Біполярні транзистори

Біполярні NPN і PNP, складені за схемою Дарлінгтона та комплементарні пари, наприклад у корпусах TO-92, SOT-23, TO-220 і TO-3P.

Показано 1–40 із 364

Показати 20 40 80

Біполярний транзистор BU931P ( BU931ZP , BU931 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN Дарлінгтон
Напруга Vces500 В (Vbe = 0)
Напруга Vceo400 В (Ib = 0)
Струм колектора Ic15 А (піковий Icm 30 А)
Потужність Ptot135 Вт (Tc 25 °C)
Vce(sat)1,6 В макс. (Ic 7 А, Ib 70 мА)
hFE300 мін. (Ic 5 А, Vce 10 В)
Час спаду tf0,5 мкс тип. (індуктивне навантаження, Ic 7 А, Ib 70 мА, Vcc 12 В)
Вбудований діодє, Vf 2,5 В макс. (If 10 А)
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Біполярний транзистор MD1802FX ( 1802FX , ST1802FX )

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга Vces1500 В (VBE = 0)
Напруга Vceo700 В (IB = 0)
Напруга Vebo9 В (IC = 0)
Струм колектора Ic10 А постійний (Icm 15 А, tp < 5 мс)
Потужність Ptot57 Вт (Tc = 25 °C)
Vce(sat)1,5 В макс. (Ic = 5 А, Ib = 1,25 А)
Час спаду tf0,2 мкс (Ic = 4 А, індуктивне навантаження)
Температура переходу150 °C
КорпусISOWATT218FX

Транзистор 2N3904 , to92

В наявності

2,82 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор–база Vcbo60 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo40 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic200 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pd625 мВт (Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE (мін.)100 (Vce 1 В, Ic 10 мА)
Гранична частота fT (мін.)250 МГц (Vce 20 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Температура переходу Tj-55…+150 °C
КорпусTO-92

Транзистор 2N4401 , to92

В наявності

2,82 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
Напруга колектор–база Vcbo60 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo40 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic600 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pd625 мВт (Ta 25 °C)
Гранична частота fT (мін.)250 МГц (Vce 10 В, Ic 20 мА, f 100 МГц)
Температура переходу Tj-55…+150 °C
КорпусTO-92

Транзистор 2N4403 , to92

В наявності

2,82 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга колектор–база Vcbo-40 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo-40 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo-5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic-600 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pd625 мВт (Ta 25 °C)
Гранична частота fT (мін.)200 МГц (Vce -10 В, Ic -20 мА, f 100 МГц)
Температура переходу Tj-55…+150 °C
КорпусTO-92

Транзистор 2N5401 , to92

В наявності

2,82 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo150 В (TA 25 °C, Ic 1 мА, Ib 0)
Напруга Vcbo160 В (TA 25 °C)
Напруга Vebo5 В (TA 25 °C)
Струм колектора Ic600 мА (TA 25 °C)
Потужність Pd625 мВт (TA 25 °C, плата FR-4)
hFE60–240 (Ic 10 мА, Vce 5 В)
Гранична частота fT100–400 МГц (Ic 10 мА, Vce 10 В, f 100 МГц)
КорпусTO-92

Транзистор 2N5551 , to92

В наявності

2,82 ₴
ПараметрЗначення
ТипNPN
ВиробникKEC
Напруга Vceo160 В (Ta 25 °C, Ib = 0)
Напруга Vcbo180 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic600 мА (Ta 25 °C)
Потужність Pc625 мВт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
hFE80–250 (Vce 5 В, Ic 10 мА)
Vce(sat)0.2 В макс. (Ic 50 мА, Ib 5 мА)
fT100–300 МГц (Vce 10 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Cob6 пФ макс. (Vcb 10 В, f 1 МГц)
КорпусTO-92

Транзистор 2SA1013 (160V;1A;0,9W;15M)

В наявності

10,81 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
ВиробникUnisonic Technologies
Напруга Vceo-160 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo-160 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo-6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic-1 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc0.9 Вт (TO-92, Ta 25 °C)
hFE60–320 (Vce -5 В, Ic -200 мА; групи R, O, P)
Vce(sat)-1.5 В макс. (Ic -500 мА, Ib -50 мА)
fT15–50 МГц (Vce -5 В, Ic -200 мА)
Cob35 пФ макс. (Vcb -10 В, f 1 МГц)
КорпусTO-92

