Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал

Транзистор D50N06 оригінал (50A,60V)( заміна для FQD50N06 ), D-PAK

32,90 ₴

46 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

46 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

D50N06 – N-канальний польовий транзистор на 60 В у корпусі D-PAK. Оригінал, не демонтаж; може замінити FQD50N06.

ПараметрЗначення
КорпусTO-252 (D-PAK)

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
ВиробникROUM
Напруга Vds60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id (25 °C)66 А
Струм Id (100 °C)50 А
Rds(on)12 мОм тип., 18 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А)
Vgs(th)2–4 В
Qg51 нКл
Вхідна ємність Ciss2068 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц)
Pd88 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал
Опис

D50N06 – N-канальний MOSFET виробництва ROUM у корпусі TO-252 (D-PAK). Напруга Vds – 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id – 66 А при Tc 25 °C і 50 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 12 мОм типово, 18 мОм максимум при VGS = 10 В, ID = 20 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В. Заряд затвора Qg – 51 нКл при VGS = 10 В, VDS = 20 В, ID = 20 А. Вхідна ємність Ciss типово 2068 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 88 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 175 °C.

Це оригінал, не демонтаж. D50N06 може замінити FQD50N06; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для іншої заміни порівнюйте Vds, Id, Rds(on) і корпус. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні перетворювачі напруги DC-DC
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • Ключі навантаження
Часто питають
Чи може D50N06 замінити FQD50N06?

Так, у назві товару вказано заміну для FQD50N06. Заміна одностороння: зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Який струм витримує D50N06?

66 А при Tc 25 °C і 50 А при Tc 100 °C. У схемі орієнтуйтеся на значення при 100 °C.

Це оригінал чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який опір каналу в D50N06?

12 мОм типово і 18 мОм максимум при VGS = 10 В, ID = 20 А.

Datasheet

Документація виробника: D50N06 (ROUM).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (HEXFET)
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.