDA138-E ( YDA138 – EZ ) , smd
Немає в наявності
202,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | YAMAHA |
| Корпус | SSOP, 42 виводи |
| Вихідна потужність, 2 канали | 10 Вт × 2 (VDDP 12 В, RL 8 Ом, THD+N 10 %) |
| Вихідна потужність, 1 канал (міст) | 20 Вт (VDDP 12 В, RL 4 Ом, THD+N 10 %) |
| Потужність підсилювача навушників | 50 мВт × 2 (VDDP 12 В, RL 32 Ом, THD+N 10 %) |
| Напруга живлення | 9,0–13,5 В (номінально 12 В) |
| Коефіцієнт гармонік THD+N | 0,02 % (VDDP 12 В, RL 8 Ом, Po 1,0 Вт) |
| Частота несучої | 524 / 466 кГц (перемикається) |
| Допустима потужність розсіювання | 2,7 Вт (Ta 25 °C) |
Мікросхема XL4016E1 ( XL4016 ) оригінал, TO220
Немає в наявності
85,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | XLSEMI |
| Корпус | TO220-5 |
| Вхідна напруга Vin | 8–36 В (Ta 25 °C) |
| Вихідна напруга | 1,25–32 В |
| Вихідний струм | 12 А (Vin 20–36 В, Vout 5 В; при Vin 8–20 В і Vout 5 В – 9 А) |
| Частота перетворення | 180 кГц (144–216 кГц, Vin 24 В, Ta 25 °C) |
| Струм обмеження ключа | 14 А (VFB = 0 В, Vin 24 В) |
| Опір ключа PMOS | 40 мОм (тип.; макс. 50 мОм; VFB = 0 В, Vin 24 В, ISW 12 А) |
| Робоча температура переходу | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема XL4015E1 ( XL4015 ) , TO263-5
Немає в наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | XLSEMI |
| Корпус | TO263-5 |
| Вхідна напруга Vin | 8–36 В (абсолютний максимум –0,3…40 В) |
| Вихідна напруга | 1,25–32 В |
| Вихідний струм | 5 А |
| Частота перетворення | 180 кГц (144–216 кГц) |
| Струм обмеження ключа | 7 А (VFB = 0 В) |
| Опір ключа PMOS | 60 мОм (тип.; макс. 80 мОм; VFB = 0 В, Vin = 12 В, ISW = 5 А) |
| Робоча температура переходу | –40…125 °C |
Мікросхема VIPer26L оригінал, DIP7
Немає в наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга стоку V(BR)DSS | 800 В (IDRAIN = 1 мА, TJ = 25 °C) |
| Обмеження струму стоку | 0,7 А (мін. 0,66 / макс. 0,74 А; ILIM = –10 мкА, VCOMP = 3,3 В, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення (тип L) | 60 кГц (54–66 кГц, з джитером) |
| Напруга живлення VDD | 11,5–23,5 В (TJ –25…125 °C) |
| Споживання в режимі очікування | <50 мВт (265 В AC) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема VIPer20A ( VIPER20 ) , DIP8
Немає в наявності
82,25 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стік–витік VDSS | 700 В (ID = 1 мА, VCOMP = 0 В) |
| Струм силового ключа | 0,5 А |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 15,5 Ом (тип.; макс. 18 Ом; ID = 0,4 А, TJ = 25 °C) |
| Частота перетворення | до 200 кГц |
| Напруга живлення VDD | 0–15 В (абсолютний максимум) |
| Температура теплового відключення | 170 °C |
Демонтаж
Мікросхема VIPer17L ( VIPER17H ) демонтаж, DIP7
Немає в наявності
53,58 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Високовольтний імпульсний регулятор для flyback-перетворювача, ШІМ з керуванням по струму |
| Напруга стоку, макс. | 800 В (V(BR)DSS при IDRAIN 1 мА) |
| Робоча напруга живлення VDD | 8,5–23,5 В (TJ –25…125 °C) |
| Обмеження струму стоку | 0,4 А (мін. 0,38 / макс. 0,42 А; VDD 14 В, TJ –25…125 °C) |
| Частота перетворення, тип L | 60 кГц (54–66 кГц) |
| Частота перетворення, тип H | 115 кГц (103–127 кГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема VIPer12A , DIP8
Немає в наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Струмовий ШІМ-контролер і високовольтний силовий MOSFET на одному кристалі |
| Напруга стік–витік, пробивна | 730 В (ID 1 мА, VFB 2 В, мін.) |
| Обмеження піка струму стоку | 0.4 А (VFB 0 В, типово, 0.32–0.48 А) |
| Опір відкритого каналу rDS(on) | 27 Ом (ID 0.2 А, TJ 25 °C, типово, макс. 30 Ом) |
| Частота перетворення | 60 кГц (фіксована, 54–66 кГц у діапазоні TJ 0…100 °C) |
| Напруга живлення VDD | 9…38 В |
| Поріг захисту від перенапруги VDD | 42 В (типово, 38–46 В) |
| Температура зберігання | –55…150 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема ULN2803AG ( ULN2803A , ULN2803D ) , smd
Немає в наявності
30,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Збірка з 8 транзисторів Дарлінгтона з відкритим колектором і спільним емітером, з діодами захисту від індуктивних викидів |
| Кількість каналів | 8 пар Дарлінгтона |
| Напруга колектор–емітер, макс. | 50 В (високовольтні виходи) |
| Струм колектора, один вихід | 500 мА (на одну пару) |