Транзистор 2SA1015 (50V;0,15A;0,4W;80M) , to92

В наявності

2,82 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
ВиробникBLUE ROCKET
Напруга Vceo-50 В
Напруга Vcbo-50 В
Напруга Vebo-5 В
Струм колектора Ic-150 мА (постійний)
Потужність Pc400 мВт
Температура переходу Tj150 °C
hFE70–400 (Vce -6 В, Ic -2 мА; групи O 70–140, Y 120–240, GR 200–400)
Vce(sat)-0.1 В тип., -0.3 В макс. (Ic -100 мА, Ib -10 мА)
fT80 МГц тип. (Vce -10 В, Ic -1 мА)
КорпусTO-92

Транзистор 2SA1020 ( 2SA1020L , 2SA1020G , 2SA1020Y , 2SA1020-Y )

В наявності

23,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo-50 В
Напруга Vcbo-50 В
Струм колектора Ic-2 А
Потужність Pd900 мВт
Температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE170–240
Коефіцієнт підсилення hFE240
Напруга насичення Vce(sat)-0,5 В
Гранична частота fT100 МГц
Вихідна ємність Cob40 пФ
КорпусTO-92MOD

Транзистор 2SA1020G ( 2SA1020G-Y-AB3-R ) оригінал, sot89

В наявності

34,78 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
ВиробникUTC (Unisonic Technologies)
Напруга Vceo–50 В (TA 25 °C)
Напруга Vcbo–50 В (TA 25 °C)
Напруга Vebo–5 В (TA 25 °C)
Струм колектора Ic–2 А (TA 25 °C)
Потужність Pc500 мВт (SOT-89, TA 25 °C)
Tj max150 °C
hFE170–240 (Vce –2 В, Ic –0,5 А)
hFE2 (мін.)40 (Vce –2 В, Ic –1,5 А)
Vce(sat) макс.–0,5 В (Ic –1 А, Ib –0,05 А)
Ємність Cob80 пФ (Vcb –10 В, f 1 МГц)
КорпусSOT-89
СтанОригінал

Транзистор 2SA1268

В наявності

23,97 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo-120 В (Ic -1 мА, мін.)
Напруга Vcbo-120 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo-5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic-100 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання300 мВт (Ta 25 °C)
Tj макс.125 °C
hFE200–400 (група G), 350–700 (група L) при Vce -6 В, Ic -2 мА
fT100 МГц (тип.) при Vce -6 В, Ic -1 мА
КорпусTO-92

Транзистор 2SA1271Y (A1271)

В наявності

3,76 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
КорпусTO-92
Напруга Vcbo-35 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo-30 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo-5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic-800 мА (Ta 25 °C)
Потужність Pc625 мВт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
hFE100–320 (Vce -1 В, Ic -100 мА; клас Y 160–320)
Vce(sat)-0,7 В макс. (Ic -500 мА, Ib -20 мА)
Гранична частота fT120 МГц тип. (Ic -10 мА, Vce -5 В)
Вихідна ємність Cob19 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц)

Транзистор 2SA1273

В наявності

8,46 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
ВиробникKEC
КорпусTO-92MOD
Напруга Vcbo-30 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo-30 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo-5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic-2 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc1 Вт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
hFE100–320 (Vce -2 В, Ic -500 мА; клас O 100–200, клас Y 160–320)
Vce(sat)-2,0 В макс. (Ic -1,5 А, Ib -0,03 А)
Гранична частота fT120 МГц тип. (Vce -2 В, Ic -500 мА)
Вихідна ємність Cob48 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц)

Транзистор 2SA1492+2SC3856 ( A1492+C3856 ) оригінали

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
КорпусTO-3P
2SA1492: типPNP
2SC3856: типNPN
Напруга VCEO (обидва, Ta 25 °C)180 В
Струм колектора IC (обидва, Ta 25 °C)15 А
Потужність PC (обидва, Tc 25 °C)130 Вт
hFE (мін., IC 3 А, VCE 4 В)50
VCE(sat) (макс., IC 5 А, IB 0,5 А)2,0 В
fT (тип., обидва)20 МГц
Tj (макс.)150 °C
СтанОригінал

