Стан
Корпус
- 10-SIP-H/S 1
- 14 pin SMD 1
- 220-7H 3
- 24 виводи 1
- 28 pin 1
- 28-SOP-375 1
- 5 виводів 4
- 5-вивідний TO-3P 3
- 52P4B, 52 виводи 1
- 9-SIP 12
- 9-SIP (L-forming) 2
- 9-SIPH 1
- Clipwatt15 2
- Clipwatt19 1
- D2PAK 4
- D2PAK 7 Pin 4
- DBS13P (SOT141-6) 3
- DBS17P 7
- DBS23P 2
- DBS37P, SOT725-1 1
- DBS7P 3
- DBS9MPF (SOT111-1) 9
- DBS9P (SOT523-1) 4
- DFN-10 1
- DIP 4
- DIP-14H 1
- DIP-18 4
- DIP-20 7
- DIP-24 (пластик) 1
- DIP-28 (SOT117) 3
- DIP10 (SDIP-10C) 1
- DIP14 23
- DIP16 42
- DIP16 Batwing 1
- DIP28 вузький 2
- DIP54S (600 mil) 1
- DIP7 71
- DIP8 185
- DUB8 2
- eDIP-12 5
- eSIP-7C 3
- eSIP-7C (E package) 1
- eSOP-12 1
- eSOP-12B (K package) 3
- ESOP-8 24
- ESOP16L, 16 виводів 2
- eTSSOP-24 2
- eTSSOP20 1
- Flexiwatt25 10
- Flexiwatt27 3
- FZIP25 1
- HEPTAWATT 11
- HSIP012 (12 виводів) 5
- HSIP9 3
- HSOP20 1
- HSOP28 5
- HZIP12 2
- HZIP15, 15 виводів 3
- HZIP15J, 15 виводів 1
- HZIP25, 25 виводів 5
- HZIP25B, 25 виводів 1
- HZIP27 1
- LQFP-32 1
- LQFP48 3
- LQFP64 5
- M type, 3 виводи 1
- Multiwatt11 6
- MULTIWATT15 15
- Multiwatt8 2
- Pentawatt, 5 виводів 6
- PG-DSO-12 (smd) 1
- PowerDIP16 (12+2+2) 1
- POWERDIP8 (DIP-8) 3
- PowerSO36 1
- PowerSSO-36 4
- QFN-24 1
- QFN-38 (38 Ld QFN) 1
- QFN-40 4
- QFN39 (6 × 6 мм) 1
- QFN4x4-32 1
- QFN70 1
- QFP-48 2
- QFP64 2
- QLP-48, 7x7 мм 1
- S-DIP, 64 виводи 8
- SC70-6 4
- SDIP-28 1
- SDIP22 1
- SDIP24 1
- SDIP32 2
- SDIP36-P-500-1.78 1
- SDIP42 3
- SDIP52 9
- SDIP54-P-600-1.78 1
- SDIP56-P-600-1.78 9
- SIL-9 (SOT110B) 13
- SIL9P (SOT131-2) 4
- SIP-10H 2
- SIP-12 4
- SIP-7 1
- SIP10F, 10 виводів 1
- SIP10FD, 10 виводів 2
- SIP12S, 12 виводів 2
- SIP13H (13 виводів) 6
- SIP22 (22 виводи) 1
- SIP5H 1
- SIP7H (7 виводів) 6
- SIP8 1
- smd 7
- smd 7-LSOP 1
- smd 8 pin 3
- SMD-8C 1
- SMD, 16 виводів 1
- SO-14 25
- SO-16 71
- SO-20 12
- SO-6 (розтягнутий) 4
- SO-8 212
- SO10-150 1
- soc6 (soj6) 1
- SOIC (smd) 1
- SOIC-16 (wide body) 14
- SOIC-8 208 mil 7
- SOP-16P 1
- SOP-18 4
- SOP-24 5
- SOP-26 1
- SOP-28 13
- SOP-7 25
- SOP16L 1
- SOP8 (також DIP8) 1
- SOT-223 11
- SOT-89 2
- SOT23-5 10
- SOT23-6 20
- SOT89-5 1
- SOW-8-300mil 3
- SOW6 3
- SP-23TE, 23 виводи 1
- SSOP-10 (R10) 1
- SSOP-16 1
- SSOP-20 3
- SSOP-28 3
- SSOP-48 1
- SSOP-A32 2
- SSOP-B20 1
- SSOP-B28 2
- SZIP21 1
- TO-220 24
- TO-220-7 1
- TO-220-A1 1
- TO-220, 11 виводів 3
- TO-220, 15 виводів 2
- TO-220, 9 виводів 2
- TO-220F 8
- TO-220F-4L 7
- TO-220F-5L 3
- TO-220F-6L 11
- TO-220F-7 3
- TO-252 (D-PAK) 8
- TO-3P, 7 виводів 1
- TO-3PF-7L 1
- TO-3PF, 5 виводів 2
- TO-92 9
- TO220-4 2
- TO220-5 8
- TO220-6 4
- TO252-5L 7
- TO263-5 5
- TP-5H, 5 виводів 1
- TQFP-48 3
- TSOT-23-8 1
- TSSOP-14 (PW) 2
- TSSOP-16 2
- TSSOP-20 1
- TSSOP-24 2
- TSSOP-28 EP 5
- TSSOP28 4
- TSSOP40 (HTSSOP-B40) 1
- TSSOP8 1
- WB SOIC-14 (широкий) 1
- ZIP, 13 виводів 1
Категорії товарів
- TVS-діоди (супресори) (захисні діоди) 52
- Випромінювачі звуку, бузери, buzzer, зумери 3
- Вольтметри цифрові 17
- Вольтметри-амперметри цифрові 1
- Геркони 2
- Діністори 3
- Діоди 154
- Діоди Шоттки 52
- Діодні мости 40
- Електретні мікрофони 3
- Запобіжники 46
- Запчастини для мікрохвильових печей 20
- Інвертори універсальні 3
- Індуктивні елементи 33
- Кварци 29
- Керамічні резонатори 4
- Кнопки мережеві 16
- Конденсатори 487
- Макетні плати 6
- Мікроперемикачі 1
- Мікросхеми 1978
- Оптореле (твердотільні реле) 2
- Оптрони 56
- Панельки під мікросхеми 17
- Процесори для кінескопних ТВ 122
- Резистори 608
- Реле 77
- Різне 37
- Розрядники 2
- Світлодіоди 126
- Сімістори 66
- Стабілітрони 83
- Стабілітрони SMD SOD-80 0.5W 25
