Мікросхеми

ШІМ-контролери, стабілізатори напруги, понижувальні DC/DC перетворювачі, підсилювачі потужності НЧ та інші мікросхеми – нові й з демонтажу.

Показано 1–40 із 1978

Показати 20 40 80

Pai8233C ( PAI8233C-WR ) оригінальна мікросхема

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
Виробник2Pai Semi
Кількість каналів2
Піковий струм виходу, джерело4 А (версія Pai8233)
Піковий струм виходу, втікання8 А (версія Pai8233)
Напруга ізоляції Viso5000 В (ефект.), WB SOIC-14, UL 1577, 1 хв
Робоча напруга ізоляції1200 В (пост.)
CMTI100 кВ/мкс
Затримка поширення19 нс (тип.), 30 нс (макс.)
Макс. частота5 МГц
Живлення VCCI3…5,5 В
Живлення VDDA / VDDB (макс.)25 В
Робоча температура-40…125 °C
КорпусWB SOIC-14 (широкий)
СтанОригінал

Мікросхема EG1164 оригінал, so-16

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга живлення VCC4–20 В
Напруга VB (гранично допустима)600 В
Діапазон частоти0–300 кГц
Частота генератора67 кГц (Cp 270 пФ)
Вихід REF3.3V3,2 В (VCC 12 В)
Опорна напруга FB1,2 В
Максимальний коефіцієнт заповнення90 %
Мертвий час200 нс
Струм драйвера (виток)1,8 А (Vo 0 В)
Струм драйвера (стік)2 А (Vo 12 В)
КорпусSO-16
ВиробникEG Micro
СтанОригінал

Мікросхема LNK626DG оригінал, sop-7

В наявності

65,33 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPower Integrations
СеріяLinkSwitch-CV
Пробивна напруга MOSFET BVDSS (мін.)725 В (TJ 25 °C)
Макс. напруга DRAIN-0,3…725 В (абсолютний максимум)
Піковий струм DRAIN (LNK626)720 мА (1080 мА при Vdrain < 400 В), абсолютний максимум
Обмеження струму ILIMIT (LNK626)419 / 450 / 482 мА (мін./тип./макс.), di/dt 110 мА/мкс, TJ 25 °C
Частота перетворення fOSC93 / 100 / 106 кГц (мін./тип./макс.), TJ 25 °C
Опір відкритого ключа RDS(ON) (LNK626)9,6 Ом тип. / 11 Ом макс. при ID 82 мА, TJ 25 °C
Напруга зворотного зв'язку VFBth (LNK626D)1,775 / 1,800 / 1,825 В (мін./тип./макс.), TJ 25 °C, CBP 1 мкФ
Вихідна потужність, адаптер10,5 Вт (230 В AC ±15 %) / 8,5 Вт (85–265 В AC), вихід 5 В, +50 °C
Вихідна потужність, відкрита плата17 Вт (230 В AC ±15 %) / 10 Вт (85–265 В AC), вихід 5 В, +50 °C
Робоча температура переходу-40…150 °C (абсолютний максимум)
Температура теплового захисту135 / 142 / 150 °C (мін./тип./макс.)
КорпусSOP-7
СтанОригінал

Мікросхема NCP1219A1 ( NCP1219AD100R2G ) оригінал, so-7

В наявності

131,60 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSOP-7
СтанОригінал

Мікросхема NSI8221N0D ( NSI8221N0-DSPR , NSI8221NOD , NSI8221NO-DSPR ) оригінал, sop8

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняДвоканальний цифровий ізолятор: 1 канал прямий, 1 зворотний
ВиробникNOVOSENSE
Напруга ізоляції3,75 кВ
Швидкість передачі даних0–150 Мбіт/с
Напруга живлення VDD1, VDD22,5–5,5 В
Стан виходу за замовчуваннямнизький рівень (варіант N0)
Затримка поширення tPLH / tPHL9,9 / 8,7 нс (тип.), 18 нс (макс.)
Стійкість до синфазних перешкод CMTI250 кВ/мкс
Струм споживання на канал1,5 мА при 1 Мбіт/с
Робочий діапазон температур−55…125 °C
Захист від ESD (HBM)±8 кВ
КорпусSO-8
Корпус (докладно)SOP8, 150 mil, 4,90 × 3,90 мм
СтанОригінал