Транзистор 2SA1625

В наявності

30,55 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
КорпусTO-92
Напруга V(BR)CBO-400 В (Ic -100 мкА, Ie 0)
Напруга V(BR)CEO-400 В (Ic -1 мА, Ib 0)
Напруга V(BR)EBO-7 В (Ie -100 мкА, Ic 0)
Імпульсний струм Icm-0,5 А (Tamb 25 °C)
Потужність Pcm750 мВт (Tamb 25 °C)
Температура Tj, Tstg-55…+150 °C
hFE40–200 (Vce -5 В, Ic -50 мА; M 40–80, L 60–120, K 100–200)
Vce(sat)-1 В макс. (Ic -100 мА, Ib -10 мА)
Гранична частота fT10 МГц тип. (Vce -10 В, Ic -10 мА)
Вихідна ємність Cob40 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц)

Транзистор 2SA1668 оригінал

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo-200 В (Ic -25 мА, Ib 0)
Напруга Vcbo-200 В
Напруга Vebo-6 В
Струм колектора Ic-2 А (постійний)
Потужність розсіювання25 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
hFE мін.60 при Ic -0,7 А, Vce -10 В
Vce(sat) макс.-1.0 В при Ic -0,7 А, Ib -0,07 А
fT20 МГц при Ie 0,2 А, Vce -12 В
Cob60 пФ при Vcb -10 В, f 1 МГц
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор 2SA1672 + 2SC4387 ( A1672 + C4387 ) оригінали демонтаж, TO3PF

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
2SA1672 – типPNP
2SC4387 – типNPN
Vceo140 В (Ic = 50 мА, Ib = 0, мін.)
Струм колектора Ic10 А
Потужність Pc80 Вт (Tc = 25 °C)
hFE (мін.)50 (Ic = 3 А, Vce = 4 В)
Vce(sat) (макс.)2,0 В (Ic = 5 А, Ib = 0,5 А)
fT20 МГц
Tj (макс.)150 °C
КорпусTO-3PF
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SA1694

В наявності

110,45 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo-120 В (Ic -50 мА, Ib 0)
Струм колектора Ic-8 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pd80 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
hFE50–180 при Ic -3 А, Vce -4 В
Vce(sat)-1,5 В (макс.) при Ic -3 А, Ib -0,3 А
fT20 МГц (тип.) при Ie 0,5 А, Vce -12 В
Cob300 пФ (тип.) при Vcb -10 В, f 1 МГц

Транзистор 2SA1694 + 2SC4467 ( A1694 + C4467 ) оригінали вживані з подовженими виводами

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
2SA1694 – типPNP
2SC4467 – типNPN
Vceo120 В
Vcbo120 В (2SA1694); 160 В (2SC4467)
Струм колектора Ic8 А
Потужність Pc80 Вт
hFE50–180 (Ic = 3 А, Vce = 4 В)
Vce(sat) (макс.)1,5 В (Ic = 3 А, Ib = 0,3 А)
fT20 МГц
Cob (тип.)300 пФ (2SA1694); 200 пФ (2SC4467)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SA1694+2SC4467 оригінали демонтаж

В наявності

122,67 ₴
ПараметрЗначення
Тип 2SA1694PNP
Пара2SC4467 (NPN)
КорпусTO-3P
Напруга Vceo-120 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo-120 В (Ta 25 °C)
Струм Ic-8 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc80 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
hFEвід 50 (Vce -4 В, Ic -3 А)
Частота fT20 МГц тип. (Vce -12 В, Ie 0,5 А)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SA1695+2SC4468 оригінали

В наявності

376,94 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP (2SA1695) + NPN (2SC4468)
КорпусTO-3P
Корпус (докладно)TO-3P(N)
Напруга Vceo140 В (Tc 25 °C)
Напруга Vcbo140 В (Tc 25 °C)
Напруга Vebo6 В (Tc 25 °C)
Струм Ic10 А (Tc 25 °C)
Потужність Pc100 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
hFE55–160 (Vce 5 В, Ic 1 А)
Частота fT20 МГц тип. (Vce 12 В, Ie 0,5 А)
СтанОригінал

Транзистор 2SA1837 , TO220F

В наявності

27,26 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo-230 В (Ic -10 мА, Ib 0, мін.)
Напруга Vcbo-230 В
Струм колектора Ic-1 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність розсіювання20 Вт (Tc 25 °C), 2 Вт (Ta 25 °C)
Tj макс.150 °C
hFE100–320 при Ic -100 мА, Vce -5 В
Vce(sat) макс.-1.5 В при Ic -500 мА, Ib -50 мА
fT70 МГц при Ic -100 мА, Vce -10 В
КорпусTO-220F

