Біполярні транзистори
Транзистор SS9012G (S9012G) , to92
В наявності
1,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, епітаксіальний кремнієвий |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -20 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -500 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE1 | 64…202 (Vce -1 В, Ic -50 мА, повний діапазон усіх класів) |
| hFE2 | мін. 40 (Vce -1 В, Ic -500 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. -0.6 В (Ic -500 мА, Ib -50 мА) |
Транзистор SS9013H ( S9013H , SS9013G , S9013G) , to92
В наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 25 В (Ic 0,1 мА, Ib 0, мін.) |
| Напруга Vcbo | 40 В (Ic 100 мкА, Ie 0, мін.) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ie 100 мкА, мін.) |
| Струм Ic | 0,5 А |
| Потужність Pd | 0,625 Вт (Tamb 25 °C) |
| hFE (клас H) | 144–202 (Ic 50 мА, Vce 1 В) |
| Vce(sat) | 0,6 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| fT | 150 МГц мін. (Ic 20 мА, Vce 6 В, f 30 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор SS9014C ( SS9014 , KTC9014 , C9014 ) , to92
В наявності
4,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, епітаксіальний кремнієвий |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 45 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 50 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 450 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 60…1000 (Vce 5 В, Ic 1 мА, повний діапазон усіх класів) |
| Гранична частота fT | мін. 150 МГц (Vce 5 В, Ic 10 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 0.3 В (Ic 100 мА, Ib 5 мА) |
| Вихідна ємність Cob | тип. 2.2 пФ, макс. 3.5 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Транзистор SS9015 , to92
В наявності
4,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vcbo | –50 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | –45 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | –5 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | –100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 450 мВт (Ta 25 °C) |
| hFE | 60–1000 (Vce –5 В, Ic –1 мА) |
| Vce(sat) | –0,7 В макс. (Ic –100 мА, Ib –5 мА) |
| fT | 190 МГц тип. (Vce –5 В, Ic –10 мА) |
| NF | 0,7 дБ тип. (Vce –5 В, Ic –0,2 мА, f 1 кГц, Rs 1 кОм) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор SS9018 , to92
В наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 15 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 50 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 400 мВт (Ta 25 °C) |
| hFE | 28–198 (Vce 5 В, Ic 1 мА) |
| Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic 10 мА, Ib 1 мА) |
| fT | 1100 МГц тип. (Vce 5 В, Ic 5 мА) |
| Cob | 1,3 пФ тип. (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор ST1802HI ( 1802HI ) оригінал
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vceo | 600 В (IB = 0) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (IE = 0) |
| Напруга Vebo | 7 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 15 А (tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 50 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC = 4 А, IB = 1,2 А; Tcase 25 °C) |
| Корпус | ISOWATT218 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST8812FX оригінал
В наявності
88,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, високовольтний швидкодіючий |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1150 В (Ie 0) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 600 В (Ib 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 15 В (Ic 0) |
| Струм колектора Ic | 7 А |
| Імпульсний струм Icm | 12 А (tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Час спаду tf | 60 нс типово, 120 нс макс. (Ic 4 А, Ib1 0,8 А, Vclamp 480 В) |
| Ізоляція Visol | 2500 В (RMS) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | ISOWATT218FX |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STX112 , to92
В наявності
45,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, монолітний Дарлінгтон з антипаралельним діодом колектор–емітер |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (Ie 0) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (Ib 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ic 0) |
| Струм колектора Ic | 2 А (імпульсний Icm 4 А) |
| Потужність Ptot | 1,2 Вт (Tamb 25 °C) |
| hFE | мін. 1000 (Ic 1 А, Vce 4 В) |
| Vce(sat) | 2,5 В макс. (Ic 2 А, Ib 8 мА) |
| Vbe(on) | 2,8 В макс. (Ic 2 А, Vce 4 В) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор TIP106 , TO220
В наявності
17,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон, епітаксіальний кремній, вбудовані резистори база–емітер |
| Виробник | Fairchild |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -80 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -80 В |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -8 А (DC, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм | -15 А |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C), 2 Вт (Ta 25 °C) |
| hFE | 1000–20000 (Vce -4 В, Ic -3 А) |
| Vce(sat) | -2 В макс. (Ic -3 А, Ib -6 мА) |
| Vbe(on) | -2,8 В макс. (Vce -4 В, Ic -8 А) |
