Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор RS8N65F оригінал , TO220F

71,44 ₴

10 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

10 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

RS8N65F – оригінальний N-канальний MOSFET виробництва REASUNOS у корпусі TO-220F. Використовується в імпульсних блоках живлення, UPS і схемах PFC.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (BVDSS: VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id8 А (TC = 25 °C)
Опір Rds(on)0,95 Ом (VGS = 10 В, ID = 4 А, типове; макс. 1,15)
Порогова напруга Vgs(th)3–4 В
Заряд затвора Qg37 нКл (VDS = 520 В, ID = 8 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1110 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd35 Вт (TC = 25 °C)
Температура переходу150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникREASUNOS
СтанОригінал
Опис

RS8N65F – N-канальний MOSFET виробництва REASUNOS у корпусі TO-220F зі швидким перемиканням і 100 % перевіркою на лавинний режим. Напруга стік–витік Vds 650 В (BVDSS при VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id 8 А при TC = 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 0,95 Ом типове при VGS = 10 В, ID = 4 А (максимум 1,15 Ом). Порогова напруга Vgs(th) 3–4 В при VGS = VDS, ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg 37 нКл типове при VDS = 520 В, ID = 8 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 1110 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd 35 Вт при TC = 25 °C, температура переходу до 150 °C.

Це оригінальна деталь, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 650 В, Id не менше 8 А і Rds(on) не гірше при тому самому Vgs. Якщо заряд затвора Qg значно більший, перевірте драйвер. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Де застосовують

  • імпульсні блоки живлення (SMPS)
  • UPS
  • корекція коефіцієнта потужності (PFC)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити RS8N65F?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 650 В, Id не менше 8 А та Rds(on) не гірше при VGS = 10 В. Порівнюйте datasheet, взаємозамінність перевіряйте самостійно.

Чи підходить RS8N65F для блоку живлення?

Так, це застосування вказане в документі: імпульсні блоки живлення (SMPS), UPS і PFC. Напруга Vds 650 В.

Як перевірити MOSFET мультиметром?

У режимі прозвонки діодів вбудований діод між стоком і витоком має вести в один бік і не вести в інший. Затвор відносно інших виводів провідності не має.

Datasheet

Документація виробника: RS8N65F (REASUNOS).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

RS8N65F (REASUNOS) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.