Мікросхема NSI8221W1D ( NSI8221W1-DSWVR ) , SOW-8-300mil

В наявності

150,40 ₴
ПараметрЗначення
КорпусSOW-8-300mil

Мікросхема OZ9998BGN , so-16

В наявності

97,29 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняКонтролер DC-DC перетворювача для LED-підсвічування
Кількість ліній світлодіодівдо 4
Струм однієї лініїдо 160 мА
Число виводів16
КорпусSO-16
ВиробникO2Micro

Мікросхема STV9306A оригінал

В наявності

245,81 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Робоча напруга живлення Vs16–28 В
Напруга живлення, макс.35 В
Розмах струму Ipp1,8–3,0 А
Пікова напруга зворотного ходу, макс.60 В
Напруга виходу E/W, макс.42 В
Робоча температура-10…+70 °C
СтанОригінал

Мікросхема STV9306B оригінал

В наявності

245,81 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Робоча напруга живлення Vs16–28 В
Напруга живлення, макс.35 В
Розмах струму Ipp1,8–3,0 А
Пікова напруга зворотного ходу, макс.60 В
Напруга виходу E/W, макс.60 В
Робоча температура-10…+70 °C
СтанОригінал

Мікросхема 24C02 ( AT24C02B , ST24C02WP ) , DIP8

В наявності

16,45 ₴
ПараметрЗначення
Ємність пам'яті2 Кбіт (256 x 8)
ІнтерфейсI2C (two-wire)
КорпусDIP8
Розмір сторінки запису8 байт
Напруга живлення (версія -1.8)1,8–5,5 В
Напруга живлення (версія -2.7)2,7–5,5 В
Частота SCL100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В)
Час циклу запису5 мс, макс.
Ресурс запису1 000 000 циклів
Зберігання даних100 років
Захист записувивід WP

Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , 24C04WBN6 , AT24C04N ), DIP8

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Обсяг пам'яті4K (4096 біт)
Організація512 x 8
ІнтерфейсI2C (двопровідний)
Напруга живлення2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В)
Частота SCL100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В)
Розмір сторінки запису16 байт
Час циклу запису (макс.)5 мс
Циклів запису1 000 000
Зберігання даних100 років
Робоча температура-40…+85 °C
КорпусDIP8

Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , M24C04-WMN6TP ) оригінал, so-8

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Ємність пам'яті4 Кбіт (512 x 8)
ІнтерфейсI2C (two-wire)
КорпусSO-8
Розмір сторінки запису16 байт
Напруга живлення (версія -1.8)1,8–5,5 В
Напруга живлення (версія -2.7)2,7–5,5 В
Частота SCL100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В)
Час циклу запису5 мс, макс.
Ресурс запису1 000 000 циклів
Зберігання даних100 років
Захист записувивід WP
СтанОригінал

Мікросхема 24C08 ( AT24C08 , ST24C08W6 ) , DIP8

В наявності

19,74 ₴
ПараметрЗначення
Обсяг пам'яті8K (8192 біт)
Організація1024 x 8
ІнтерфейсI2C (двопровідний)
Напруга живлення2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В)
Частота SCL100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В)
Розмір сторінки запису16 байт
Час циклу запису (макс.)5 мс
Циклів запису1 000 000
Зберігання даних100 років
Робоча температура-55…+125 °C
КорпусDIP8

Мікросхема 24C08WP ( ST24C08WP , M24C08-WMN6TP ) оригінал, so-8

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Обсяг пам'яті8K (8192 біт)
Організація1024 x 8
ІнтерфейсI2C (двопровідний)
Напруга живлення2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В)
Частота SCL100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В)
Розмір сторінки запису16 байт
Час циклу запису (макс.)5 мс
Циклів запису1 000 000
Зберігання даних100 років
Робоча температура-55…+125 °C
КорпусSO-8
СтанОригінал