| Cob | 300 пФ макс. (Vcb -10 В, f 0,1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор TIP111 (n-p-n,80V,2A,50W) , TO220
В наявності
15,51 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Дарлінгтон |
| Корпус | TO-220 |
| Vceo | 80 В (Ta 25 °C) |
| Vcbo | 80 В |
| Vebo | 5 В |
| Ic | 2 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний Ic | 4 А |
| Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE | від 1000 (Vce 4 В, Ic 1 А) |
| Vce(sat) | до 2,5 В (Ic 2 А, Ib 8 мА) |
Транзистор TIP116 (p-n-p,80V,2A,50W) , TO220
В наявності
15,51 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон |
| Корпус | TO-220 |
| Vceo | -80 В (Ic 30 мА, Ib 0) |
| Vcb | -80 В |
| Veb | -5 В |
| Ic | -2 А |
| Імпульсний Ic | -4 А |
| Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj, Tstg | -65…+150 °C |
| hFE | від 1000 (Ic 1 А, Vce 4 В) |
| Vce(sat) | до 2,5 В (Ic 2 А, Ib 8 мА) |
| Cob | до 200 пФ (Vcb 10 В, f 0,1 МГц) |
Транзистор TIP122 оригінал (n-p-n,100V,5A), TO220
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Дарлінгтон |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Vceo | 100 В (IB = 0, Tc 25 °C) |
| Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Vebo | 5 В (IC = 0) |
| Ic | 5 А |
| Піковий Ic | 8 А |
| Pd | 65 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE | від 1000 (Vce 3 В, Ic 3 А) |
| Vce(sat) | до 2 В (Ic 3 А, Ib 12 мА) |
| Rth(j-c) | 1,92 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP127 оригінал (p-n-p,100V,5A), TO220
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -100 В (IB = 0, Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -100 В (IE = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic (DC) | -5 А |
| Піковий струм колектора | -8 А |
| Потужність розсіювання Pd | 65 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 1000 (мін.) при Vce -3 В, Ic -3 А |
| Vce(sat) | -2 В (макс.) при Ic -3 А, Ib -12 мА |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP142 оригінал (n-p-n,100V,10A,125W составний ) , TO247
В наявності
135,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Дарлінгтон (вбудований резистор база-емітер) |
| Напруга Vceo(sus) | 100 В (мінімум, Ic 30 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcb | 100 В (максимум) |
| Напруга Veb | 5.0 В (максимум) |
| Струм колектора постійний | 10 А (максимум) |
| Струм колектора імпульсний | 15 А (5 мс, шпаруватість не більше 10 %) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 1000 (мінімум, Ic 5.0 А, Vce 4.0 В) |
| Vce(sat) | 2.0 В (максимум, Ic 5.0 А, Ib 10 мА, Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.0 °C/Вт (максимум) |
| Температура переходу і зберігання | -65…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP147 оригінал , TO247
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон (вбудований резистор база-емітер) |
| Напруга Vceo(sus) | 100 В (мінімум, Ic 30 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcb | 100 В (максимум) |
| Напруга Veb | 5.0 В (максимум) |
| Струм колектора постійний | 10 А (максимум) |
| Струм колектора імпульсний | 15 А (5 мс, шпаруватість не більше 10 %) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 1000 (мінімум, Ic 5.0 А, Vce 4.0 В) |
| Vce(sat) | 2.0 В (максимум, Ic 5.0 А, Ib 10 мА, Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1.0 °C/Вт (максимум) |
| Температура переходу і зберігання | -65…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP147T , TO220
В наявності
52,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP Дарлінгтон |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А постійний |
| Імпульсний струм колектора Icm | 20 А |
| Потужність розсіювання Pd | 90 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (мін.) | 1000 при IC = 5 А, VCE = 4 В |
| Vce(sat) (макс.) | 2 В при IC = 5 А, IB = 10 мА |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор TIP35C оригінал (Заміна для TIP33C ) , TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 25 А постійний |
| Імпульсний струм колектора Icm | 50 А (tP < 5 мс) |
| Потужність розсіювання Pd | 125 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (мін.) | 25 при IC = 1,5 А, VCE = 4 В |
| Vce(sat) (макс.) | 1,8 В при IC = 15 А, IB = 1,5 А |
| Гранична частота fT (мін.) | 3 МГц при IC = 1 А, VCE = 10 В, f = 1 МГц |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP36C оригінал , TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 25 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 50 А (tP < 5 мс) |
| Потужність розсіювання Pd | 125 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,8 В макс. (IC = 15 А, IB = 1,5 А) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP41C (n-p-n,100V,6A,65W) , TO220
В наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (IE = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 6 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 10 А |
| Потужність розсіювання Pd | 65 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–75 (IC = 3 А, VCE = 4 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC = 6 А, IB = 0,6 А) |
Транзистор TIP42C (p-n-p,100V,6A,65W) , TO220
В наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -100 В (TC 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -100 В (TC 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (TC 25 °C) |