| Напруга насичення VCE(sat) | 0.9 В (IC 100 мА, II 250 мкА, типово, TA 25 °C) |
| Пряма напруга захисного діода | 1.7 В (IF 350 мА, типово) |
| Робочий діапазон температури середовища | –30…+105 °C |
| Корпус | smd |
Мікросхема HT8693SP ( HT8693 ) , so-8
Немає в наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Моно підсилювач потужності звуку з перемиканням клас D / клас AB і функцією ACF |
| Вихідна потужність, клас D | 10 Вт (VDD 8.5 В, RL 4 Ом, THD+N 10 %) |
| Вихідна потужність, клас AB | 9 Вт (VDD 8.5 В, RL 4 Ом, THD+N 10 %) |
| Напруга живлення VDD (робоча) | 3…9.0 В |
| Напруга живлення VDD, макс. | 9.3 В |
| Робочий діапазон температури | –40…+85 °C |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Корпус | SOP8L-PP |
| Виробник | Jiaxing Heroic Elec Tech (HEROIC) |
Мікросхема UCC28051D ( 28051 ) , so-8
Немає в наявності
38,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер корекції коефіцієнта потужності (PFC) у режимі переходу |
| Поріг вмикання VCC (UVLO) | 12.5 В (типово) |
| Поріг вимикання VCC (UVLO) | 9.7 В (типово) |
| Напруга на вході VO_SNS (VREF) | 2.5 В (типово) |
| Піковий струм драйвера затвора | ±750 мА |
| Напруга живлення VCC, макс. | 20 В (внутрішнє обмеження) |
| Робочий діапазон температури | –40…+105 °C |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOIC-8 (D) |
| Виробник | Texas Instruments |
Мікросхема UC3906N , DIP
Немає в наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер зарядки герметичних свинцево-кислотних акумуляторів, три стани заряду |
| Напруга живлення +VIN, макс. | 40 В |
| Струм споживання | 1.6 мА (+VIN = 10 В, типово) |
| Поріг мінімальної напруги живлення | 4.5 В (типово) |
| Опорна напруга VREF | 2.3 В (TJ 25 °C, струм драйвера 1 мА, типово) |
| Струм драйвера | не менше 25 мА (абсолютний максимум 80 мА) |
| Розсіювана потужність | 1000 мВт (TA 25 °C) |
| Робочий діапазон температури середовища | 0…+70 °C |
| Корпус | DIP16 |
| Корпус (докладно) | DIP-16 (N) |
| Виробник | Texas Instruments (Unitrode) |
Мікросхема UC3854DW, sop-16
Немає в наявності
91,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Регулятор коефіцієнта потужності (PFC) |
| Виробник | Texas Instruments |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Корпус (докладно) | SOIC-16 (DW) |
| Макс. напруга живлення Vcc | 35 В |
| Робоча напруга живлення Vcc | 10–20 В |
| Поріг вмикання Vcc | 16 В (14,5–17,5 В; UC3854, TA 0–70 °C) |
| Опорна напруга Vref | 7,5 В (7,4–7,6 В; IREF 0 мА, TA 25 °C) |
| Частота генератора | 55 кГц (46–62 кГц; RSET 15 кОм, CT 1,5 нФ) |
| Піковий струм драйвера затвора | 1 А (10 нФ між виходом GTDRV і GND) |
| Макс. коефіцієнт заповнення драйвера | 95 % (VCAOUT 7 В) |
| Розсіювана потужність | 1 Вт |
| Робочий діапазон температур | 0–70 °C (UC3854) |
Мікросхема UC3846N оригінал, DIP16
Немає в наявності
110,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Виробник | Texas Instruments |
| Макс. напруга живлення | 40 В (вивід 15) |
| Піковий струм виходів (тотем) | 500 мА |
| Опорна напруга Vref | 5,10 В (5,00–5,20 В; UC3846, TJ 25 °C, IO 1 мА) |
| Частота генератора | 43 кГц (39–47 кГц; TJ 25 °C, RT 10 кОм, CT 4,7 нФ) |
| Макс. робоча частота | 500 кГц |
| Поріг вмикання UVLO | 7,7–8,0 В (гістерезис 0,75 В) |
| Струм споживання | 17 мА тип., макс. 21 мА (VIN 15 В) |
| Поріг обмеження струму | 0,5 В (0,45–0,55 В; VPIN3 = 0 В, VPIN4 = 0 В) |
| Робочий діапазон температур | 0–70 °C (UC3846) |
| Корпус | DIP16 |
| Корпус (докладно) | PDIP-16 (N) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UC3846DW ( SG3846DW ) , smd
Немає в наявності
82,25 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Виробник | Texas Instruments |
| Макс. напруга живлення | 40 В (вивід 15) |
| Піковий струм виходів (тотем) | 500 мА |
| Опорна напруга Vref | 5,10 В (5,00–5,20 В; UC3846, TJ 25 °C, IO 1 мА) |
| Частота генератора | 43 кГц (39–47 кГц; TJ 25 °C, RT 10 кОм, CT 4,7 нФ) |
| Макс. робоча частота | 500 кГц |
| Поріг вмикання UVLO | 7,7–8,0 В (гістерезис 0,75 В) |
| Струм споживання | 17 мА тип., макс. 21 мА (VIN 15 В) |
| Поріг обмеження струму | 0,5 В (0,45–0,55 В; VPIN3 = 0 В, VPIN4 = 0 В) |
| Робочий діапазон температур | 0–70 °C (UC3846) |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Корпус (докладно) | SOIC-16 (DW) |