Польові транзистори
Транзистор STD13N60M2 ( ST13N60M2 , 13N60M2 ) оригінал, D-PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Серія | MDmesh M2 |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (25 °C) | 11 А при TC = 25 °C |
| Струм Id (100 °C) | 7 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | 350 мОм тип., 380 мОм макс. при VGS = 10 В, ID = 5,5 А |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 580 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 110 Вт при TC = 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STD13NM60N ( 13NM60N , ST13NM60N ) оригінал, D-PAK
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N-канал, MDmesh II |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0, ID = 1 мА; 650 В при Tjmax) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 11 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6.93 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.28 Ом тип., 0.36 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 90 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 230 нс (тип.) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STD1NK80Z ( D1NK8 ) оригінал (800V,1A,13R) , D-PAK(Заміна для 2SK3850 )
В наявності
51,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, SuperMESH, із захисним стабілітроном |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 800 В (VGS=0 В, ID=1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 1 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 0,63 А |
| Імпульсний струм стоку | 5 А |
| Опір Rds(on) (тип. / макс.) | 13 / 16 Ом (VGS=10 В, ID=0,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4,5 В (ID=50 мкА) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STF26NM60N ( 26NM60N , ST26NM60N , ST26N60M2 ) оригінал (Заміна для STF25NM60N , STF21NM60N ), TO220F
В наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12,6 А |
| Rds(on) | 165 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Qg | 60 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 35 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STF33N60M2 ( 33N60M2 ) оригінал, TO220F
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Струм Id (TC 25 °C) | 26 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 16 А |
| Rds(on) | 108 мОм тип., 125 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 13 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 45.5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1781 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 35 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STF3NK80Z ( F3NK80Z ) оригінал ( Заміна для FQPF3N80C , FQPF3N80 ), TO220F
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік Vds | 800 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 2,5 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 1,57 А (TC 100 °C) |
| Опір каналу Rds(on) | 4,5 Ом макс., типово 3,6 Ом (VGS = 10 В, ID = 1,25 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4,5 В (типово 3,75 В; VDS = VGS, ID = 50 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл типово (VDD = 640 В, ID = 2,5 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 485 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 25 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга ізоляції Viso | 2,5 кВ (RMS, t = 1 с, TC 25 °C) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STF40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал демонтаж (заміна для SI28S60F , SIHF28N60EF, STF28NM60ND ) , TO220F
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 34 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 22 А |
| Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 17 А) | 0.088 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 57 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot (25 °C) | 40 Вт |
| Корпус | TO-220F |
| Маркування | 40N60M2 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STF5N52U ( 5N52U ) оригінал, TO-220F
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 525 В мін. (VGS 0 В, ID 1 мА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 4.4 А (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 2.8 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 1.25 Ом тип., 1.50 Ом макс. (VGS 10 В, ID 2.2 А) |
| Заряд затвора Qg | 16.9 нКл (VDD 416 В, ID 4.4 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 529 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3–4.5 В, тип. 3.75 В (VDS = VGS, ID 50 мкА) |
| Потужність Pd | 25 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STK1820 ( STK1820F , SMK1820 ) оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Kodenshi AUK |
| Напруга Vds | 200 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 8,6 А |
| Опір Rds(on) (тип. / макс.) | 0,14 / 0,17 Ом (VGS=10 В, ID=9 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 840 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STM8309 (30V,7A,-6A,2W) , so-8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SamHop |
| Тип каналу | N + P (дві окремі секції) |
| Напруга Vds | 30 В (N) / -30 В (P) |
