Біполярні транзистори
Транзистор 2SB698E ( 2SB698 )
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник (за документом) | Sanyo |
| Корпус | TO-92 |
| Корпус (докладно) | SANYO NP (2003B), TO-92, виводи E-C-B |
| Напруга Vcbo | –25 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | –20 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | –5 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | –0,7 А (Ta 25 °C) |
| Струм Icp | –1,5 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 0,6 Вт (Ta 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE1 | 60–560 (Vce –2 В, Ic –50 мА) |
| hFE2 | 50 мін. (Vce –2 В, Ic –500 мА) |
| fT | 250 МГц (Vce –10 В, Ic –50 мА, типове) |
Транзистор 2SB764(50V,1A,0.9W)
В наявності
14,57 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник (за документом) | Sanyo |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Корпус (докладно) | SANYO MP (2006B), TO-126, виводи E-C-B |
| Напруга Vcbo | –60 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | –50 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | –5 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | –1 А (Ta 25 °C) |
| Струм Icp | –2 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 0,9 Вт (Ta 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE1 | 60–320 (Vce –2 В, Ic –50 мА) |
| hFE2 | 30 мін. (Vce –2 В, Ic –1 А) |
| fT | 150 МГц (Vce –10 В, Ic –50 мА, типове) |
Транзистор 2SB772 smd , sot89
В наявності
15,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vcbo | –40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | –30 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | –3 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 0,5 Вт (Ta 25 °C) |
| hFE | 60–400 (Vce –2 В, Ic –1 А) |
| Гранична частота fT | 50 МГц мін. |
| Корпус | SOT-89 |
| Температура переходу | до 150 °C |
Транзистор 2SB774
В наявності
6,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник (за документом) | Panasonic |
| Корпус | TO-92 |
| Корпус (докладно) | TO-92-B1 (EIAJ SC-43A), виводи E-C-B |
| Напруга Vcbo | –30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | –25 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | –15 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | –100 мА (Ta 25 °C) |
| Струм Icp | –200 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 400 мВт (Ta 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE1 | 210–460 (Vce –10 В, Ic –2 мА) |
| hFE2 | 90 мін. (Vce –2 В, Ic –100 мА) |
| Vce(sat) | –0,5 В макс. (Ic –100 мА, Ib –10 мА) |
| fT | 150 МГц (Vcb –10 В, Ie 2 мА, f 200 МГц, типове) |
| Cob | 4 пФ (Vcb –10 В, типове) |
Транзистор 2SB778+2SD998 ( B778+D998 , KTB778+KTD998 ) оригінали, TO-3P(H)IS
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 2SB778 PNP, 2SD998 NPN |
| Напруга Vceo | 120 В |
| Напруга Vcbo | 120 В |
| Струм колектора Ic | 10 А |
| Потужність Pd | 80 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 | 55–160 |
| Коефіцієнт підсилення hFE2 | 35 |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,5 В |
| Гранична частота fT | 10 МГц |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SB817 ( B817 ) демонтаж, TO3P
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, кремнієвий силовий |
| Виробник | SPTECH |
| Напруга Vceo | -140 В (Ta 25 °C, Ic -30 мА) |
| Напруга Vcbo | -160 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | -12 А (імпульсний -15 А) |
| Потужність Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 60–200 (Ic -1 А, Vce -5 В) |
| Vce(sat) | -2,5 В (Ic -5 А, Ib -0,5 А) |
| fT | 15 МГц (Ic -1 А, Vce -5 В) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор 2SB882
В наявності
13,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, Дарлінгтон |
| Виробник | SPTECH |
| Напруга Vceo | -60 В (Ta 25 °C, Ic -30 мА) |
| Напруга Vcbo | -70 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | -10 А (пік -15 А) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 2000 мін. (Ic -5 А, Vce -2 В) |
| Vce(sat) | -1,5 В (Ic -5 А, Ib -10 мА) |
| fT | 20 МГц (Ic -5 А, Vce -5 В) |
Транзистор 2SB892