Мікросхема 24C1024 ( FM24C1024A , AT24C1024 , 2GB ) , so-8

В наявності

99,64 ₴
ПараметрЗначення
Типпослідовна EEPROM, I2C
Обсяг1 048 576 біт (131 072 x 8)
Напруга живлення1,8–3,6 В або 2,5–5,5 В
Частота SCL400 кГц при 1,8 В; 1 МГц при 2,5 В і 5 В
Сторінковий запис256 байт
Час запису5 мс (типово)
Ресурс запису1 000 000 циклів на сторінку
Зберігання даних40 років
КорпусSO-8

Мікросхема 24C128 , smd

В наявності

37,60 ₴
ПараметрЗначення
Типпослідовна EEPROM, I2C
Обсяг131 072 біт (16 384 x 8)
Напруга живлення1,7–5,5 В
Частота SCL400 кГц при 1,7 В; 1 МГц при 2,5 В, 2,7 В, 5,0 В
Сторінковий запис64 байт
Час запису5 мс (макс.)
Ресурс запису1 000 000 циклів (25 °C, Page Mode, 3,3 В)
Зберігання даних40 років
ВиконанняSMD

Мікросхема 24C16 ( AT24C16 , ST24C16W6 ) , DIP8

В наявності

22,09 ₴
ПараметрЗначення
Типпослідовна EEPROM, двопровідний інтерфейс
Обсяг16 Кбіт (2048 x 8)
Напруга живлення1,8–5,5 В (також варіант 2,7–5,5 В)
Частота100 кГц при 1,8 В; 400 кГц при 2,7 В і 5 В
Сторінковий запис16 байт
Час запису5 мс (макс.)
Ресурс запису1 000 000 циклів
Зберігання даних100 років
КорпусDIP8

Мікросхема 24C16 ( ST24C16RP , AT24C16N . ST24C16WP , M24C16-RMN6TP ) , so-8

В наявності

22,09 ₴
ПараметрЗначення
Обсяг пам'яті16 Кбіт (2048 x 8)
ІнтерфейсTwo-wire (I2C-сумісний)
Напруга живлення Vcc2,7–5,5 В або 1,8–5,5 В (два виконання)
Розмір сторінки запису16 байт
Час циклу запису5 мс (максимум)
Ресурс запису1 000 000 циклів
Зберігання даних100 років
КорпусSO-8

Мікросхема 24C32 ( AT24C32A , ST24C32W6 ) (DIP8)

В наявності

23,97 ₴
ПараметрЗначення
Обсяг пам'яті32 Кбіт (4096 x 8)
Інтерфейс2-wire (I2C-сумісний)
Напруга живлення Vcc2,7–5,5 В або 1,8–5,5 В (два виконання)
Розмір сторінки запису32 байти
Час циклу запису10 мс (максимум)
Струм спокою (Low-Power)2 мкА при Vcc = 5,5 В
Ресурс запису1 000 000 циклів
Зберігання даних100 років
КорпусDIP8
Корпус (докладно)DIP8 (8-pin PDIP, 0,300″)

Мікросхема 24C512 ( 24512A – маркування ) , DIP8

В наявності

101,99 ₴
ПараметрЗначення
ТипПослідовна EEPROM, двопровідний інтерфейс (I2C-сумісний)
Ємність512 Кбіт (65 536 x 8)
Напруга живлення (стандартна версія)2,7–5,5 В
Напруга живлення (низьковольтна версія)1,8–3,6 В
Тактова частота SCL1 МГц (5 В), 400 кГц (2,7 В), 100 кГц (1,8 В)
Сторінковий запис128 байт
Час циклу запису5 мс, макс.
Ресурс запису100 000 циклів (5,0 В, 25 °C, сторінковий режим)
Зберігання даних40 років
КорпусDIP8