| Струм стоку Id (TJ = 25 °C) | 7 А (N) / -6 А (P) |
| Опір Rds(on) N-канал (VGS = 10 В, ID = 7 А, макс.) | 23 мОм |
| Опір Rds(on) P-канал (VGS = -10 В, ID = -5 А, макс.) | 35 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) N-канал | 1.0–3.0 В |
| Заряд затвора Qg N-канал (тип.) | 11 нКл |
| Заряд затвора Qg P-канал (тип.) | 15 нКл |
| Потужність Pd (TA = 25 °C) | 2.0 Вт |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор STN1NK60Z , sot223
В наявності
23,03 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (TA = 25 °C) | 0.3 А |
| Струм стоку Id (TA = 100 °C) | 0.2 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 0.3 А, макс.) | 15 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 4.9 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 94 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot (TA = 25 °C) | 3.3 Вт |
| Корпус | SOT-223 |
Транзистор STN4NF20L ( 4NF20L ) оригінал ( заміна для MDHT4N20Y ) , sot223
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 1 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 0.63 А |
| Опір Rds(on) | 1.5 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1–3 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 3.3 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | -55…150 °C |
| Корпус | SOT-223 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP10NK60Z ( P10NK60Z ) оригінал ( заміна для FDP10N60NZ , BUZ91A , BUZ91 ), TO-220
В наявності
86,48 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 5.7 А |
| Опір Rds(on) | 0.68 Ом тип., 0.75 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл тип., 70 нКл макс. (Vdd 480 В, Id 8 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1370 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.00–4.50 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 115 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP10NK60ZFP оригінал, TO-220F(заміна для STP9NK60ZFP )
В наявності
64,39 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, SuperMESH, із захисним стабілітроном затвор-витік |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (ID = 250 мкА, VGS = 0, мін.) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 10 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 5.7 А |
| Rds(on) | 0.65 Ом тип., 0.75 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл тип., 70 нКл макс. (VDD = 480 В, ID = 8 А, VGS = 10 В) |
| Vgs(th) | 3 В мін., 3.75 В тип., 4.5 В макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±30 В (абсолютний максимум) |
| Потужність Pd | 35 Вт (TC = 25 °C) |
| Ізоляція Viso | 2500 В |
| Ємність Ciss | 1370 пФ (VDS = 25 В, f = 1 МГц, VGS = 0) |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220FP (у назві товару: TO-220F) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP10NK80ZFP , TO-220F (Заміна для STP5NK80ZFP )
В наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, SuperMESH, із захисним стабілітроном затвор-витік |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 800 В (ID = 1 мА, VGS = 0, мін.) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 9 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 6 А |
| Rds(on) | 0.78 Ом тип., 0.9 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл (VDD = 640 В, ID = 9 А, VGS = 10 В) |
| Vgs(th) | 3 В мін., 3.75 В тип., 4.5 В макс. (VDS = VGS, ID = 100 мкА) |
| Напруга Vgs | ±30 В (абсолютний максимум) |
| Потужність Pd | 40 Вт (TC = 25 °C) |
| Ізоляція Viso | 2500 В (DC) |
| Ємність Ciss | 2180 пФ (VDS = 25 В, f = 1 МГц, VGS = 0) |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220FP (у назві товару: TO-220F) |
Транзистор STP110N8F6 ( 110N8F6 ) оригінал, TO220
В наявності
68,62 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, STripFET F6 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0, ID = 1 мА) |
| Струм Id (25 °C) | 110 А (TC 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 85 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 0,0056 Ом типово (VGS 10 В, ID 55 А) |
| Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 150 нКл типово (VDD 40 В, ID 110 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 9130 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP11NK50Z ( P11NK50Z ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, SuperMESH |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 10 А (TC=25 °C), 6,3 А (TC=100 °C) |
| Rds(on) | макс. 520 мОм, тип. 470 мОм (VGS=10 В, ID=4,5 А) |
| Qg | тип. 49 нКл (VDD=400 В, ID=11,4 А, VGS=0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1390 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 125 Вт (TC=25 °C) |
| Vgs(th) | 3–4,5 В (VDS=VGS, ID=100 мкА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STP12NM50 ( P12NM50 ) оригінал демонтаж , TO-220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, TC 25 °C) |
| Струм Id | 12 А при TC 25 °C; 7.5 А при TC 100 °C |
| Опір Rds(on) | 300 мОм (тип.), 350 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 6 А |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл (тип.) при VDD = 400 В, ID = 12 А |