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–база Vcbo | -60 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -50 В |
| Напруга емітер–база Vebo | -6 В |
| Струм колектора Ic (постійний) | -2 А |
| Потужність розсіювання Pd | 750 мВт |
| Коефіцієнт підсилення hFE(1) | 100–560 (Vce -2 В, Ic -100 мА) |
| Гранична частота fT | 150 МГц (Vce -10 В, Ic -50 мА) |
| Корпус | TO-92L |
| Виробник | JSCJ |
Транзистор 2SC1026
В наявності
11,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Біполярний транзистор NPN |
| Напруга Vcbo | 200 В |
| Напруга Vceo | 180 В |
| Струм колектора Ic | 100 мА |
| Потужність розсіювання Pc | 1 Вт |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 120–400 |
| Корпус | TO-92L |
Транзистор 2SC1740
В наявності
7,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 60 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 50 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 7 В |
| Струм колектора Ic | 150 мА |
| Потужність розсіювання Pc | 300 мВт |
| Температура переходу Tj, макс. | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 120–560 (Vce 6 В, Ic 1 мА) |
| Корпус | TO-92S |
Транзистор 2SC1815GR , to92
В наявності
2,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер V(BR)CEO, мін. | 50 В (Ic 0,1 мА, Ib 0) |
| Напруга колектор–база V(BR)CBO, мін. | 60 В (Ic 100 мкА, Ie 0) |
| Напруга емітер–база V(BR)EBO, мін. | 5 В (Ie 100 мкА, Ic 0) |
| hFE, група GR | 200–400 (Ic 2 мА, Vce 6 В) |
| Vce(sat), макс. | 0,25 В (Ic 100 мА, Ib 10 мА) |
| fT, мін. | 80 МГц (Ic 1 мА, Vce 10 В, f 30 МГц) |
| Потужність Pd | 0,4 Вт |
| Температура переходу | -55…+125 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SC2230
В наявності
11,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 200 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 160 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 100 мА |
| Потужність Pc | 800 мВт |
| hFE(1) | 120–400 (Vce 10 В, Ic 10 мА) |
| hFE(2), мін. | 80 (Vce 10 В, Ic 50 мА) |
| Vce(sat), макс. | 0,5 В (Ic 50 мА, Ib 5 мА) |
| fT, мін. | 50 МГц (Vce 10 В, Ic 10 мА) |
| Cob, макс. | 7 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Корпус | 2-5J1A (Toshiba) |
Транзистор 2SC2236
В наявності
9,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Vceo | 30 В (Ic 10 мА, Ib 0; Ta 25 °C) |
| Vcbo | 30 В (Ta 25 °C) |
| Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Ic постійний | 1.5 А (Ta 25 °C) |
| Pc | 0.9 Вт (Ta 25 °C) |
| hFE | 100–320 (Vce 2 В, Ic 500 мА) |
| Vce(sat), макс. | 2 В (Ic 1,5 А, Ib 0,03 А) |
| fT, тип. | 120 МГц (Vce 2 В, Ic 500 мА) |
| Cob, макс. | 30 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-92MOD |
Транзистор 2SC2271
В наявності
9,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | FOSHAN (FSBREC) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic (постійний) | 100 мА (Ta 25 °C; імпульсний Icp 300 мА) |
| Потужність розсіювання Pc | 900 мВт (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40–200 (Vce 10 В, Ic 10 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.6 В макс. (Ic 20 мА, Ib 2 мА) |
| Гранична частота fT | 50 МГц (Vce 30 В, Ic 10 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92LM |
Транзистор 2SC2328A
В наявності
9,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | DDF (Shenzhen DingDeFeng Technology) |
| Напруга колектор–емітер BVceo | 30 В (Ic 10 мА, Ib 0; Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база BVcbo | 30 В (Ic 100 мкА, Ie 0) |
| Напруга емітер–база BVebo | 5 В (Ie 1 мА, Ic 0) |
| Струм колектора Icm (імпульсний) | 2 А |
| Потужність розсіювання Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–320 (Vce 2 В, Ic 0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.5 В макс. (Ic 1,5 А, Ib 30 мА) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1.2 В макс. (Ic 1,5 А, Ib 30 мА) |
| Гранична частота fT | 120 МГц мін. (Vce 5 В, Ic 500 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92L |
Транзистор 2SC2330
В наявності
