Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Транзистор H30PR5 ( IHW30N135R5 ) , TO-247
150,40 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
H30PR5 (IHW30N135R5) – IGBT з вбудованим діодом для індукційних плит і мікрохвильових печей. Нова деталь.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з вбудованим діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vce | 1350 В (Vge = 0, Ic = 0,75 мА) |
| Струм Ic | 60 А (Tc = 25 °C); 30 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,65 В (Vge = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 235 нКл (Vcc = 1080 В, Ic = 30 А, Vge = 15 В) |
| Потужність Ptot | 330 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
H30PR5 (IHW30N135R5) – IGBT-транзистор Infineon із вбудованим зворотним діодом у корпусі TO-247 (PG-TO247-3). Напруга колектор–емітер 1350 В (при Vge = 0, Ic = 0,75 мА). Струм колектора 60 А при Tc = 25 °C і 30 А при Tc = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) 1,65 В (Vge = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C). Заряд затвора Qg 235 нКл (Vcc = 1080 В, Ic = 30 А, Vge = 15 В). Потужність розсіювання 330 Вт при Tc = 25 °C. Максимальна температура переходу 175 °C.
Нова деталь. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу, струм при 100 °C, Vce(sat), наявність діода і корпус. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Індукційні плити
- Мікрохвильові печі
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Чим замінити H30PR5?
Підходить деталь з маркуванням IHW30N135R5. Іншу заміну підбирайте за напругою, струмом при 100 °C, Vce(sat), наявністю діода і корпусом TO-247.
Чи підходить для індукційної плити?
У документі серед застосувань названо індукційні плити та мікрохвильові печі.
Який струм колектора у H30PR5?
60 А при Tc = 25 °C і 30 А при Tc = 100 °C.
Документація виробника: IHW30N135R5 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.