Транзистор 2SA1941 + 2SC5198 ( A1941 + C5198 ) оригінали

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vceo120 В (Ic 10 мА, Tc 25 °C)
Напруга Vcbo140 В (Ic 1 мА, Tc 25 °C)
Напруга Vebo6 В (Ic 1 мА, Tc 25 °C)
Струм Ic8 А (Tc 25 °C)
Потужність Pc80 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
hFE55–160 (Vce 5 В, Ic 1 А)
Vce(sat)до 1.5 В (Ic 4 А, Ib 0,4 А)
Частота fT15 МГц (Vce 5 В, Ic 1 А)
СтанОригінал

Транзистор 2SA1943+2SC5200 оригінали , ТО264

В наявності

305,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникToshiba
Тип2SA1943 – PNP, 2SC5200 – NPN
Напруга колектор–емітер Vceo230 В (2SA1943: -230 В)
Напруга колектор–база Vcbo230 В (2SA1943: -230 В)
Напруга емітер–база Vebo5 В (2SA1943: -5 В)
Струм колектора Ic15 А (2SA1943: -15 А)
Струм бази Ib1.5 А (2SA1943: -1.5 А)
Розсіювана потужність Pc150 Вт
Температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE(1)55–160 (Vce 5 В, Ic 1 А)
Гранична частота fT30 МГц (Vce 5 В, Ic 1 А)
КорпусTO-3P(L)
СтанОригінал

Транзистор 2SA1962 + 2SC5242 ( A1962 + C5242 ) оригінали

В наявності

413,60 ₴
ПараметрЗначення
Тип 2SA1962PNP
Напруга Vceo (2SA1962)-230 В (Ic -50 мА, Tc 25 °C)
Напруга Vcbo (2SA1962)-230 В (Tc 25 °C)
Струм Ic (2SA1962)-15 А (Tc 25 °C)
Потужність Pd (2SA1962)130 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
hFE1 (2SA1962)55–160 (Vce -5 В, Ic -1 А)
fT (2SA1962)30 МГц (тип., Vce -5 В, Ic -1 А)
Корпус2-16C1A (код Toshiba)
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Транзистор 2SA1962 + 2SC5242 ( A1962 + C5242 ) оригінали демонтаж

В наявності

123,61 ₴
ПараметрЗначення
Тип 2SA1962PNP
Напруга Vceo-230 В (Ic -50 мА)
Напруга Vcbo-230 В (Ta 25 °C)
Струм Ic-15 А (Ta 25 °C)
Потужність Pd130 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
hFE55–160 (Ic -1 А, Vce -5 В)
fT30 МГц (тип.)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор 2SA614-Y (KSA614-Y) демонтаж

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
КорпусTO-220
Напруга колектор–емітер Vceo-55 В (IC -10 мА, IB 0; Tc 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo-80 В (IC -500 мкА, IE 0; Tc 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo-5 В (IE -500 мкА, IC 0)
Струм колектора Ic-3 А (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання25 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
hFE, група Y120–240 (VCE -5 В, IC -0,5 А)
СтанДемонтаж б/в

Транзистор 2SA733 , to92

В наявності

4,70 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo-50 В
Напруга Vcbo-60 В
Струм колектора Ic-150 мА (постійний, Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pd250 мВт (Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE90–600 (Ic -1 мА, Vce -6 В)
Напруга насичення Vce(sat)-0.3 В макс. (Ic -100 мА, Ib -10 мА)
Гранична частота fT180 МГц тип. (Ic -10 мА, Vce -6 В)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-92

Транзистор 2SA928 ( 2SA928A )

В наявності

11,28 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo-30 В
Напруга Vcbo-30 В
Струм колектора Ic-2 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pd625 мВт (Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE100–320 (Ic -0.5 А, Vce -2 В)
Напруга насичення Vce(sat)-0.5 В макс. (Ic -1.5 А, Ib -30 мА)
Гранична частота fT120 МГц мін. (Vce -5 В, Ic -500 мА)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-92L

Транзистор 2SA940

В наявності

35,25 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo-150 В
Напруга Vcbo-150 В
Струм колектора Ic-1.5 А (постійний)
Потужність розсіювання Pd25 Вт (Tc 25 °C; 2 Вт при Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE70–200 (Ic -500 мА, Vce -10 В)
Напруга насичення Vce(sat)-1.5 В макс. (Ic -500 мА, Ib -50 мА)
Гранична частота fT4.0 МГц (Ic -500 мА, Vce -10 В)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220