| Струм Ic (DC) | -6 А (TC 25 °C) |
| Струм Icp імпульсний | -10 А (TC 25 °C) |
| Потужність Pc | 65 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE | мін. 30 при Vce -4 В, Ic -0,3 А |
| Vce(sat) | -1,5 В макс. при Ic -6 А, Ib -600 мА |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор TT2140 , TO220F
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 6 А (Ta 25 °C), імпульсний Icp 15 А |
| Потужність Pc | 30 Вт (Tc 25 °C), 2,0 Вт без радіатора |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 3 В макс. (Ic 3,15 А, Ib 0,63 А) |
| hFE | 10 мін. (Vce 5 В, Ic 0,5 А); 5–8 (Vce 5 В, Ic 3,5 А) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс макс. (Ic 2 А, Ib1 0,4 А, Ib2 -0,8 А) |
| Демпферний діод | є, Vf макс. 2 В при Iec 6 А |
| Корпус | TO-220F |
Демонтаж
Транзистор TT2140 оригінал демонтаж, TO220F ( Заміна для 2SC5885 , 2SD2627 , BU1508DX , ST1803DFH , MD1803DFH , MD1803DFP )
В наявності
55,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Sanyo |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 6 А |
| Імпульсний струм колектора Icp | 15 А |
| Потужність розсіювання Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований демпферний діод | є |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TT2170 , TO220F
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN (triple diffused planar) |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Напруга Vcbo | 1500 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icp | 12 А |
| Потужність розсіювання Pc | 25 Вт (з радіатором, Tc = 25 °C); 2,0 Вт (вільне повітря, Ta = 25 °C) |
| Vce(sat) | 3 В макс. (IC = 2,7 А, IB = 0,54 А) |
| Демпферний діод | є |
| Виробник | SANYO |
Транзистор TT2190 , TO220F
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А безперервний, імпульсний Icp 20 А |
| Потужність Pc | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 3,0 В макс. (Ic 4,5 А, Ib 0,9 А) |
| hFE | 10 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В); 5–8 (Ic 5 А, Vce 5 В) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс макс. (Ic 3 А, Ib1 0,6 А, Ib2 -1,2 А) |
| Демпферний діод | є, Vecf макс. 2 В при If 7 А |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор TT2190 оригінал (Заміна для 2SC6093 ) , TO220F
В наявності
72,38 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А безперервний, імпульсний Icp 20 А |
| Потужність Pc | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 3,0 В макс. (Ic 4,5 А, Ib 0,9 А) |
| hFE | 10 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В); 5–8 (Ic 5 А, Vce 5 В) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс макс. (Ic 3 А, Ib1 0,6 А, Ib2 -1,2 А) |
| Демпферний діод | є, Vecf макс. 2 В при If 7 А |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TT2206
В наявності
68,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Біполярний транзистор NPN |
| Напруга Vcbo | 1600 В |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Струм колектора Ic | 20 А |
| Потужність розсіювання Pc | 95 Вт |
| Корпус | TO-3PMLH |
Демонтаж
Транзистор TT3034 + TT3043 оригінали демонтаж , TO220
В наявності
263,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2N2222A ( KSP2222A ) , to92
Немає в наявності
3,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 40 В (IC 10 мА, IB = 0) |
| Напруга Vcbo | 75 В (IC 10 мкА, IE = 0) |
| Струм колектора Ic | 0.6 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–300 (VCE 10 В, IC 150 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.3 В (макс., IC 150 мА, IB 15 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 300 МГц (мін., VCE 20 В, IC 20 мА, f 100 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2N2907A ( 2907A , KSP2907A , PN2907A ) , to92
Немає в наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | 60 В (2N2907A, IC 10 мА) |
| Напруга Vcbo | 60 В |
| Струм колектора Ic | 600 мА (постійний) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–300 (VCE 10 В, IC 150 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.4 В (макс., IC 150 мА, IB 15 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 200 МГц (мін., IC 50 мА, VCE 20 В, f 100 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2N3906 , to92
Немає в наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -40 В (IC -1 мА, IB = 0) |
| Напруга Vcbo | -40 В (IC -10 мкА, IE = 0) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–300 (VCE -1 В, IC -10 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.4 В (макс., IC -50 мА, IB -5 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C, виводова рамка з Cu) |
| Гранична частота fT | 250 МГц (мін., VCE -20 В, IC -10 мА, f 100 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SA1046 , TO220F
Немає в наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон |
| Напруга Vceo | -100 В (V(BR)CEO мін., IC -10 мА) |
| Напруга Vcbo | -100 В |
| Струм колектора Ic | -15 А (постійний) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 3000 (мін., IC -3 А, VCE -3 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SA935
Немає в наявності