| Вхідна ємність Ciss | 1000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 3–5 В (тип. 4 В) при ID = 50 мкА |
| Потужність Ptot | 160 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STP13NK60ZFP оригінал демонтаж , TO-220F
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм Id при Tc 25 °C | 13 А |
| Струм Id при Tc 100 °C | 8.2 А |
| Rds(on) | 0.48 Ом типово, 0.55 Ом максимум (Vgs 10 В, Id 4.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл типово, 92 нКл максимум (Vdd 480 В, Id 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2030 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–4.5 В (Vds = Vgs, Id 100 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 35 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Макс. напруга Vgs | ±30 В |
| Ізоляція виводів від радіатора | 2.5 кВ RMS, t = 1 с, Tc 25 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STP140NF55 ( P140NF55 ) оригінал , TO-220
В наявності
136,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, STripFET II |
| Напруга Vds | 55 В (Vgs 0) |
| Струм стоку Id | 80 А (Tc 25 °C, обмежено корпусом) |
| Імпульсний струм Idm | 320 А |
| Опір Rds(on) | 6,5 мОм тип., 8 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 40 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 142 нКл (Vdd 44 В, Id 80 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу | від –55 до 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP14NK60ZFP оригінал, TO-220F
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, SuperMESH, із захисним стабілітроном затвор-витік |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (ID = 1 мА, VGS = 0, мін.) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 13.5 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 8.5 А |
| Rds(on) | 0.45 Ом тип., 0.5 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (VDD = 480 В, ID = 12 А, VGS = 10 В) |
| Vgs(th) | 3 В мін., 3.75 В тип., 4.5 В макс. (VDS = VGS, ID = 100 мкА) |
| Напруга Vgs | ±30 В (абсолютний максимум) |
| Потужність Pd | 40 Вт (TC = 25 °C) |
| Ізоляція Viso | 2500 В (RMS) |
| Ємність Ciss | 2220 пФ (VDS = 25 В, f = 1 МГц, VGS = 0) |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220FP (у назві товару: TO-220F) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP15810 ( 15810 ) оригінал, TO220
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (STripFET F7) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 110 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,0036 Ом тип. / 0,0042 Ом макс. (VGS 10 В, ID 55 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл (VDD 55 В, ID 90 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 8115 пФ (Vds 55 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP1806 ( P1806 ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 50 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 35 А |
| Опір Rds(on) | 15 мОм тип., 18 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 27,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 44.5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1530 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В тип. |
| Потужність розсіювання Pd | 110 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP24NF10 оригінал (100V,24A,85W)
В наявності
45,59 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 26 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 18 А |
| Опір Rds(on) | 55 мОм тип., 60 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 30 нКл тип., 41 нКл макс. (Vdd 80 В, Id 24 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 870 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 85 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP25NM60N ( P25NM60N ) оригінал, TO220
В наявності
183,77 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Серія | MDmesh II |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Струм стоку Id | 21 А (Tc 25 °C), 13 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.130 Ом тип., 0.160 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10.5 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 84 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність розсіювання Pd | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STP26NM60N ( 26NM60N ) оригінал демонтаж, TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 12.6 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 10 А) | 135 мОм тип., 165 мОм макс. |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 140 Вт |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STP3NC60FP оригінал , TO220F
В наявності
26,32 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Струм Id | 2 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 3.3 Ом тип., 3.6 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 1.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 13 нКл тип., 18.2 нКл макс. (Vdd 480 В, Id 3 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP4NK60ZFP оригінал (600V 4A 25W) ( 2D0N60F , FQPF2N60C )
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Струм Id | 4 А (Tc 25 °C), 2.5 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1.7 Ом тип., 2 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 2 А) |