Транзистор 2SA966

В наявності

6,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo-30 В (Ic -10 мА, Ib 0)
Напруга Vcbo-30 В
Струм колектора Ic-1.5 А (постійний)
Потужність розсіювання Pd900 мВт
Коефіцієнт підсилення hFE100–320 (Ic -500 мА, Vce -2 В; групи O 100–200, Y 160–320)
Напруга насичення Vce(sat)-2 В (макс., Ic -1.5 А, Ib -30 мА)
Гранична частота fT120 МГц (Vce -2 В, Ic -500 мА)
КорпусTO-92MOD
ВиробникJSCJ (Jiangsu Changjing Electronics)

Транзистор 2SA970

В наявності

7,05 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP, кремнієвий
Напруга Vceo-120 В (Ta 25 °C; Ic=-1 мА, Ib=0)
Напруга Vcbo-120 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo-5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic100 мА (постійний, Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pd300 мВт (Ta 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE200–700 (Vce=-6 В, Ic=-2 мА; GR 200–400, BL 350–700)
КорпусTO-92
ВиробникBLUE ROCKET

Транзистор 2SB1204 , D-PAK

В наявності

24,91 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo-50 В (Tc 25 °C)
Напруга Vcbo-60 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic-5,0 А (постійний; імпульсний Icp -8,0 А)
Потужність розсіювання Pd20 Вт (Tc 25 °C; 1,0 Вт без радіатора)
Температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE70–400 (Vce=-2 В, Ic=-0,5 А; Q 70–140, R 100–200, S 140–280, T 200–400)
Напруга насичення Vce(sat)-0,55 В (макс., Ic=-3 А, Ib=-0,15 А; типове -0,28 В)
Гранична частота fT130 МГц (типове)
КорпусTO-252 (D-PAK)
ВиробникYTL

Транзистор 2SB1366 , TO220F

В наявності

18,33 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP, кремнієвий силовий
ВиробникSavantIC
Напруга Vceo-60 В
Напруга Vcbo-60 В
Напруга Vebo-7 В
Струм Ic-3 А
Потужність Pd25 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
hFE60–200 (Ic -0,5 А, Vce -5 В)
Vce(sat)-1,0 В (Ic -2 А, Ib -0,2 А)
fT9,0 МГц (типове)
КорпусTO-220F

Транзистор 2SB1370 оригінал

В наявності

79,90 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vcbo-60 В
Напруга Vceo-60 В
Напруга Vebo-5 В
Струм колектора Ic-3 А (постійний)
Імпульсний струм колектора-6 А
Потужність Pc30 Вт (Tc 25 °C)
hFE100–320 (IC -0,5 А, VCE -5 В)
Гранична частота fT15 МГц (IC -0,5 А, VCE -5 В, f 5 МГц)
Температура переходу Tj150 °C
СтанОригінал

Транзистор 2SB1626

В наявності

159,33 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP, Дарлінгтон
ВиробникSanken
КорпусTO-220F
Напруга Vceo110 В
Напруга Vcbo110 В
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic6 А
Струм бази Ib1 А
Потужність Pc30 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
hFEвід 5000 (Vce 4 В, Ic 5 А)
Vce(sat)не більше 2,5 В (Ic 5 А, Ib 5 мА)
Гранична частота fT100 МГц (тип., Vce 12 В, Ie 0,5 А)
Ємність Cob110 пФ (тип., Vcb 10 В, f 1 МГц)

Транзистор 2SB647 ( 2SB647A ) (80V,1A,0.9W)

В наявності

11,75 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
ВиробникHitachi (нині Renesas)
КорпусTO-92MOD
Напруга Vceo80 В (2SB647), 100 В (2SB647A)
Напруга Vcbo120 В
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic1 А (піковий 2 А)
Потужність Pc0,9 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
hFE160–320 (Vce 5 В, Ic 150 мА)
hFE2від 30 (Vce 5 В, Ic 500 мА)
Vce(sat)не більше 1 В (Ic 500 мА, Ib 50 мА)
Гранична частота fT140 МГц (тип., Vce 5 В, Ic 150 мА)
Ємність Cob20 пФ (тип., Vcb 10 В, f 1 МГц)

Транзистор 2SB649A ( B649A , 2SB649AC , 2SB649AL-C )