Мікросхема 24C512 ( AT24C512 , 2FC ) , so-8

В наявності

58,75 ₴
ПараметрЗначення
ТипПослідовна EEPROM, I2C-сумісна (2-wire)
Ємність512 Кбіт (65 536 x 8)
Напруга живлення (стандартна версія)2,5–5,5 В
Напруга живлення (низьковольтна версія)1,7–3,6 В
Тактова частота SCL400 кГц (1,7 В), 1 МГц (2,5–5,5 В)
Сторінковий запис128 байт
Час циклу запису5 мс, макс.
Ресурс запису1 000 000 циклів
Зберігання даних40 років
КорпусSO-8

Мікросхема 24C64 ( AT24C64N , AT24C64AN , 24C64RP , ST24C64WP ) , so-8

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипПослідовна EEPROM, двопровідний інтерфейс
Ємність64 Кбіт (8192 x 8)
Напруга живлення (стандартна версія)2,7–5,5 В
Напруга живлення (низьковольтна версія)1,8–5,5 В
Тактова частота SCL100 кГц (1,8; 2,5; 2,7 В), 400 кГц (5 В)
Сторінковий запис32 байти
Час циклу запису10 мс, макс.
Ресурс запису1 000 000 циклів (5,0 В, 25 °C, сторінковий режим)
Зберігання даних100 років
КорпусSO-8

Мікросхема 24LC04B-I/P

В наявності

20,21 ₴
ПараметрЗначення
Тип пам'ятіEEPROM з інтерфейсом I2C
Ємність4 кбіт
Напруга живлення2,5–5,5 В
Максимальна тактова частота400 кГц (VCC 2,5–5,5 В)
Робочий діапазон температур-40…+85 °C
Буфер сторінкового запису16 байт
Час циклу запису5 мс (макс.)
Циклів стирання/записуне менше 1 000 000 (25 °C)
Збереження данихпонад 200 років
КорпусDIP8
ВиробникMicrochip Technology

Мікросхема 24LC08B-I/P

В наявності

15,04 ₴
ПараметрЗначення
Тип пам'ятіEEPROM з інтерфейсом I2C
Ємність8 кбіт
Напруга живлення2,5–5,5 В
Максимальна тактова частота400 кГц (VCC 2,5–5,5 В)
Робочий діапазон температур-40…+85 °C
Буфер сторінкового запису16 байт
Час циклу запису5 мс (макс.)
Циклів стирання/записуне менше 1 000 000 (25 °C)
Збереження данихпонад 200 років
КорпусDIP8
ВиробникMicrochip Technology

Мікросхема 25L1005 ( MX25L1005 , MX25L1005MC-12G , 25L1005A , MX25L1005A ) , so-8

В наявності

65,80 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMacronix
ТипSPI flash-пам’ять
Ємність1 Мбіт
Напруга живлення2,7–3,6 В
Тактова частота SPI85 МГц при 15 пФ + 1 TTL
Цикли стирання/запису100000 (мін.)
КорпусSO-8

Мікросхема 25L3206E ( MX25L3206E , MX25L3206EM2I-12G ) оригінал, smd

В наявності

126,90 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMacronix
Обсяг пам'яті32 Мбіт (4M x 8)
ІнтерфейсSPI (Serial NOR Flash)
Тактова частота86 МГц
Напруга живлення2,7–3,6 В
Робоча температура-40…+85 °C
Цикли стирання/запису100000 (типово)
Збереження даних20 років
КорпусSOIC-8 208 mil
СтанОригінал

Мікросхема 25Q128 оригінал( 25Q128JVSQ , W25Q128JVSSIQ , 25Q128JVSIQ , W25Q128JVSIQ )(заміна для W25Q128BVSSIG , 25Q128BVSIG , W25Q128FVSSIG , 25Q128FVSIG , 25Q128VSIG , W25Q128VSSIG ) , SOIC 208-MIL виробник Winbond

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWinbond
Обсяг пам'яті128 Мбіт / 16 МБ
ІнтерфейсStandard / Dual / Quad SPI
Тактова частота133 МГц
Напруга живлення2,7–3,6 В
Робоча температура-40…+85 °C
Цикли стирання/запису100000 (мін.) на сектор
Збереження данихпонад 20 років
КорпусSOIC-8 208 mil
СтанОригінал