- Тактові кнопки 31
- Термозапобіжники 61
- Термостати 47
- Тиристори 22
- Транзистори 1782
- Трансформатори інверторів 17
- Трансформатори рядкові (ТДКС, FBT) 123
- Тюнери для кінескопних ТВ 84
- Фільтри 3
- Фотоприймачі 2
Ціна
Наявність
Мікросхеми
ШІМ-контролери, стабілізатори напруги, понижувальні DC/DC перетворювачі, підсилювачі потужності НЧ та інші мікросхеми – нові й з демонтажу.
Pai8233C ( PAI8233C-WR ) оригінальна мікросхема
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | 2Pai Semi |
| Кількість каналів | 2 |
| Піковий струм виходу, джерело | 4 А (версія Pai8233) |
| Піковий струм виходу, втікання | 8 А (версія Pai8233) |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (ефект.), WB SOIC-14, UL 1577, 1 хв |
| Робоча напруга ізоляції | 1200 В (пост.) |
| CMTI | 100 кВ/мкс |
| Затримка поширення | 19 нс (тип.), 30 нс (макс.) |
| Макс. частота | 5 МГц |
| Живлення VCCI | 3…5,5 В |
| Живлення VDDA / VDDB (макс.) | 25 В |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | WB SOIC-14 (широкий) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG1164 оригінал, so-16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення VCC | 4–20 В |
| Напруга VB (гранично допустима) | 600 В |
| Діапазон частоти | 0–300 кГц |
| Частота генератора | 67 кГц (Cp 270 пФ) |
| Вихід REF3.3V | 3,2 В (VCC 12 В) |
| Опорна напруга FB | 1,2 В |
| Максимальний коефіцієнт заповнення | 90 % |
| Мертвий час | 200 нс |
| Струм драйвера (виток) | 1,8 А (Vo 0 В) |
| Струм драйвера (стік) | 2 А (Vo 12 В) |
| Корпус | SO-16 |
| Виробник | EG Micro |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LNK626DG оригінал, sop-7
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Power Integrations |
| Серія | LinkSwitch-CV |
| Пробивна напруга MOSFET BVDSS (мін.) | 725 В (TJ 25 °C) |
| Макс. напруга DRAIN | -0,3…725 В (абсолютний максимум) |
| Піковий струм DRAIN (LNK626) | 720 мА (1080 мА при Vdrain < 400 В), абсолютний максимум |
| Обмеження струму ILIMIT (LNK626) | 419 / 450 / 482 мА (мін./тип./макс.), di/dt 110 мА/мкс, TJ 25 °C |
| Частота перетворення fOSC | 93 / 100 / 106 кГц (мін./тип./макс.), TJ 25 °C |
| Опір відкритого ключа RDS(ON) (LNK626) | 9,6 Ом тип. / 11 Ом макс. при ID 82 мА, TJ 25 °C |
| Напруга зворотного зв'язку VFBth (LNK626D) | 1,775 / 1,800 / 1,825 В (мін./тип./макс.), TJ 25 °C, CBP 1 мкФ |
| Вихідна потужність, адаптер | 10,5 Вт (230 В AC ±15 %) / 8,5 Вт (85–265 В AC), вихід 5 В, +50 °C |
| Вихідна потужність, відкрита плата | 17 Вт (230 В AC ±15 %) / 10 Вт (85–265 В AC), вихід 5 В, +50 °C |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C (абсолютний максимум) |
| Температура теплового захисту | 135 / 142 / 150 °C (мін./тип./макс.) |
| Корпус | SOP-7 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI8221N0D ( NSI8221N0-DSPR , NSI8221NOD , NSI8221NO-DSPR ) оригінал, sop8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Двоканальний цифровий ізолятор: 1 канал прямий, 1 зворотний |
| Виробник | NOVOSENSE |
| Напруга ізоляції | 3,75 кВ |
| Швидкість передачі даних | 0–150 Мбіт/с |
| Напруга живлення VDD1, VDD2 | 2,5–5,5 В |
| Стан виходу за замовчуванням | низький рівень (варіант N0) |
| Затримка поширення tPLH / tPHL | 9,9 / 8,7 нс (тип.), 18 нс (макс.) |
| Стійкість до синфазних перешкод CMTI | 250 кВ/мкс |
| Струм споживання на канал | 1,5 мА при 1 Мбіт/с |
| Робочий діапазон температур | −55…125 °C |
| Захист від ESD (HBM) | ±8 кВ |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOP8, 150 mil, 4,90 × 3,90 мм |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 24C02 ( AT24C02B , ST24C02WP ) , DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність пам'яті | 2 Кбіт (256 x 8) |
