Біполярні транзистори
Транзистор BC517
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Дарлінгтон |
| Напруга Vcbo | 40 В |
| Напруга Vceo | 30 В |
| Напруга Vebo | 10 В |
| Струм колектора Ic | 500 мА (постійний) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт при Ta 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 30000 мін. при Ic 100 мА, Vce 2 В |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.0 В макс. при Ic 100 мА, Ib 1 мА |
| Напруга Vbe(sat) | 1.5 В тип. (макс. 2,0 В) при Ic 100 мА, Ib 1 мА |
| Гранична частота fT | 220 МГц тип. |
| Вихідна ємність Cob | 5.0 пФ тип. при Vcb 10 В, f 1 МГц |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC546 (BC546B) , to92
В наявності
3,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 65 В |
| Напруга Vces | 80 В |
| Напруга Vcbo | 80 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 100 мА |
| Імпульсний струм Icm | 200 мА |
| Потужність Ptot | 500 мВт |
| Гранична частота fT | 300 МГц |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC547B , to92
В наявності
5,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 45 В (база розімкнена) |
| Напруга Vcbo | 50 В (емітер розімкнений) |
| Напруга Vebo | 5 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 200 мА (TA 25 °C) |
| Потужність Ptot | 500 мВт (TA 25 °C) |
| hFE (група B) | 200–450 (VCE 5 В, Ic 2 мА, TA 25 °C) |
| Частота fT | тип. 300 МГц (VCE 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | Diotec Semiconductor |
Транзистор BC548B , to92
В наявності
1,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 30 В (база розімкнена) |
| Напруга Vcbo | 30 В (емітер розімкнений) |
| Напруга Vebo | 5 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 200 мА (TA 25 °C) |
| Потужність Ptot | 500 мВт (TA 25 °C) |
| hFE (група B) | 200–450 (VCE 5 В, Ic 2 мА, TA 25 °C) |
| Частота fT | мін. 300 МГц (VCE 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | Diotec Semiconductor |
Транзистор BC550C , to92
В наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, малошумний |
| Напруга Vceo | 45 В (абс. макс.) |
| Напруга Vcbo | 50 В (абс. макс.) |
| Напруга Vebo | 5 В (абс. макс.) |
| Струм колектора Ic | 100 мА |
| Потужність Pc | 500 мВт |
| hFE (група C) | 420–800 (VCE 5 В, Ic 2 мА, TC 25 °C) |
| Частота fT | тип. 300 МГц (VCE 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
Транзистор BC556B (65V,0.1A,0.5W,p-n-p) , to92
В наявності
3,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo (BC556) | 65 В (TA 25 °C, база розімкнена) |
| Напруга колектор–база Vcbo (BC556) | 80 В (TA 25 °C, емітер розімкнений) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 100 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 200 мА (TA 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 500 мВт (TA 25 °C) |
| hFE (група B) | 200…450 (VCE -5 В, IC -2 мА, Tj 25 °C) |
| Гранична частота fT | 150 МГц (типове, VCE -5 В, IC -10 мА, f 100 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC558B , to92
В наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo (BC558) | 30 В (TA 25 °C, база розімкнена) |
| Напруга колектор–база Vcbo (BC558) | 30 В (TA 25 °C, емітер розімкнений) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 100 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 200 мА (TA 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 500 мВт (TA 25 °C) |
| hFE (група B) | 200…450 (VCE -5 В, IC -2 мА, Tj 25 °C) |
| Гранична частота fT | 150 МГц (типове, VCE -5 В, IC -10 мА, f 100 МГц) |
| Коефіцієнт шуму F | 2 дБ тип., 10 дБ макс. (VCE -5 В, IC -200 мкА, RG 2 кОм, f 1 кГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC639
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN (епітаксіальний) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 80 В (TA 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (TA 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 1 А (TA 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 1 Вт (TA 25 °C) |
| hFE, версія BC639-10 | 63…160 (VCE 2 В, IC 150 мА) |
| hFE, версія BC639-16 | 100…250 (VCE 2 В, IC 150 мА) |
| Vce(sat) макс. | 0.5 В (IC 500 мА, IB 50 мА) |