Мікросхема 25Q16 оригінал ( 25Q16JVSIQ , W25Q16JVSIQ , W25Q16JVSSIQ )(заміна для W25Q16BVSSIG , 25Q16BVSIG , W25Q16FVSSIG , 25Q16FVSIG , 25Q16VSIG , W25Q16VSSIG ) , SOIC 208-MIL виробник Winbond

В наявності

122,20 ₴
ПараметрЗначення
ТипNOR Flash, послідовний SPI (Dual SPI, Quad SPI)
Обсяг пам'яті16 Мбіт (2M x 8)
Напруга живлення3 / 3,3 В
КорпусSO-8
Ширина корпусу208-mil
ВиробникWinbond
СтанОригінал

Мікросхема 25Q32 ( EN25Q32B-104HIP ) оригінал, smd 8pin виробник cFeon

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникEon Silicon Solution (cFeon)
ТипПослідовна флеш-пам’ять SPI (Standard, Dual, Quad)
Корпусsmd 8 pin
Обсяг пам'яті32 Мбіт (4096 Кбайт)
Напруга живлення2.7–3.6 В
Тактова частота104 МГц (1 біт), 80 МГц (2 біти), 50 МГц (4 біти)
Струм в активному режимі12 мА (тип.)
Робоча температура-40…+85 °C
Ресурс100 тис. циклів запису/стирання
СтанОригінал

Мікросхема 25Q32 оригінал( 25Q32JVSIQ , W25Q32JVSIQ , W25Q32JVSSIQ )(заміна для W25Q32BVSSIG , 25Q32BVSIG , W25Q32FVSSIG , 25Q32FVSIG , 25Q32VSIG , W25Q32VSSIG ) , SOIC 208-MIL виробник Winbond

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWinbond
Обсяг пам'яті32 Mbit (33554432 біт)
Напруга живлення2.7–3.6 В
Частота SPI133 МГц
Ресурс циклів стирання/запису100000 циклів (мінімум, на сектор)
Зберігання данихпонад 20 років
Струм Power-down<1 мкА (типове значення)
Розмір сектора4 КБ
ІнтерфейсSPI / Dual SPI / Quad SPI
Робочий діапазон температур-40…+85 або -40…+105 °C (залежно від виконання)
КорпусSOIC-8 208 mil
СтанОригінал

Мікросхема 25Q64 , smd 8pin

В наявності

80,37 ₴
ПараметрЗначення
Обсяг пам'яті64 Mbit (67108864 біт)
Напруга живлення2.7–3.6 В
Частота SPI133 МГц
Ресурс циклів стирання/запису100000 циклів (мінімум, на сектор)
Зберігання данихпонад 20 років
Струм Power-down<1 мкА (типове значення)
Розмір сектора4 КБ
ІнтерфейсSPI / Dual SPI / Quad SPI
Робочий діапазон температур-40…+85 або -40…+105 °C (залежно від виконання)
Корпусsmd 8 pin

Мікросхема 25Q80 , smd 8pin

В наявності

80,37 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWinbond
Обсяг пам'яті8 Мбіт
ІнтерфейсSPI (Standard / Dual / Quad)
Напруга живлення2,7–3,6 В
Макс. частота SPI80 МГц
Струм у режимі Power-down<1 мкА (typ.)
Робочий діапазон температур–40…+85 °C (industrial)
Цикли стирання/запису100 000 (мінімум)
Зберігання даних20 років
КорпусSOIC-8 208 mil

Мікросхема 25X10 ( W25X10BVNIG ) , smd 8pin

В наявності

56,40 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWinbond
Обсяг пам'яті1 Мбіт
ІнтерфейсSPI (Standard / Dual Output)
Напруга живлення2,7–3,6 В
Макс. частота SPI75 МГц
Струм у робочому режимі5 мА (typ.)
Струм у режимі Power-down1 мкА (typ.)
Робочий діапазон температур–40…+85 °C
Цикли стирання/запису100 000 (мінімум)
Зберігання даних20 років
КорпусSO-8