| Заряд затвора Qg | 18.8 нКл тип., 26 нКл макс. (Vdd 480 В, Id 4 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 510 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3–4.5 В (Id 50 мкА) |
| Потужність Pd | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP55NF06 оригінал (60V,50A,0.017R) , TO220
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 60 В (Vgs 0 В) |
| Струм Id | 50 А (Tc 25 °C), 35 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.015 Ом тип., 0.018 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 27.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 44.5 нКл тип., 60 нКл макс. (Vdd 48 В, Id 55 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 110 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP5NK60ZFP оригінал
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм Id | 5 А при TC = 25 °C; 3.16 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | 1.2 Ом тип., 1.6 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 26 нКл тип., 34 нКл макс. (VDD = 400 В, ID = 5 А, VGS = 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 690 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–4.5 В (VDS = VGS, ID = 50 мкА) |
| Потужність Pd | 25 Вт при TC = 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP60NF06 ( P60NF06 ) оригінал (60V,60A), TO220
В наявності
91,18 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Технологія | STripFET |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 60 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 42 А |
| Rds(on) | 0.014 Ом (тип., VGS=10 В, ID=30 А) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (тип., VDD=30 В, ID=60 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1660 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 110 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STP75NF75 ( P75NF75 ) оригінал демонтаж, TO220
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 75 В (Vgs = 0) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А (обмежено корпусом) |
| Струм Id (100 °C) | 70 А |
| Опір Rds(on) | 0,0095 Ом тип., 0,011 Ом макс. (Vgs = 10 В, Id = 40 А) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл тип., 160 нКл макс. (Vdd = 60 В, Id = 80 А, Vgs = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STP75NF75 ( P75NF75 ) оригінал, TO220
В наявності
64,86 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, STripFET II |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 75 В (VGS = 0) |
| Струм Id | 80 А (Tc 25 °C), 70 А (Tc 100 °C), обмежено корпусом |
| Rds(on) | 0,0095 Ом тип., 0,011 Ом макс. (VGS 10 В, ID 40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл тип. (VDD 60 В, ID 80 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP7NK80ZFP оригінал (800V,7A)
В наявності
88,83 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 800 В (Vgs = 0) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 5,2 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 3,3 А |
| Імпульсний струм Idm | 20,8 А |
| Опір Rds(on) | 1,5 Ом тип., 1,8 Ом макс. (Vgs = 10 В, Id = 2,6 А) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип., 56 нКл макс. (Vdd = 640 В, Id = 5,2 А, Vgs = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1138 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 / 3,75 / 4,5 В (мін. / тип. / макс.) при Vds = Vgs, Id = 100 мкА |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 30 Вт |
| Тепловий опір перехід–корпус (макс.) | 4,2 °C/Вт |
| Ізоляція Viso | 2500 В (RMS), t = 1 с, TC = 25 °C |
| ESD затвор-витік | 4000 В (HBM) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STP80NE06 ( P80NE06 , STP80NE06-10 ) оригінал демонтаж, TO220
В наявності
74,73 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А |
| Струм Id (100 °C) | 57 А |
| Rds(on) | 8,5 мОм тип., 10 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 140 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 7600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STP80NF55 ( P80NF55 , 80NF55 ) оригінал, TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 55 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А (обмежено корпусом) |
| Струм Id (100 °C) | 80 А (обмежено корпусом) |
| Rds(on) тип. / макс. | 5 / 6.5 мОм (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Заряд затвора Qg | 142 нКл, макс. 189 нКл (VDD = 44 В, ID = 80 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) мін. / тип. / макс. | 2 / 3 / 4 В (ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP80NF70 ( 80NF70 ) оригінал(заміна для STP80NF06 ), TO220
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0) |
| Струм Id | 98 А (TC 25 °C); 68 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 392 А |
| Rds(on) | 8,2 мОм, макс. 9,8 мОм (VGS 10 В, ID 40 А, TC 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (VDD 34 В, ID 80 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 190 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | від –55 до 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |