Магазин
Транзистор G80H65DFB ( GWA80H65DFB , STGWA80H65DFB ) оригінал, TO247
Немає в наявності
423,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 120 А (обмежено корпусом) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,65 В (VGE 15 В, Ic 80 А, Tj 25 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 453 нКл (VCC 520 В, Ic 80 А, VGE 0–15 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 535 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий м’який |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BT15N120 оригінал, TO3P
Немає в наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 1200 В |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 15 А (Tc 100 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 5,3 В (Ic 15 мА, Vce = Vge, типове) |
| Заряд затвора Qg | 127 нКл (Vce 600 В, Ic 15 А, Vge 15 В, типове) |
| Вбудований діод | так |
| Пряма напруга діода Vf | 1,2 В (If 15 А, Tc 25 °C, типове) |
| Час відновлення діода trr | 326 нс (If 15 А, di/dt 200 А/мкс, Tc 25 °C, типове) |
| Потужність розсіювання Pd | 186 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема Power TNY180PN оригінал, DIP7
Немає в наявності
82,72 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP7 |
| Напруга вбудованого MOSFET | 650 В |
| Вихідна потужність, 230 В AC ±15 %, адаптер | 20 Вт (закритий адаптер, 50 °C) |
| Вихідна потужність, 230 В AC ±15 %, пікова або відкрита | 36,5 Вт |
| Вихідна потужність, 85–265 В AC, адаптер | 14 Вт (закритий адаптер, 50 °C) |
| Вихідна потужність, 85–265 В AC, пікова або відкрита | 28,5 Вт |
| Напруга на виводі BP/M | 5,85 В (саможивлення, без обмотки зміщення) |
| Споживання без навантаження | <150 мВт (265 В AC, без обмотки зміщення; <50 мВт з обмоткою) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Magna MDP15N60G оригінал, TO220
Немає в наявності
90,24 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 15 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 9.5 А |
| Rds(on) | 0.40 Ом (макс.), 0.34 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 7.5 А |
| Vgs(th) | від 3.0 до 5.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Qg | 49.0 нКл (тип.; Vds 480 В, Id 15 А, Vgs 10 В) |
| Потужність Pd | 231.4 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1.4 В при Is 15 А) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст D35SB100 (Заміна для D30SB100 )
Немає в наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LRC (Leshan Radio Company) |
| Конфігурація | однофазний мостовий, в одну лінію, скляна пасивація |
| Напруга Vrrm | 1000 В |
| Діюча напруга Vrms | 700 В |
| Напруга Vdc | 1000 В |
| Середній струм Io | 35 А (з радіатором, Tc 100 °C) |
| Середній струм Io (без радіатора) | 10 А (на платі, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ifsm | 400 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на номінальному навантаженні) |
| I2t | 660 А2с (t < 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1.05 В (If 17,5 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (Ta 25 °C, номінальна Vr) |
| Зворотний струм Ir (125 °C) | 500 мкА (Ta 125 °C, номінальна Vr) |
| Ізоляція Viso | 2.5 кВ (AC, 1 хв, 1 мА) |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 0.8 °C/Вт (на радіаторі Al, на гілку) |
| Температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | пластиковий, однорядний (SIP), 4 виводи |
Демонтаж
Транзистор IR IRGP4266D оригінал, TO247 б/в
Немає в наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 140 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 90 А (Tc 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(on) | 1,7 В (Vge 15 В, Ic 75 А, Tj 25 °C, типове) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 5,5–7,7 В (Vce = Vge, Ic 2,1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 140 нКл (Ic 75 А, Vge 15 В, Vcc 400 В, типове) |