9,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN епітаксіальний кремнієвий (підсилювач потужності VHF) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 18 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 38 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 3 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 6 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pt | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 200 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2.5 °C/Вт |
| Вихідна потужність Pout | 45.7 дБм тип., 45 дБм мін. (Vcc 13,5 В, f 175 МГц, Pin 39 дБм) |
| ККД колектора | 75 % тип., 60 % мін. (Vcc 13,5 В, f 175 МГц, Pin 39 дБм) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 20 мін., 60 тип., 200 макс. (Vce 10 В, Ic 1,0 А імпульс) |
| Корпус | №783 за таблицею документа |
Транзистор 2SC2331
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vceo | 100 В (відкрита база) |
| Напруга Vcbo | 100 В (відкритий емітер) |
| Напруга Vebo | 7 В (відкритий колектор) |
| Струм колектора Ic | 2.0 А (постійний; імпульсний 4,0 А) |
| Потужність розсіювання | 15 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 40–200 (VCE 5 В, IC 1 А) |
| Vce(sat) | 0.6 В макс. (IC 1 А, IB 0,1 А; Tj 25 °C) |
Транзистор 2SC2383
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 160 В (Ic 1 мА, Ib 0; Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 160 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 1 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 500 мВт (Ta 25 °C) |
| hFE | 60–320 (Vce 5 В, Ic 200 мА; ранги R 60–120, O 100–200, Y 160–320) |
| Vce(sat) | 1.0 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| fT | 20 МГц тип. (Vce 5 В, Ic 200 мА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT-89 |
Транзистор 2SC2482
В наявності
7,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий |
| Напруга BVCEO | 300 В (IC 3 мА, IB 0) |
| Напруга BVCBO | 300 В (IC 100 мкА, IE 0) |
| Напруга BVEBO | 7 В (IE 100 мкА, IC 0) |
| Струм колектора ICM | 0,1 А |
| Потужність | 900 мВт (Ta 25 °C) |
| VCE(sat) | 1,0 В макс. (IC 10 мА, IB 1 мА) |
| fT | 50 МГц мін. (VCE 10 В, IC 20 мА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92L |
Транзистор 2SC2500
В наявності
11,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-92MOD |
| Напруга колектор–база Vcbo | 30 В |
| Напруга колектор–емітер Vces | 30 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 10 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 2 А |
| Струм колектора імпульсний Icp | 5 А (імпульс до 10 мс, шпаруватість до 30 %) |
| Потужність розсіювання Pc | 900 мВт |
| Коефіцієнт підсилення hFE(1) | 140–600 (Vce 1 В, Ic 0.5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | тип. 0.2 В, макс. 0.5 В (Ic 2 А, Ib 50 мА) |
Транзистор 2SC2611
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Triple Diffused |
| Виробник | Hitachi |
| Корпус | TO-126 MOD |
| Напруга колектор–база Vcbo | 300 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 300 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 100 мА |
| Потужність розсіювання Pc | 1.25 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 30, макс. 200 (Vce 20 В, Ic 20 мА) |
| Гранична частота fT | мін. 50, тип. 80 МГц (Vce 20 В, Ic 20 мА) |
| Вихідна ємність Cob | макс. 4.0 пФ (Vcb 20 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Демонтаж
Транзистор 2SC2625 оригінал демонтаж
В наявності
64,39 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Triple Diffused Planar |
| Виробник | Fuji Electric |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга колектор–база Vcbo | 450 В (Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 400 В (Tc 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 7 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 10 А (Tc 25 °C) |
| Струм бази Ib | 3 А (Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 10 (Ic 4 А, Vce 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 1.2 В (Ic 4 А, Ib 0.8 А) |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 1.55 °C/Вт |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC2625 оригінал, TO-3P
В наявності