| Інтерфейс | I2C (two-wire) |
| Корпус | DIP8 |
| Розмір сторінки запису | 8 байт |
| Напруга живлення (версія -1.8) | 1,8–5,5 В |
| Напруга живлення (версія -2.7) | 2,7–5,5 В |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В) |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Захист запису | вивід WP |
Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , 24C04WBN6 , AT24C04N ), DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 4K (4096 біт) |
| Організація | 512 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , M24C04-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність пам'яті | 4 Кбіт (512 x 8) |
| Інтерфейс | I2C (two-wire) |
| Корпус | SO-8 |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Напруга живлення (версія -1.8) | 1,8–5,5 В |
| Напруга живлення (версія -2.7) | 2,7–5,5 В |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В) |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Захист запису | вивід WP |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 24C08 ( AT24C08 , ST24C08W6 ) , DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема 24C08WP ( ST24C08WP , M24C08-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 24C32 ( AT24C32A , ST24C32W6 ) (DIP8)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 32 Кбіт (4096 x 8) |
| Інтерфейс | 2-wire (I2C-сумісний) |
| Напруга живлення Vcc | 2,7–5,5 В або 1,8–5,5 В (два виконання) |
| Розмір сторінки запису | 32 байти |
| Час циклу запису | 10 мс (максимум) |
| Струм спокою (Low-Power) | 2 мкА при Vcc = 5,5 В |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP8 (8-pin PDIP, 0,300″) |
Мікросхема 24C512 ( 24512A – маркування ) , DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Послідовна EEPROM, двопровідний інтерфейс (I2C-сумісний) |
| Ємність | 512 Кбіт (65 536 x 8) |
| Напруга живлення (стандартна версія) | 2,7–5,5 В |
| Напруга живлення (низьковольтна версія) | 1,8–3,6 В |
| Тактова частота SCL | 1 МГц (5 В), 400 кГц (2,7 В), 100 кГц (1,8 В) |
| Сторінковий запис | 128 байт |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 100 000 циклів (5,0 В, 25 °C, сторінковий режим) |
| Зберігання даних | 40 років |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема 24C512 ( AT24C512 , 2FC ) , so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Послідовна EEPROM, I2C-сумісна (2-wire) |
| Ємність | 512 Кбіт (65 536 x 8) |
| Напруга живлення (стандартна версія) | 2,5–5,5 В |
| Напруга живлення (низьковольтна версія) | 1,7–3,6 В |
| Тактова частота SCL | 400 кГц (1,7 В), 1 МГц (2,5–5,5 В) |
| Сторінковий запис | 128 байт |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 40 років |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема 24C64 ( AT24C64N , AT24C64AN , 24C64RP , ST24C64WP ) , so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Послідовна EEPROM, двопровідний інтерфейс |
| Ємність | 64 Кбіт (8192 x 8) |
| Напруга живлення (стандартна версія) | 2,7–5,5 В |
| Напруга живлення (низьковольтна версія) | 1,8–5,5 В |
| Тактова частота SCL | 100 кГц (1,8; 2,5; 2,7 В), 400 кГц (5 В) |
| Сторінковий запис | 32 байти |
| Час циклу запису | 10 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів (5,0 В, 25 °C, сторінковий режим) |
| Зберігання даних | 100 років |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема 24LC04B-I/P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип пам'яті | EEPROM з інтерфейсом I2C |
| Ємність | 4 кбіт |