| Час спаду tf | 60 нс (Ic 75 А, Vcc 400 В, Vge 15 В, Rg 10 Ом, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | так, надшвидкий з м’яким відновленням |
| Пряма напруга діода Vf | 2,1 В (If 75 А, Tj 25 °C, типове) |
| Час відновлення діода trr | 170 нс (Vcc 400 В, If 75 А, Vge 15 В, Rg 10 Ом, Tj 175 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 455 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор UTC UTC100N03L ( 100N03L , UT100N03 , 100N03 ) оригінал, TO220(заміна для MT3203 )
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 30 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 100 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 4.6 мОм (макс.), 3.6 мОм (тип.) при Vgs 10 В, Id 50 А |
| Vgs(th) | від 1.0 до 3.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Qg | 81 нКл (Vds 15 В, Vgs 5 В, Id 16 А) |
| Потужність Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор HY3408A ( HY3408 , HY3408P ) оригінал демонтаж,TO220
Немає в наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Напруга Vds | 85 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 140 А (на великому радіаторі) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 99 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 7,5 мОм макс., 6,3 мОм тип. (VGS 10 В, IDS 60 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0 В тип. (2,0–4,0 В; VDS = VGS, IDS 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 250 Вт (Tc 25 °C), 125 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є (VSD 0,8 В, макс. 1,2 В при ISD 70 А; trr 28 нс, Qrr 52 нКл) |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема SanKen STRW6051S оригінал
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F-6L |
| Напруга пробою VDSS | 650 В (мін.) |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 3.95 Ом (макс.; TA 25 °C) |
| Піковий струм стоку IDPEAK | 5.0 А (одиночний імпульс, TA 25 °C) |
| Енергія лавини EAS | 47 мДж (ILPEAK 2.0 А) |
| Потужність MOSFET PD1 | 22.3 Вт (з нескінченним радіатором; без радіатора 1.3 Вт) |
| Частота перемикання fOSC(AVG) | 67 кГц (типово, діапазон 60–74 кГц; TA 25 °C, VCC 18 В) |
| Макс. скважність DMAX | 71 % (типово, діапазон 63–79 %) |
| Напруга пуску VCC(ON) | 15.3 В (типово, діапазон 13.8–16.8 В) |
| Напруга вимкнення VCC(OFF) | 8.1 В (типово, діапазон 7.3–8.9 В) |
| Напруга VCC макс. | 32 В (Absolute maximum) |
| Вихідна потужність (відкрита рама) | 45 Вт (230 В AC; 30 Вт при 85–265 В AC; TA 50 °C) |
| Температура каналу Tch макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 6R199P ( IPP60R199CP ) оригінал демонтаж, TO220
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS 0 В, ID 250 мкА, мін.; 650 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 16 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 10 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,199 Ом макс., 0,18 Ом тип. (VGS 10 В, ID 9,9 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 43 нКл макс. (VDD 400 В, ID 9,9 А, VGS 0…10 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 139 Вт (TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В тип. (2,5–3,5 В; VDS = VGS, ID 0,66 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (VSD 0,9 В, макс. 1,2 В при IF 9,9 А) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема BTS441T ( BTS441TG ), оригінал демонтаж, TO263-5
Немає в наявності
160,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO263-5 |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 15 мОм (типово, макс. 20 мОм; IL 2 А, Vbb ≥ 7 В, Tj 25 °C) |
| RDS(on) при 150 °C | 28 мОм (типово, макс. 37 мОм; IL 2 А, Vbb ≥ 7 В, Tj 150 °C) |