| Гранична частота fT | 100 МГц (VCE 5 В, IC 50 мА, f 100 МГц) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 125 °C/Вт |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC640
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -80 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | -80 В |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -0,5 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 150 МГц (типово, Ic -50 мА, Vce -2 В, f 100 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC817-40 (45V,0.5A,0.25W) npn , sot23 ( 2SC3052 )
В наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 45 В (Tamb 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 50 В (Tamb 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Tamb 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 500 мА (Tamb 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 1 А (tp ≤ 1 мс, Tamb 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 250–600 (Vce 1 В, Ic 100 мА) |
| Потужність розсіювання Ptot | 250 мВт (Tamb ≤ 25 °C, плата FR4) |
| Потужність розсіювання Ptot (площадка колектора 1 см²) | 345 мВт (Tamb ≤ 25 °C, плата FR4) |
| Гранична частота fT (мін.) | 100 МГц (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор BC847C , sot23
В наявності
2,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 45 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | 50 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 100 мА |
| Потужність розсіювання Pd | 225 мВт (TA 25 °C, плата FR-5) |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група C) | 420–800 (Ic 2 мА, Vce 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,25 В (макс., Ic 10 мА, Ib 0,5 мА) |
| Гранична частота fT (мін.) | 100 МГц |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор BC856B (3B-PNP) (65V,0.1A,0.25W) , sot23
В наявності
1,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | 65 В (відкрита база, Tamb 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (Tamb 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 200 мА (Tamb 25 °C) |
| Потужність Ptot | 250 мВт (Tamb 25 °C, плата FR4) |
| hFE | 220–475 (Vce -5 В, Ic -2 мА, група B) |
| Гранична частота fT | від 100 МГц (Vce -5 В, Ic -10 мА) |
| Корпус | SOT-23 |
| Виробник | Nexperia |
Транзистор BC858B , sot23
В наявності
1,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | 30 В (відкрита база, Tamb 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 30 В (відкритий емітер) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (Tamb 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 200 мА (Tamb 25 °C) |
| Потужність Ptot | 250 мВт (Tamb 25 °C, плата FR4) |
| hFE | 220–475 (Vce -5 В, Ic -2 мА) |
| Гранична частота fT | від 100 МГц (Vce -5 В, Ic -10 мА) |
| Корпус | SOT-23 |
| Виробник | Nexperia |
Транзистор BD139 , TO126 ( BD135 , BD137 )
В наявності
14,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 80 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | 80 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 1.5 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 3 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 12.5 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.5 В при Ic 0.5 А, Ib 0.05 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40–250 при Ic 150 мА, Vce 2 В |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD140 , TO126 ( BD136 , BD138 )
В наявності
14,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -80 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | -80 В |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -1.5 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | -3 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 12.5 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.5 В при Ic -0.5 А, Ib -0.05 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40–250 при Ic -150 мА, Vce -2 В |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD244C , TO220
В наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -100 В при Ic = -30 мА, Ib = 0, Tc 25 °C |
| Напруга Vcbo | -100 В при Ta 25 °C |
| Напруга Vebo | -5 В при Ta 25 °C |