182,36 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга VCEO (Tc 25 °C) | 400 В |
| Напруга VCBO (Tc 25 °C) | 450 В |
| Напруга VEBO (Tc 25 °C) | 7 В |
| Струм колектора IC (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм бази IB (Tc 25 °C) | 3 А |
| Потужність PC (Tc 25 °C) | 80 Вт |
| hFE (мін., IC 4 А, VCE 5 В) | 10 |
| VCE(sat) (макс., IC 4 А, IB 0,8 А) | 1,2 В |
| VBE(sat) (макс., IC 4 А, IB 0,8 А) | 1,5 В |
| Tstg | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC2655 ( 2SC2655L )
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга VCEO | 50 В (абсолютний максимум) |
| Напруга VCBO | 50 В |
| Напруга VEBO | 5 В |
| Струм колектора (постійний) | 2 А |
| Потужність | 0,9 Вт |
| hFE(1) | 70–240 (VCE 2 В, IC 500 мА) |
| hFE(2) | 40 мін. (VCE 2 В, IC 1,5 А) |
| VCE(sat) | 0,5 В макс. (IC 1 А, IB 0,05 А) |
| fT | 100 МГц мін. (VCE 2 В, IC 0,5 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92L |
Транзистор 2SC2655G ( 2SC2655G-Y-AB3-R ) оригінал, sot89
В наявності
34,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Напруга Vceo | 50 В (Ic 10 мА, Ib 0) |
| Струм Ic | 2 А постійний; імпульсний 3 А (PW ≤ 16 мс, шпаруватість ≤ 50 %) |
| Потужність Pd | 500 мВт (корпус SOT-89) |
| Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic 1 А, Ib 0,05 А) |
| Vbe(sat) | 1,2 В макс. (Ic 1 А, Ib 0,05 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | SOT-89 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC3150 ( BU3150 ) , TO220
В наявності
36,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга VCEO | 800 В (IC 5 мА, RBE = ∞) |
| Напруга VCBO | 900 В (IC 1 мА, IE 0) |
| Напруга VEBO | 7 В (IE 1 мА, IC 0) |
| Струм колектора | 3 А (пік ICM 10 А) |
| hFE-1 | 10–40 (IC 0,2 А, VCE 5 В) |
| VCE(sat) | 2,0 В макс. (IC 1,5 А, IB 0,3 А) |
| Потужність | 50 Вт (TC 25 °C) |
| fT | 15 МГц мін. (IC 0,2 А, VCE 10 В) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SPTECH |
Транзистор 2SC3198
В наявності
11,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, малошумний |
| Напруга BVCEO | 50 В (IC 1 мА, IB 0) |
| Напруга BVCBO | 50 В (IC 100 мкА, IE 0) |
| Напруга BVEBO | 5 В (IE 100 мкА, IC 0) |
| Струм колектора | 150 мА |
| hFE | 70–400 (VCE 6 В, IC 2 мА) |
| VCE(sat) | 0,3 В макс. (IC 100 мА, IB 10 мА) |
| Потужність | 0,4 Вт (корпус TO-92) |
| fT | 80 МГц мін. (VCE 10 В, IC 1 мА) |
| NF | 10 дБ макс. (VCE 6 В, IC 0,1 мА, Rg 10 кОм, f 1 кГц) |
| Tj макс. | 125 °C |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | DDF (Shenzhen DingDeFeng Technology) |
Транзистор 2SC3199
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга V(BR)CEO | 50 В (IC 1 мА, IB 0) |
| Напруга V(BR)CBO | 50 В (IC 0,1 мА, IE 0) |
| Напруга V(BR)EBO | 5 В (IE 0,1 мА, IC 0) |
| Струм колектора | 150 мА |
| hFE | 70–700 (VCE 6 В, IC 2 мА) |
| VCE(sat) | 0,25 В макс. (IC 100 мА, IB 10 мА) |
| Потужність | 400 мВт (Ta 25 °C) |
| fT | 80 МГц мін. (VCE 10 В, IC 1 мА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | SECOS |
Транзистор 2SC3202
В наявності
14,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 30 В (IC=1 мА, IB=0) |
| Напруга Vcbo | 35 В (IC=50 мкА, IE=0) |
| Струм колектора Ic (ICM) | 500 мА (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 70–240 (VCE=1 В, IC=100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.25 В макс. (IC=100 мА, IB=10 мА) |
| Потужність Pc | 500 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 150–200 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SC3209 (300V,0.2A,1W)
В наявності
11,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 300 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5.0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 200 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 1.0 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 60–250 (VCE 10 В, IC 10 мА) |
| fT | 50 МГц тип. (VCE 30 В, IE –10 мА) |
| Cob | 2.8 пФ тип. (VCB 30 В, IE 0, f 1 МГц) |
| Vce(sat) | 0.15 В тип., 1.5 В макс. (IC 50 мА, IB 5,0 мА) |
Транзистор 2SC3279 (30V-2A-0,75W-150M)
В наявності
