Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG086R0NT ( 086R0NT , SVG086RONT , 086RONT ) оригінал, TO220
141,00 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SVG086R0NT (086R0NT) – оригінальний N-канальний MOSFET Hangzhou Silan Microelectronics на 80 В, корпус TO220. Для ДБЖ та інверторних систем.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 120 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 76 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 5.0 мОм тип., макс. 6.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 66 нКл тип. (VDD = 64 В, VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3896 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
SVG086R0NT (також 086R0NT) – N-канальний MOSFET виробництва Hangzhou Silan Microelectronics у корпусі TO-220-3L. Напруга Vds – 80 В при VGS = 0 В, ID = 250 мкА. Струм стоку Id – 120 А при Tc 25 °C і 76 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 5.0 мОм типово при VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C (максимум 6.0 мОм). Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при VGS = VDS, ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg – 66 нКл типово при VDD = 64 В, VGS = 10 В, ID = 50 А. Вхідна ємність Ciss типово 3896 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 156 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vds, Id, Rds(on) і заряд затвора при однакових умовах вимірювання та беріть той самий корпус. Прямі заміни за даними виробника: SVG086R0NS, SVG086R0ND, SVG086R0NL5. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Керування живленням в інверторних системах
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FHP120N08 | N-канал, TO-220; Vds 80 ≥ 80; Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×120; Rds(on) 6.0 тип. при Vgs 10 В ≤ 1.3×5.0 при Vgs 10 В | Qg 60 нКл проти 66 нКл, драйвер змінювати не потрібно; умови Rds(on) у даташитах різні (ID = 40 А і 50 А), порівняйте самостійно | Купити |
| G042N10 | N-канал, TO-220; Vds 100 ≥ 80; Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×120; Rds(on) 3.5 тип. при Vgs 10 В ≤ 1.3×5.0 при Vgs 10 В | Qg 119 нКл проти 66 нКл – перевірте, чи тягне драйвер | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити SVG086R0NT?
За даними виробника, прямі заміни – SVG086R0NS, SVG086R0ND і SVG086R0NL5. З нашого складу в тому ж корпусі підходять FHP120N08 і G042N10 (див. таблицю аналогів), але порівняйте їх із даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує SVG086R0NT?
120 А при Tc 25 °C і 76 А при Tc 100 °C. Реальний струм залежить від охолодження.
Яка напруга відкриття затвора?
Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при VGS = VDS, ID = 250 мкА. Rds(on) 5.0 мОм типово нормується при VGS = 10 В.
Документація виробника: SVG086R0NT (Hangzhou Silan Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.