Мікросхема 25X40 ( W25X40CLSIG , W25X40CLSNIG , W25X40BVSIG , 25X40VSIG ) , smd 8pin

В наявності

43,24 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWinbond
Обсяг пам'яті4 Мбіт
ІнтерфейсSPI (Standard / Dual Output / Dual I/O)
Напруга живлення2,3–3,6 В
Макс. частота SPI104 МГц
Струм у робочому режимі1 мА (typ.)
Струм у режимі Power-down<1 мкА (typ.)
Робочий діапазон температур–40…+85 °C (industrial)
Цикли стирання/запису100 000 (більше)
Зберігання даних20 років (більше)
КорпусSOIC-8 208 mil

Мікросхема 2M04 ( RCRH006SQ , 2M04 ASQ ) , so-8

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипМікросхема
Позначення2M04
КорпусSO-8

Мікросхема 4001BE ( CD4001BE ) , DIP14

В наявності

14,10 ₴
ПараметрЗначення
Функція4 елементи 2АБО-НІ (Quad 2-Input NOR)
Виробник (за datasheet)Texas Instruments
КорпусDIP14
Кількість виводів14
Напруга живлення VDD3…18 В
Гранична напруга VDD-0,5…+20 В відносно Vss
Затримка tPHL, tPLH (типова, VDD = 10 В)60 нс
Розсіювана потужність PD500 мВт (TA = -55…+100 °C)
Робоча температура-55…+125 °C

Мікросхема 40106 ( HEF40106BT , CD40106 , HCF40106 ) оригінал, so-14

В наявності

28,20 ₴
ПараметрЗначення
Функція6 інверторів з тригером Шмітта на входах
Виробник (за datasheet)Nexperia
КорпусSO-14
Корпус (докладно)SO14 (SOT108-1), 14 виводів, ширина 3,9 мм
Напруга живлення VDD3…15 В
Гранична напруга VDD-0,5…+18 В
Затримка tPHL, tPLH (типова, VDD = 10 В)35 нс
Струм спокою IDD (макс., VDD = 5 В)0,25 мкА
Повна розсіювана потужність Ptot500 мВт
Робоча температура-40…+125 °C
СтанОригінал

Мікросхема 4011BE ( CD4011BE , HCF4011BE , 4011BP , К561ЛА7 ) , DIP

В наявності

17,86 ₴
ПараметрЗначення
Функція4 елементи 2І-НІ (Quad 2-Input NAND)
Виробник (за datasheet)Texas Instruments
КорпусDIP14
Кількість виводів14
Напруга живлення VDD3…18 В
Гранична напруга VDD-0,5…+20 В відносно Vss
Затримка tPHL, tPLH (типова, VDD = 10 В)60 нс
Розсіювана потужність PD500 мВт (TA = -55…+100 °C)
Робоча температура-55…+125 °C

Мікросхема 4013BE ( CD4013BE , CD4013BP , HCF4013BE ) , DIP14

В наявності

17,86 ₴
ПараметрЗначення
ТипПодвійний D-тригер CMOS з асинхронними входами Set/Reset
КорпусDIP14
Напруга живлення VDD3–18 В (рекомендовані умови)
Макс. напруга живлення VDD20 В (абсолютний максимум, відносно VSS)
Частота перемикання (Toggle Rate)16 МГц (VDD 10 В, типове значення)
Макс. вхідний струм1 мкА (VDD 18 В, у всьому діапазоні температур)
Затримка такт – Q65 нс тип. / 130 нс макс. (VDD 10 В)
Робоча температура-55…125 °C

Мікросхема 4013M ( HCF4013 ) smd

В наявності

7,05 ₴
ПараметрЗначення
ТипПодвійний D-тригер CMOS з асинхронними входами Set/Reset
Корпусsmd
Напруга живлення VDD3–18 В (рекомендовані умови)
Макс. напруга живлення VDD20 В (абсолютний максимум, відносно VSS)
Частота перемикання (Toggle Rate)16 МГц (VDD 10 В, типове значення)
Макс. вхідний струм1 мкА (VDD 18 В, у всьому діапазоні температур)
Затримка такт – Q65 нс тип. / 130 нс макс. (VDD 10 В)