23,03 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Біполярний транзистор |
| Позначення в назві | 30V-2A-0,75W-150M |
Транзистор 2SC3303 , D-PAK
В наявності
13,63 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 80 В (IC=10 мА, IB=0) |
| Напруга Vcbo | 100 В (IC=100 мкА, IE=0) |
| Струм колектора Ic | 5 А (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 70–240 (VCE=1 В, IC=1 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.4 В макс. (IC=3 А, IB=150 мА) |
| Потужність Pc | 1 Вт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 20 МГц мін. (VCE=4 В, IC=1 А) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор 2SC3807
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 25 В (IC=1 мА, IB=0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 30 В (IC=10 мкА, IE=0) |
| Струм колектора Ic | 2 А (Ta 25 °C), імпульсний ICM 4 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 800 (VCE=5 В, IC=0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,5 В макс. (IC=1 А, IB=20 мА) |
| Потужність розсіювання Pc | 1,2 Вт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 260 МГц (VCE=10 В, IC=50 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор 2SC3835 ( C3835 , 2SC3835G ) оригінал, TO3P
В наявності
152,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 120 В (IC=50 мА, IB=0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 200 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 7 А постійний, імпульсний ICM 14 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 70–220 (IC=3 А, VCE=4 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,5 В макс. (IC=3 А, IB=0,3 А) |
| Потужність розсіювання Pc | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 20 МГц мін. (IE=0,5 А, VCE=12 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC3852A ( 2SC3852 ) , TO220F
В наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, епітаксіально-планарний, Si |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 80 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В |
| Струм колектора Ic | 3 А (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 500 (VCE=4 В, IC=0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,5 В макс. (IC=2 А, IB=50 мА) |
| Потужність розсіювання Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 15 МГц тип. (VCE=12 В, IE=-0,2 А) |
| Час спаду tf | 1,2 мкс тип. (VCC=20 В, RL=20 Ом, IC=1 А, IB1=15 мА, IB2=-30 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SC3979 оригінал
В наявності
51,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Напруга Vcbo | 900 В |
| Струм Ic | 3 А (Tc 25 °C) |
| Pc | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 6 (мін., VCE=5 В, IC=0,8 А) |
| Vce(sat) | 1,5 В (макс., IC=0,8 А, IB=0,16 А) |
| fT | 10 МГц (тип.) |
| Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Panasonic |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC4106 (TO220)
В наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 400 В |
| Напруга Vcbo | 500 В |
| Струм Ic | 7 А (Ta 25 °C) |
| Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 15–50 (VCE=5 В, IC=0,8 А) |
| Vce(sat) | 0,8 В (макс., IC=4 А, IB=0,8 А) |
| fT | 20 МГц (тип.) |
| Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SANYO |
Транзистор 2SC4242 (450V,7A,40W),TO220
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 400 В |
| Напруга Vcbo | 450 В |
| Струм Ic | 7 А |
| Pc | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 10 (мін., IC=4 А, VCE=5 В) |
| Vce(sat) | 0,8 В (макс., IC=4 А, IB=0,8 А) |
| Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220C |
| Виробник | SPTECH |
Транзистор 2SC4429 (1100/800V,8A,60W)
В наявності
82,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanyo (onsemi) |
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1100 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 8 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Icp | 25 А (PW ≤ 300 мкс, шпаруватість ≤ 10 %) |
| Потужність Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj | 150 °C |
| hFE1 | 10–40 (Vce 5 В, Ic 0.6 А) |
| fT | 15 МГц (Vce 10 В, Ic 0.6 А, typ) |