| Робоча напруга Vbb(on) | 4.75–41 В (Tj –40…+150 °C) |
| Напруга живлення Vbb макс. | 43 В (Absolute maximum, Tj 25 °C) |
| Номінальний струм навантаження | 21 А (типово, мін. 17 А; ISO 10483-1, VON 0.5 В, TC 85 °C) |
| Обмеження струму IL(lim) | 65 А (типово при Tj 150 °C; макс. 85 А при –40 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 125 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Робоча температура Tj | –40…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Реле OMRON G5G-1A-12VDC ( G5G-1A , PCK-112D2M ) 12VDC (16A/250VAC)
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | OMRON |
| Контакти | 1 група, SPST-NO (1A, замикаючий) |
| Струм контактів | 16 А (250 В AC, номінальне навантаження) |
| Напруга комутації контактів | 250 В AC (при 16 А) |
| Макс. комутована потужність | 4000 ВА |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Струм котушки | 41,7 мА (12 В DC) |
| Опір котушки | 288 Ом (12 В DC) |
| Потужність котушки | прибл. 500 мВт |
| Час спрацювання | не більше 20 мс |
| Час відпускання | не більше 5 мс |
| Електрична міцність котушка–контакти | 5000 В AC (1 хв) |
| Робоча температура | –40…+70 °C (без обмерзання) |
Транзистор BTS112A , D2PAK
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення (TEMPFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 33 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,12 Ом тип., 0,15 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7,5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В (тип. 3,0 В; Vgs = Vds, Id 1 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Пряма напруга діода Vsd | 1,3 В тип., 1,6 В макс. (If 12 А, Vgs 0 В) |
| Корпус | D2PAK |
Мікросхема MAP3612 , so-16
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість каналів | 2 |
| Напруга живлення VCC | 8.5–18 В (робочий діапазон) |
| VCC, GATE, PWM, MODE, SEL макс. | 20 В (Absolute maximum) |
| Струм спокою IQ | 3.4 мА (типово; VCC 12 В, VPWM 5 В, VCS 0 В) |
| Аналогове димування VADIM | 0.5–3.0 В |
| Струм заряду затвора GATE1/2 | 400 мА (VGATE 0 В, VCC 12 В) |
| Струм розряду затвора GATE1/2 | 800 мА (VGATE = VCC = 12 В, CGATE 1 нФ) |
| Макс. скважність | 97 % |
| Поріг UVLO | 8.0 В (типово, діапазон 7.5–8.5 В) |
| Робоча температура TA | –40…+85 °C |
Мікросхема DNP015 ( DNP015NA ) , DIP8
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor (onsemi) |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга пробою BVDSS | 700 В (мін.; VGS 0 В, ID 250 мкА, TJ 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку IDM | 12 А (Absolute maximum) |
| Потужність розсіювання PD | 1.55 Вт (TA ≤ 50 °C) |
| Частота перетворення fOSC | 100 кГц (типово, діапазон 94–106 кГц; у режимі Green 23 кГц) |
| Макс. скважність | 80 % |
| Поріг обмеження струму | 1.00 А (типово, діапазон 0.85–1.15 А; Duty > 40 %) |
| Напруга пуску UVLO VDD-ON | 12 В (типово, діапазон 11–13 В; VDD 15 В, TA 25 °C) |
| Напруга живлення VDD макс. | 30 В (Absolute maximum) |
| Робочий діапазон температур | –40…+105 °C |
| Тепловий опір θJA | 81 °C/Вт |
Мікросхема EG3013 ( EG3013S ), so-8
Немає в наявності
40,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення Vcc | 4.5–30 В (типово 15 В, TA 25 °C) |
| Vcc макс. | 35 В (TA 25 °C) |
| Напруга VB (bootstrap) макс. | 100 В (Absolute maximum, TA 25 °C) |
| Струм спокою Icc | 4.5 мА (типово, макс. 6 мА; Vcc 15 В, входи не підключені) |
| Вихідний струм IO– | 1 А (типово, мін. 0.8 А) |
| Мертвий час | 120 нс (типово, діапазон 80–400 нс; CL 0) |
| Робоча температура TA | –45…85 °C |
| Температура зберігання | –65…125 °C |
Діод MUR2020CT оригінал , TO220-3pin (20A,200V)