9,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -80 В (V(BR)CEO, IC -2 мА, IB = 0) |
| Напруга Vcbo | -80 В (V(BR)CBO, IC -50 мкА, IE = 0) |
| Імпульсний струм колектора ICM | -0.7 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 82–390 (VCE -3 В, IC -100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.4 В (макс., IC -500 мА, IB -50 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 0.75 Вт (Tamb 25 °C) |
| Гранична частота fT | 100 МГц (мін., VCE -10 В, IC -50 мА) |
| Діапазон температур переходу і зберігання | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92L |
Транзистор 2SA958 , TO220
Немає в наявності
52,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -200 В (Ta 25 °C; V(BR)CEO мін. при Ic -25 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | -200 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -2 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40 (мін., Ic -0,7 А, Vce -10 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -1,5 В (макс., Ic -0,7 А, Ib -70 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор 2SB631K
Немає в наявності
27,26 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -120 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -1 А (Ta 25 °C; імпульсний -2 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 8 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 60–320 (Vce -5 В, Ic -50 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0,15 В тип., макс. -0,4 В (Ic -500 мА, Ib -50 мА) |
| Гранична частота fT | 110 МГц тип. (Vce -10 В, Ic -50 мА) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Виробник | SANYO (onsemi) |
Транзистор 2SB734
Немає в наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -50 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -60 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -1,0 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 1,0 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 | 135–600 (тип. 250; Vce -2 В, Ic -100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0,35 В тип., макс. -0,60 В (Ic -1 А, Ib -50 мА) |
| Гранична частота fT | 80 МГц тип., мін. 50 МГц (Vce -2 В, Ie 10 мА) |
| Виробник | NEC |
Транзистор 2SB772 , TO126 ( 3CA8772 , CA8772 )
Немає в наявності
11,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -30 В (Ta 25 °C; Ic -10 мА, Ib 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -40 В (Ta 25 °C; Ic -100 мкА, Ie 0) |
| Струм колектора Ic | -3 А (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 60–400 (Vce -2 В, Ic -1 А) |
| Гранична частота fT | 50 МГц мін. (Vce -5 В, Ic -0,1 А, f 10 МГц) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор 2SC1008Y , to92
Немає в наявності
6,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 60 В (Ta 25 °C; Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 80 В (Ta 25 °C; Ic 10 мкА, Ie 0) |
| Струм колектора Icm | 700 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 800 мВт (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група Y) | 120–240 |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,4 В (макс.; Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Гранична частота fT | 30 МГц (мін.; Vce 10 В, Ib 50 мА, f 100 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SC1027
Немає в наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 80 В (база розімкнена) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 250 В (емітер розімкнений) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 6 А |
| Потужність розсіювання Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10 (мін.; Ic 5 А, Vce 2 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.0 В (макс.; Ic 5 А, Ib 0,5 А, Tj 25 °C) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1.5 В (макс.; Ic 5 А, Ib 0,5 А, Tj 25 °C) |
| Зворотний струм колектора Icbo | 0.1 мА (макс.; Vcb 250 В, Ie 0) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3 |
Транзистор 2SC1473
Немає в наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 200 В (база розімкнена) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 250 В (емітер розімкнений) |
| Напруга емітер–база Vebo | 7 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 70 мА (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icp | 100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 750 мВт (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 60–220 (Vce 10 В, Ic 5 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.2 В (макс.; Ic 50 мА, Ib 5 мА) |
| Гранична частота fT | 80 МГц (тип., мін. 50; Vcb 10 В, Ie −10 мА, f 200 МГц) |
| Вихідна ємність Cob | 10 пФ (макс.; Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92 (TO-92-B1, EIAJ SC-43A) |
Транзистор 2SC2001
Немає в наявності
6,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 25 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 700 мА (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 600 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 90–400 (Vce 1 В, Ic 100 мА; ранги M 90–180, L 135–270, K 200–400) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.6 В (макс., Ic 700 мА, Ib 70 мА) |
| Гранична частота fT | 50 МГц (мін., Vce 6 В, Ic 10 мА, f 30 МГц) |
| Корпус | TO-92 |