| Напруга живлення | 2,5–5,5 В |
| Максимальна тактова частота | 400 кГц (VCC 2,5–5,5 В) |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C |
| Буфер сторінкового запису | 16 байт |
| Час циклу запису | 5 мс (макс.) |
| Циклів стирання/запису | не менше 1 000 000 (25 °C) |
| Збереження даних | понад 200 років |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Microchip Technology |
Мікросхема 24LC08B-I/P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип пам'яті | EEPROM з інтерфейсом I2C |
| Ємність | 8 кбіт |
| Напруга живлення | 2,5–5,5 В |
| Максимальна тактова частота | 400 кГц (VCC 2,5–5,5 В) |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C |
| Буфер сторінкового запису | 16 байт |
| Час циклу запису | 5 мс (макс.) |
| Циклів стирання/запису | не менше 1 000 000 (25 °C) |
| Збереження даних | понад 200 років |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Microchip Technology |
Мікросхема 25Q32 ( EN25Q32B-104HIP ) оригінал, smd 8pin виробник cFeon
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Eon Silicon Solution (cFeon) |
| Тип | Послідовна флеш-пам’ять SPI (Standard, Dual, Quad) |
| Корпус | smd 8 pin |
| Обсяг пам'яті | 32 Мбіт (4096 Кбайт) |
| Напруга живлення | 2.7–3.6 В |
| Тактова частота | 104 МГц (1 біт), 80 МГц (2 біти), 50 МГц (4 біти) |
| Струм в активному режимі | 12 мА (тип.) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Ресурс | 100 тис. циклів запису/стирання |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 25Q32 оригінал( 25Q32JVSIQ , W25Q32JVSIQ , W25Q32JVSSIQ )(заміна для W25Q32BVSSIG , 25Q32BVSIG , W25Q32FVSSIG , 25Q32FVSIG , 25Q32VSIG , W25Q32VSSIG ) , SOIC 208-MIL виробник Winbond
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Winbond |
| Обсяг пам'яті | 32 Mbit (33554432 біт) |
| Напруга живлення | 2.7–3.6 В |
| Частота SPI | 133 МГц |
| Ресурс циклів стирання/запису | 100000 циклів (мінімум, на сектор) |
| Зберігання даних | понад 20 років |
| Струм Power-down | <1 мкА (типове значення) |
| Розмір сектора | 4 КБ |
| Інтерфейс | SPI / Dual SPI / Quad SPI |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 або -40…+105 °C (залежно від виконання) |
| Корпус | SOIC-8 208 mil |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 25Q64 , smd 8pin
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 64 Mbit (67108864 біт) |
| Напруга живлення | 2.7–3.6 В |
| Частота SPI | 133 МГц |
| Ресурс циклів стирання/запису | 100000 циклів (мінімум, на сектор) |
| Зберігання даних | понад 20 років |
| Струм Power-down | <1 мкА (типове значення) |
| Розмір сектора | 4 КБ |
| Інтерфейс | SPI / Dual SPI / Quad SPI |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 або -40…+105 °C (залежно від виконання) |
| Корпус | smd 8 pin |
Мікросхема 25Q80 , smd 8pin
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Winbond |
| Обсяг пам'яті | 8 Мбіт |
| Інтерфейс | SPI (Standard / Dual / Quad) |
| Напруга живлення | 2,7–3,6 В |
| Макс. частота SPI | 80 МГц |
| Струм у режимі Power-down | <1 мкА (typ.) |
| Робочий діапазон температур | –40…+85 °C (industrial) |
| Цикли стирання/запису | 100 000 (мінімум) |
| Зберігання даних | 20 років |
| Корпус | SOIC-8 208 mil |
Мікросхема 25X10 ( W25X10BVNIG ) , smd 8pin
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Winbond |
| Обсяг пам'яті | 1 Мбіт |
| Інтерфейс | SPI (Standard / Dual Output) |
| Напруга живлення | 2,7–3,6 В |
| Макс. частота SPI | 75 МГц |
| Струм у робочому режимі | 5 мА (typ.) |
| Струм у режимі Power-down | 1 мкА (typ.) |
| Робочий діапазон температур | –40…+85 °C |