| Струм колектора Ic | -6 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | -10 А |
| Розсіювана потужність Pc | 65 Вт при Tc = 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | -1.5 В макс. при Ic = -6 А, Ib = -1 А |
| hFE | 30 мін. при Ic = -0,3 А, Vce = -4 В; 15 мін. при Ic = -3 А, Vce = -4 В |
| Гранична частота fT | 3.0 МГц мін. при Ic = -0,5 А, Vce = -10 В, f = 1 МГц |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор BD434
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | 22 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 22 В (Ie = 0) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ic = 0) |
| Струм Ic | 4 А (постійний) |
| Струм Icm | 7 А (t ≤ 10 мс) |
| Потужність Ptot | 36 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 0.5 В макс. (Ic = 2 А, Ib = 0,2 А, Tcase 25 °C) |
| Гранична частота fT | 3 МГц мін. (Ic = 250 мА, Vce = 1 В) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD435 (n-p-n,32V,4A,36W)
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 32 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 32 В (Ie = 0) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ic = 0) |
| Струм Ic | 4 А (постійний) |
| Струм Icm | 7 А (t ≤ 10 мс) |
| Потужність Ptot | 36 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 0.5 В макс. (Ic = 2 А, Ib = 0,2 А, Tcase 25 °C) |
| Гранична частота fT | 3 МГц мін. (Ic = 250 мА, Vce = 1 В) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD436 (p-n-p 32V,4A,36W)
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | 32 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 32 В (Ie = 0) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ic = 0) |
| Струм Ic | 4 А (постійний) |
| Струм Icm | 7 А (t ≤ 10 мс) |
| Потужність Ptot | 36 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 0.5 В макс. (Ic = 2 А, Ib = 0,2 А, Tcase 25 °C) |
| Гранична частота fT | 3 МГц мін. (Ic = 250 мА, Vce = 1 В) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD437
В наявності
19,74 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 45 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 45 В (Ie = 0) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ic = 0) |
| Струм колектора Ic | 4 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 7 А (t ≤ 10 мс) |
| Потужність Ptot | 36 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vce(sat) макс. | 0.6 В (Ic = 2 А; Ib = 0,2 А; Tcase 25 °C) |
| fT мін. | 3 МГц (Ic = 250 мА; Vce = 1 В) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD680A (p-n-p)
В наявності
11,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP Darlington |
| Напруга Vceo | 80 В (Ic 50 мА, VCEO(sus)) |
| Напруга Vcbo | 80 В (Ie = 0) |
| Струм колектора Ic | 4 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icm | 6 А |
| Потужність Ptot | 40 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vce(sat) макс. | 2.8 В (Ic 2 А, Ib 40 мА, Tcase 25 °C) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD911 (n-p-n,100V,15A,90W) , TO220
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 100 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В (Ie = 0) |
| Струм колектора Ic | 15 А (постійний) |
| Потужність Ptot | 90 Вт (Tc ≤ 25 °C) |
| hFE мін. | 40 (Ic 0,5 А, Vce 4 В) |
| fT мін. | 3 МГц (Ic 0,5 А, Vce 4 В) |
| Vce(sat) макс. | 1 В (Ic 5 А, Ib 0,5 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор BD912 оригінал (p-n-p,100V,15A,90W) , TO220
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vceo | 100 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В (Ie = 0) |
| Струм колектора Ic | 15 А (постійний) |
| Потужність Ptot | 90 Вт (Tc ≤ 25 °C) |
| hFE | від 40 (Ic 0,5 А, Vce 4 В) |
| fT | від 3 МГц (Ic 0,5 А, Vce 4 В) |
| Vce(sat) | не більше 1 В (Ic 5 А, Ib 0,5 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BDW94C (p-n-p 100V,12A,80W,составний) , TO220 ( 2N6491 )
В наявності
30,08 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP Darlington |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vceo | 100 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В (Ie = 0) |
| Струм колектора Ic | 12 А (постійний), 15 А (імпульсний) |