В наявності

23,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
ВиробникHitachi (нині Renesas)
КорпусTO-126 MOD
Напруга Vceo160 В (2SB649A), 120 В (2SB649)
Напруга Vcbo180 В
Напруга Vebo5 В
Струм колектора Ic1,5 А (піковий 3 А)
Потужність Pc1 Вт (Ta 25 °C), 20 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
hFE160–200 (Vce 5 В, Ic 150 мА)
hFE2від 30 (Vce 5 В, Ic 500 мА)
Vce(sat)не більше 1 В (Ic 500 мА, Ib 50 мА)
Гранична частота fT140 МГц (тип., Vce 5 В, Ic 150 мА)
Ємність Cob27 пФ (тип., Vcb 10 В, f 1 МГц)

Транзистор 2SB688 ( B688 , KTB688 ) оригінал, TO-3P

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
ТипPNP
Напруга Vceo-120 В
Напруга Vcbo-120 В
Струм колектора Ic-8 А
Потужність Pd80 Вт
Температура переходу Tj150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE55–160
Напруга насичення Vce(sat)-2,5 В
Гранична частота fT10 МГц
Вихідна ємність Cob280 пФ
КорпусTO-3P
СтанОригінал

NPN, PNP, Дарлінгтон і комплементарні пари: як читати картки біполярних транзисторів

Серед моделей, які найчастіше шукають, у розділі є 2N3904 і 2N5551 у корпусі TO-92, BD139 у корпусі TO-126, 2SD209L (D209L) у корпусі TO-3P і 2SD882 (D882) у корпусі SOT-89. Огляд усіх видів – у розділі Транзистори.

Vceo і Ic: граничні параметри в картках

  • Напруга колектор-емітер Vceo. Підручник описує цей параметр як максимально припустиму постійну напругу колектор-емітер. Найчастіше в картках вказано 800, 600, 50 або 100 В.
  • Струм колектора Ic – максимально припустимий постійний струм колектора. Найчастіше трапляються 5, 10 і 8 А, є й моделі на 0,1 А.

Що означає позначка «Дарлінгтон»

Так у картках позначено частину NPN і PNP. Це складений транзистор: його утворюють два або більше транзисторів, і вихідний струм попереднього стає струмом бази наступного. Головна особливість схеми Дарлінгтона – дуже великий коефіцієнт підсилення за струмом. Недолік – менша швидкодія. Тому складені транзистори використовують переважно в низькочастотних ключових і лінійних схемах.

Пари NPN + PNP для двотактних каскадів

У назвах частини товарів записано дві моделі через «+», наприклад 2SA1941 + 2SC5198, 2SA1943 + 2SC5200 і 2SD1047 + 2SB817. У картках частини таких товарів вказано «комплементарна пара». Її утворюють транзистори з однаковими параметрами, але різними типами провідності – n-p-n і p-n-p. За підручником, найбільшого поширення набули двотактні схеми, в яких використовуються комплементарні пари. Там само сказано, що комплементарні пари потужних транзисторів широко використовують у побутовій апаратурі.

Високовольтні NPN і деталі з демонтажу

У картках частини NPN вказано «високовольтний швидкодіючий», «рядкова розгортка ТВ» або «з демпферним діодом». Найчастіше з розділу замовляють MD1803DFX з демонтажу; у його назві перелічено також ST1803DFX, ST1803DHI, SY1803 і MD2009DFX. Деталі з демонтажу позначено в назві товару словом «демонтаж» або «б/в». Демонтаж – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.

Серед корпусів найчастіше трапляються TO-92, TO-220, TO-220F і TO-3P. Є, наприклад, SOT-23, SOT-89, TO-126, TO-247 і TO-264. Серед виробників – SANYO, Sanken, NXP Semiconductors, STMicroelectronics і onsemi. Відправляємо Новою Поштою по Україні з Запоріжжя, у день оплати або наступного дня.

Часті запитання

Які є схеми включення біполярного транзистора?

Найчастіше один із виводів транзистора роблять спільним для вхідного і вихідного кіл. Тому розрізняють три схеми включення: зі спільним емітером (СЕ), зі спільною базою (СБ) і зі спільним колектором (СК).

У яких режимах біполярний транзистор працює як ключ?

У ключі транзистор перебуває в одному з двох статичних режимів: відсічки, коли він закритий, або насичення, коли він відкритий і насичений. Активний режим – це перехід з одного такого стану в інший.

Чим TIP41C відрізняється від TIP42C?

За назвами товарів TIP41C має структуру n-p-n, а TIP42C – p-n-p. В обох у назві вказано 100 В, 6 А і 65 Вт, корпус TO-220.

Які характеристики 2SA1015?

У назві товару вказано 50 В, 0,15 А і 0,4 Вт, корпус TO-92.