| Цикли стирання/запису | 100 000 (мінімум) |
| Зберігання даних | 20 років |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема 25X40 ( W25X40CLSIG , W25X40CLSNIG , W25X40BVSIG , 25X40VSIG ) , smd 8pin
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Winbond |
| Обсяг пам'яті | 4 Мбіт |
| Інтерфейс | SPI (Standard / Dual Output / Dual I/O) |
| Напруга живлення | 2,3–3,6 В |
| Макс. частота SPI | 104 МГц |
| Струм у робочому режимі | 1 мА (typ.) |
| Струм у режимі Power-down | <1 мкА (typ.) |
| Робочий діапазон температур | –40…+85 °C (industrial) |
| Цикли стирання/запису | 100 000 (більше) |
| Зберігання даних | 20 років (більше) |
| Корпус | SOIC-8 208 mil |
Мікросхема 4001BE ( CD4001BE ) , DIP14
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Функція | 4 елементи 2АБО-НІ (Quad 2-Input NOR) |
| Виробник (за datasheet) | Texas Instruments |
| Корпус | DIP14 |
| Кількість виводів | 14 |
| Напруга живлення VDD | 3…18 В |
| Гранична напруга VDD | -0,5…+20 В відносно Vss |
| Затримка tPHL, tPLH (типова, VDD = 10 В) | 60 нс |
| Розсіювана потужність PD | 500 мВт (TA = -55…+100 °C) |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
Мікросхема 40106 ( HEF40106BT , CD40106 , HCF40106 ) оригінал, so-14
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Функція | 6 інверторів з тригером Шмітта на входах |
| Виробник (за datasheet) | Nexperia |
| Корпус | SO-14 |
| Корпус (докладно) | SO14 (SOT108-1), 14 виводів, ширина 3,9 мм |
| Напруга живлення VDD | 3…15 В |
| Гранична напруга VDD | -0,5…+18 В |
| Затримка tPHL, tPLH (типова, VDD = 10 В) | 35 нс |
| Струм спокою IDD (макс., VDD = 5 В) | 0,25 мкА |
| Повна розсіювана потужність Ptot | 500 мВт |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 4011BE ( CD4011BE , HCF4011BE , 4011BP , К561ЛА7 ) , DIP
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Функція | 4 елементи 2І-НІ (Quad 2-Input NAND) |
| Виробник (за datasheet) | Texas Instruments |
| Корпус | DIP14 |
| Кількість виводів | 14 |
| Напруга живлення VDD | 3…18 В |
| Гранична напруга VDD | -0,5…+20 В відносно Vss |
| Затримка tPHL, tPLH (типова, VDD = 10 В) | 60 нс |
| Розсіювана потужність PD | 500 мВт (TA = -55…+100 °C) |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
Мікросхема 4013BE ( CD4013BE , CD4013BP , HCF4013BE ) , DIP14
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Подвійний D-тригер CMOS з асинхронними входами Set/Reset |
| Корпус | DIP14 |
| Напруга живлення VDD | 3–18 В (рекомендовані умови) |
| Макс. напруга живлення VDD | 20 В (абсолютний максимум, відносно VSS) |
| Частота перемикання (Toggle Rate) | 16 МГц (VDD 10 В, типове значення) |
| Макс. вхідний струм | 1 мкА (VDD 18 В, у всьому діапазоні температур) |
| Затримка такт – Q | 65 нс тип. / 130 нс макс. (VDD 10 В) |
| Робоча температура | -55…125 °C |
Мікросхема 4013M ( HCF4013 ) smd
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Подвійний D-тригер CMOS з асинхронними входами Set/Reset |
| Корпус | smd |
| Напруга живлення VDD | 3–18 В (рекомендовані умови) |
| Макс. напруга живлення VDD | 20 В (абсолютний максимум, відносно VSS) |
| Частота перемикання (Toggle Rate) | 16 МГц (VDD 10 В, типове значення) |
| Макс. вхідний струм | 1 мкА (VDD 18 В, у всьому діапазоні температур) |
| Затримка такт – Q | 65 нс тип. / 130 нс макс. (VDD 10 В) |
ШІМ-контролери, стабілізатори, підсилювачі НЧ та інші мікросхеми в корпусах DIP, SO, TO-220 тощо
TP4056, LM2596S, LM358, TL494 і NE555 часто шукають за номером:
- TP4056 – корпус SO-8. У назві вказано також позначення TP4056E, 4056E і TC4056A.