| Потужність Ptot | 80 Вт (Tc ≤ 25 °C) |
| hFE | від 1000 (Ic 3 А, Vce 3 В) |
| Vce(sat) | не більше 2 В (Ic 5 А, Ib 20 мА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор BDX53C
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Darlington |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vceo | 100 В (Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В (Ie = 0) |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний), 12 А (імпульсний) |
| Потужність Ptot | 60 Вт (Tc = 25 °C) |
| hFE | від 750 (Ic 3 А, Vce 3 В) |
| Vce(sat) | не більше 2 В (Ic 3 А, Ib 12 мА) |
| Vf діода | 1.8 В тип. (If 3 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
Транзистор BF421 , to92
В наявності
3,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | KEC |
| Напруга Vceo | -300 В |
| Напруга Vcbo | -300 В |
| Струм Ic | -50 мА (DC), імпульсний -100 мА |
| hFE | 50–300 (VCE -20 В, IC -25 мА, Ta 25 °C) |
| Vce(sat) | -0.6 В макс. (IC -30 мА, IB -5 мА, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Частота fT | 60 МГц мін. (VCE -10 В, IC -10 мА, Ta 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BFR93A , sot23
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 12 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 20 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 90 мА (TA 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 300 мВт (Ts ≤ 111 °C) |
| hFE | 70–140 (Ic 30 мА, Vce 8 В) |
| fT | 6 ГГц (Ic 30 мА, Vce 8 В, f 500 МГц) |
| NFmin | 1,5 дБ (Ic 5 мА, Vce 8 В, f 900 МГц) |
| Виробник | Infineon |
Транзистор BSR52 (SR52) 80V,1A,0.83W , to92
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Darlington |
| Виробник | NXP / Philips Semiconductors |
| Напруга Vces | 80 В (VBE = 0) |
| Напруга Vcbo | 90 В (емітер розімкнений) |
| Струм Ic | 1 А (DC), імпульсний 2 А |
| hFE | 1000 мін. (VCE 10 В, IC 150 мА); 2000 мін. (VCE 10 В, IC 500 мА) |
| Vce(sat) | 1.3 В макс. (IC 0,5 А, IB 0,5 мА) |
| Потужність Ptot | 0.83 Вт (Tamb 25 °C, плата FR4) |
| Частота fT | 200 МГц тип. (IC 500 мА, VCE 5 В, f 100 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BU1508AX (1500V,8A,35W)
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP / Philips Semiconductors |
| Напруга Vcesm | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (база розімкнена) |
| Струм Ic | 8 А (DC), імпульсний 15 А |
| hFE | 4.0–7.0, тип. 5.5 (IC 4,5 А, VCE 1 В, Ths 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.0 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,1 А) |
| Час спаду tf | 0.4 мкс тип., 0.6 мкс макс. |
| Потужність Ptot | 35 Вт (Ths 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Напруга ізоляції | 2500 В RMS (f 50–60 Гц) |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор BU2506DF
В наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN з вбудованим демпферним діодом |
| Виробник | NXP / Philips Semiconductors |
| Напруга Vcesm | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (база розімкнена) |
| Струм колектора Ic | 5 А (DC; імпульсний 8 А) |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT199 |
Транзистор BU2508AX
В наявності
57,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcesm (пік) | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний, Ths 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 15 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SOT399 |
| Виробник | NXP Semiconductors |
Демонтаж
Транзистор BU2520DX оригінал демонтаж ( Заміна для BU2515DX , S2055N )
В наявності
133,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN з вбудованим демпферним діодом |
| Виробник | NXP / Philips Semiconductors |
| Напруга Vcesm | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 800 В (база розімкнена) |
| Струм колектора Ic | 10 А (DC; імпульсний 25 А) |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT399 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BU2525AX оригінал ( Заміна для S2000AF, BU2523AX )
В наявності
91,18 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Напруга Vcesm | 1500 В (Vbe = 0 В) |
| Напруга Vceo | 800 В (база відкрита) |
| Струм колектора Ic | 12 А (DC) |
