Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60U65FD1 ( SGT60U65FD1 , SGT60U65FD1PN ) оригінал, TO-3P
216,20 ₴
16 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
16 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
60U65FD1 (SGT60U65FD1) – IGBT-транзистор Silan Microelectronics у корпусі TO-3P зі швидким вбудованим діодом. Стан – оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 650 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C), 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 2,0 В (тип., Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Pd | 280 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 6730 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (швидкий, FRD) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
60U65FD1 (SGT60U65FD1, SGT60U65FD1PN) – IGBT-транзистор Silan Microelectronics у корпусі TO-3P з вбудованим швидким діодом. Напруга колектор–емітер Vce 650 В при Tc 25 °C, струм колектора Ic 120 А при Tc 25 °C і 60 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) 2,0 В (тип.) при Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C. Розсіювана потужність Pd 280 Вт при Tc 25 °C. Діод: Vf 1,97 В при If 30 А, Tc 25 °C, trr 36 нс при If 30 А, di/dt 200 А/мкс. Вхідна ємність Cies типово 6730 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).
Стан – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vce, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність швидкого діода і корпус TO-3P. За даними виробника, пряма заміна – SGT60U65FD1PT.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення (UPS), імпульсні блоки живлення (SMPS), корекція коефіцієнта потужності (PFC).
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у 60U65FD1 вбудований діод?
Так, швидкий діод (FRD): Vf 1,97 В при If 30 А, Tc 25 °C, trr 36 нс.
Чим замінити 60U65FD1?
За даними виробника, пряма заміна – SGT60U65FD1PT. Аналогів з нашого каталогу зараз немає.
Під яке навантаження розрахований цей IGBT?
Vce 650 В, струм Ic 60 А при Tc 100 °C. Типове застосування – UPS, SMPS і PFC.
Документація виробника: SGT60U65FD1PN(PT)(P7) Rev. 1.2.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.