- LM2596S-ADJ – корпус TO-263.
- LM358 (LM358DT, LM358L) – корпус SO-8.
- TL494C – корпус SO-16. Є і TL494CN у корпусі DIP16: у його назві вказано, що він замінює TL494L, DBL494 і KIA494.
- NE555 (NE555P) – корпус DIP8. У назві вказано, що він замінює NE555N і HA17555.
Серед інших мікросхем, які шукають за номером, – LM393 у корпусах SO-8 і DIP8, SG3525A у DIP16 і SG3525AP у SO-16, IP5306 у SO-8, LTC4054 у SOT23-5. Є, наприклад, AMS1117-1.2, AMS1117-3.3 і AMS1117-5.0 у корпусі SOT-223.
ШІМ-контролер, імпульсний стабілізатор, інвертор: що означає тип у картці
З названих у картках типів найчастіше трапляється ШІМ-контролер, зокрема з вбудованим польовим транзистором. Є також, наприклад, підсилювачі потужності НЧ, понижувальні DC/DC перетворювачі та імпульсні стабілізатори, лінійні стабілізатори напруги, контролери PFC, драйвери світлодіодної підсвітки, контролери DC-AC інвертора.
- ШІМ – широтно-імпульсна модуляція. Імпульсні стабілізатори з широтно-імпульсною модуляцією підручник називає найпоширенішими.
- Імпульсний стабілізатор – регулюючий транзистор у ньому працює в ключовому режимі. Коли такий транзистор працює в безперервному режимі, на ньому виділяється значна потужність і потрібні громіздкі радіатори. У ключовому режимі ця потужність менша.
- Інвертор – автономний інвертор перетворює постійний струм у змінний.
DIP, SO, SOP і TO-220: корпуси мікросхем
Найбільше мікросхем у корпусах DIP-8, SO-8 і SOP-8. Трапляються, наприклад, SO-16, SOIC-8, DIP-16, DIP-7, TO-220, SOT-23-6, SOT-223 і Multiwatt15. У корпусі SOIC виводи розташовані у дві лінії по боках, крок виводів – 1,27 мм. Корпус TO-263, як у LM2596S-ADJ, – це D2PAK: він аналогічний DPAK, але більший, приблизно як TO-220 для SMD-монтажу.
Мікросхеми випускають STMicroelectronics, Texas Instruments, onsemi, Power Integrations, NXP Semiconductors, Infineon, Sanken та інші.
Демонтаж і що купують разом із мікросхемами
Крім нових мікросхем, є демонтаж: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Деталі з демонтажу позначено в назві товару словом «демонтаж» або «б/в».
Разом із мікросхемами в замовленнях часто бувають електролітичні конденсатори, польові, біполярні й IGBT-транзистори, а також діоди та оптрони. Замовлення надсилаємо Новою Поштою по Україні з Запоріжжя – у день оплати або наступного дня.
Часті запитання
Що таке інтегральна мікросхема?
Це мікроелектронний виріб, який виконує функції перетворення та обробки сигналу. Елементи в ньому електрично з'єднані й розміщені з високою щільністю, і мікросхему розглядають як єдине ціле.
Які бувають інтегральні мікросхеми?
За функціональним застосуванням – два основні види: аналогові й цифрові. Аналогові обробляють сигнали, що змінюються за законом безперервної функції, цифрові – за законом дискретної функції.
Навіщо потрібні мікросхеми?
Якщо збирати складну апаратуру на дискретних елементах, зростають споживана потужність, маса й габарити. Створення інтегральних мікросхем дозволило вирішити ці завдання.