| Струм колектора, імпульс Icm | 30 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT399 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор BU2527AX оригінал демонтаж ( Заміна для 2SC6074 )
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Напруга Vcesm | 1500 В (Vbe = 0 В) |
| Напруга Vceo | 800 В (база відкрита) |
| Струм Ic | 12 А |
| Струм Icm (імпульс) | 30 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Th ≤ 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vce(sat) | 5 В (Ic = 6 А; Ib = 1,2 А макс.) |
| Корпус | SOT399 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BU2527DX оригінал
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcesm (пік) | 1500 В (VBE = 0 В) |
| Напруга Vceo | 800 В (база розімкнена) |
| Струм колектора Ic (DC) | 12 А |
| Струм колектора піковий Icm | 30 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Vce(sat) | 5.0 В макс. (Ic = 8.0 А; Ib = 1.6 А) |
| Час розсмоктування ts | 1.7 мкс тип. / 2.0 мкс макс. (Icsat = 6.0 А; f = 64 кГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Ізоляція Visol | 2500 В |
| Вбудований демпферний діод | так |
| Корпус | SOT399 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор BU2720DX оригінал демонтаж (заміна для 2SD5036 , 3DD5036 )
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcesm (пік) | 1700 В (VBE = 0 В) |
| Напруга Vceo | 825 В (база розімкнена) |
| Струм колектора Ic (DC) | 10 А |
| Струм колектора піковий Icm | 25 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.0 В макс. (Ic = 5.5 А; Ib = 1.38 А) |
| Час розсмоктування ts | 7.4 мкс тип. / 8.5 мкс макс. (Icsat = 5.5 А; f = 16 кГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Ізоляція Visol | 2500 В |
| ESD (HBM, 250 пФ, 1.5 кОм) | 10 кВ |
| Вбудований демпферний діод | так |
| Корпус | SOT399 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BU406 , TO220 ( MX362-0 )
В наявності
15,98 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Vceo (sus) | 200 В (Ic = 100 мА; Ib = 0) |
| Vcev | 400 В |
| Vcbo | 400 В |
| Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 7 А |
| Струм колектора піковий | 15 А (10 мс) |
| Струм бази Ib | 4 А |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc = 25 °C) |
| Vce(sat) | 1 В макс. (Ic = 5 А; Ib = 0.5 А) |
| Vbe(sat) | 1.2 В макс. (Ic = 5 А; Ib = 0.5 А) |
| fT | 10 МГц мін. (Ic = 0.5 А; Vce = 10 В; f = 20 МГц) |
| Cob | 80 пФ тип. (Vcb = 10 В; f = 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Корпус (докладно) | TO-220AB (Case 221A) |
| Tj (перехід) і Tstg (зберігання) | -65…150 °C |
Транзистор BU4507AF
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Напруга Vceo | 800 В (відкрита база) |
| Напруга Vcesm | 1500 В (пік, VBE = 0) |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний, Ths ≤ 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 15 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 3,0 В макс. (IC = 4 А, IB = 1 А; Ths 25 °C) |
| Ізоляція Visol | 2500 В (між виводами і радіатором) |
| Корпус | SOT199 |
Транзистор BU4525AX оригінал
В наявності
150,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Напруга Vcesm | 1500 В (Vbe = 0 В) |
| Напруга Vceo | 800 В (база відкрита) |
| Струм Ic (DC) | 12 А |
| Струм Icm (імпульс) | 30 А |
| Потужність Ptot | 45 Вт (Ths ≤ 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vce(sat) | 3.0 В (Ic = 9,0 А; Ib = 2,25 А макс.) |
| hFE | 5.8 (4,2–7,6) при Ic = 9,0 А; Vce = 5 В |
| Visol | 2500 В (макс.) |
| Корпус | SOT399 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BUH1015HI оригінал (1500V,14A,70W) ( BUH515 )
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 700 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 10 В |
| Струм колектора Ic | 14 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 18 А при tp < 5 мс |
| Потужність розсіювання Ptot | 70 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1.8 °C/Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В при Ic 10 А, Ib 2 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 7–14 при Ic 10 А, Vce 5 В |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | ISOWATT218 |
| Стан | Оригінал |