Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF20N50 оригінал (заміна для HF20N50 ) , TO220F
164,50 ₴
41 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
41 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FHF20N50 – N-канальний польовий транзистор у корпусі TO-220F, оригінал. Може замінити HF20N50. Для імпульсних джерел живлення, UPS і PFC.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.28 Ом тип., 0.34 Ом макс. (VGS 10 В, ID 10 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–4.0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 71 нКл (VDD 400 В, ID 20 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2250 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 98 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | Є: Vsd макс. 1.4 В (IS 18 А, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
FHF20N50 – N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F, оригінал. Може замінити HF20N50; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. За даташитом найближчої деталі HF20N50 (HL Haolin Elec): напруга Vds 500 В (VGS 0 В, V(BR)DSS при ID 250 мкА), струм стоку Id 20 А при Tc 25 °C. Опір Rds(on) 0.28 Ом типово, 0.34 Ом максимум (VGS 10 В, ID 10 А, Tj 25 °C). Порогова напруга Vgs(th) 3.0–4.0 В. Заряд затвора Qg 71 нКл (VDD 400 В, ID 20 А, VGS 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 2250 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd 98 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Вбудований діод є: Vsd максимум 1.4 В (IS 18 А, VGS 0 В).
Це оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (N), Vds, Id при однакових умовах, Rds(on) при VGS 10 В і корпус TO-220F. За даними виробника, прямі заміни – HP20N50. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні джерела живлення (SMPS)
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
Чим замінити FHF20N50?
Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F із Vds не менше 500 В і Id не менше 20 А при 25 °C. Порівнюйте також Rds(on) при VGS 10 В і заряд затвора. Остаточно перевіряйте за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи може FHF20N50 замінити HF20N50?
Так, FHF20N50 може замінити HF20N50. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи є у FHF20N50 вбудований діод?
За даташитом найближчої деталі HF20N50 діод є: Vsd максимум 1.4 В при IS 18 А і VGS 0 В.
Найближчий datasheet: HF20N50 (HL Haolin Elec).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.