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm | 200 В (Tc 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) на діод | 10 А (Tc 25 °C; 20 А на обидва діоди) |
| Повторюваний піковий струм Ifrm | 15 А |
| Неповторюваний піковий струм Ifsm | 120 А (на один діод) |
| Пряма напруга Vf | 1.0 В (If 10 А, Tc 25 °C, макс.; типово 0,93) |
| Час зворотного відновлення trr | 35 нс (Vr 30 В, If 1 А, dI/dt 50 А/мкс, макс.; типово 23) |
| Робочий діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Конфігурація | два діоди в корпусі (2×10 А) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TNY264GN , SMD8B
Немає в наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Off-line перетворювач TinySwitch-II з керуванням ON/OFF |
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга DRAIN, макс. допустима | 700 В (від -0,3 В; абсолютний максимум) |
| Струм обмеження ILIMIT | 250 мА типово (мін. 233, макс. 267; Tj 25 °C; di/dt = 50 мА/мс) |
| Піковий струм DRAIN, макс. | 400 мА (абсолютний максимум) |
| Опір відкритого ключа RDS(on) | 28 Ом типово (макс. 32 Ом; ID = 25 мА; Tj 25 °C) |
| Частота перетворення | 132 кГц середня (мін. 124, макс. 140; Tj 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 65 % (мін. 62, макс. 68) |
| Вихідна потужність | 5,5 Вт (адаптер, 230 В AC ±15 %) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 70 °C/Вт (корпус P або G, мідь 232 мм2) |
| Корпус | SMD-8B (G package) |
IGBT-транзистор H40R1353 ( IHW40N135R3 ) , TO247
Немає в наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vce | 1350 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А (Tc 25 °C, обмежено Tvj max) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А (Tc 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,65 В (Vge 15 В, Ic 40 А, Tvj 25 °C, типове) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 5,8 В (Ic 1 мА, Vce = Vge, типове) |
| Заряд затвора Qg | 365 нКл (Vcc 1080 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Час спаду tf | 43 нс (Tvj 25 °C, Vcc 600 В, Ic 40 А, Vge 0/15 В, Rg 7,5 Ом) |
| Вбудований діод | так, монолітний, для м’якої комутації |
| Пряма напруга діода Vf | 1,65 В (If 40 А, Vge 0 В, Tvj 25 °C, типове) |
| Потужність розсіювання Ptot | 429 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
Демонтаж
Мікросхема MA8910 оригінал демонтаж
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TDA2822M ( Заміна для D2822A , KA2209 ) , DIP8
Немає в наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Двоканальний підсилювач потужності, стерео або мостове вмикання |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення | 1,8–15 В (Vs = 6 В; Tamb 25 °C) |
| Напруга живлення, макс. допустима | 15 В (абсолютний максимум) |
| Піковий вихідний струм | 1 А (абсолютний максимум) |
| Повна розсіювана потужність | 1 Вт (Tamb = 50 °C; 1,4 Вт при Tcase = 50 °C) |
| Струм спокою | 6 мА типово (макс. 9 мА; Vs = 6 В; Tamb 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення (стерео) | 39 дБ типово (мін. 36, макс. 41; f = 1 кГц; Vs = 6 В) |
| Вхідний опір | 100 кОм мін. (f = 1 кГц) |
| Температура зберігання і переходу | -40…150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 100 °C/Вт макс. |
| Корпус | DIP-8 (8 виводів, Minidip) |
Електролітичний конденсатор 2200uF 50V 105C ( 2200мкФ 50В 105град , 2200*50*105гр ) chong 16*25мм
Немає в наявності
38,07 ₴
Термостат KSD301-140H 10А 140°C, контакти нормально замкнуті з руховим фланцем
Немає в наявності
42,30 ₴
Термостат KSD301-90H 10А 90°C, контакти нормально замкнуті з руховим фланцем
Немає в наявності
42,30 ₴
Термостат KSD301-90H 10А 90°C, контакти нормально розімкнені з руховим фланцем
Немає в наявності
56,40 ₴
Термостат KSD301-80H 10А 80°C, контакти нормально розімкнені з руховим фланцем
Немає в наявності
56,40 ₴