ШІМ-контролери, стабілізатори, підсилювачі НЧ та інші мікросхеми в корпусах DIP, SO, TO-220 тощо

TP4056, LM2596S, LM358, TL494 і NE555 часто шукають за номером:

  • TP4056 – корпус SO-8. У назві вказано також позначення TP4056E, 4056E і TC4056A.
  • LM2596S-ADJ – корпус TO-263.
  • LM358 (LM358DT, LM358L) – корпус SO-8.
  • TL494C – корпус SO-16. Є і TL494CN у корпусі DIP16: у його назві вказано, що він замінює TL494L, DBL494 і KIA494.
  • NE555 (NE555P) – корпус DIP8. У назві вказано, що він замінює NE555N і HA17555.

Серед інших мікросхем, які шукають за номером, – LM393 у корпусах SO-8 і DIP8, SG3525A у DIP16 і SG3525AP у SO-16, IP5306 у SO-8, LTC4054 у SOT23-5. Є, наприклад, AMS1117-1.2, AMS1117-3.3 і AMS1117-5.0 у корпусі SOT-223.

ШІМ-контролер, імпульсний стабілізатор, інвертор: що означає тип у картці

З названих у картках типів найчастіше трапляється ШІМ-контролер, зокрема з вбудованим польовим транзистором. Є також, наприклад, підсилювачі потужності НЧ, понижувальні DC/DC перетворювачі та імпульсні стабілізатори, лінійні стабілізатори напруги, контролери PFC, драйвери світлодіодної підсвітки, контролери DC-AC інвертора.

  • ШІМ – широтно-імпульсна модуляція. Імпульсні стабілізатори з широтно-імпульсною модуляцією підручник називає найпоширенішими.
  • Імпульсний стабілізатор – регулюючий транзистор у ньому працює в ключовому режимі. Коли такий транзистор працює в безперервному режимі, на ньому виділяється значна потужність і потрібні громіздкі радіатори. У ключовому режимі ця потужність менша.
  • Інвертор – автономний інвертор перетворює постійний струм у змінний.

DIP, SO, SOP і TO-220: корпуси мікросхем

Найбільше мікросхем у корпусах DIP-8, SO-8 і SOP-8. Трапляються, наприклад, SO-16, SOIC-8, DIP-16, DIP-7, TO-220, SOT-23-6, SOT-223 і Multiwatt15. У корпусі SOIC виводи розташовані у дві лінії по боках, крок виводів – 1,27 мм. Корпус TO-263, як у LM2596S-ADJ, – це D2PAK: він аналогічний DPAK, але більший, приблизно як TO-220 для SMD-монтажу.

Мікросхеми випускають STMicroelectronics, Texas Instruments, onsemi, Power Integrations, NXP Semiconductors, Infineon, Sanken та інші.

Демонтаж і що купують разом із мікросхемами

Крім нових мікросхем, є демонтаж: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Деталі з демонтажу позначено в назві товару словом «демонтаж» або «б/в».

Разом із мікросхемами в замовленнях часто бувають електролітичні конденсатори, польові, біполярні й IGBT-транзистори, а також діоди та оптрони. Замовлення надсилаємо Новою Поштою по Україні з Запоріжжя – у день оплати або наступного дня.

Часті запитання

Що таке інтегральна мікросхема?

Це мікроелектронний виріб, який виконує функції перетворення та обробки сигналу. Елементи в ньому електрично з'єднані й розміщені з високою щільністю, і мікросхему розглядають як єдине ціле.

Які бувають інтегральні мікросхеми?

За функціональним застосуванням – два основні види: аналогові й цифрові. Аналогові обробляють сигнали, що змінюються за законом безперервної функції, цифрові – за законом дискретної функції.

Навіщо потрібні мікросхеми?

Якщо збирати складну апаратуру на дискретних елементах, зростають споживана потужність, маса й габарити. Створення інтегральних мікросхем дозволило вирішити ці завдання.