Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN80N60F2DS ( 80N60F2DS ) оригінал, TO-3P
282,00 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TGAN80N60F2DS (80N60F2DS) – IGBT-транзистор Trinno Technology з вбудованим діодом у корпусі TO-3P. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Trinno Technology |
| Напруга Vces | 600 В (VGE 0 В, Ic 1 мА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic (25 °C) | 160 А |
| Струм Ic (100 °C) | 80 А |
| Vce(sat), типове | 1.75 В (Ic 80 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 220 нКл (Vcc 400 В, Ic 80 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5140 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 481 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
TGAN80N60F2DS – IGBT-транзистор Trinno Technology з вбудованим діодом, корпус TO-3P. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (VGE 0 В, Ic 1 мА). Струм колектора Ic – 160 А при TC 25 °C і 80 А при TC 100 °C. Vce(sat) типове – 1.75 В при Ic 80 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C; при 150 °C – 2.20 В. Заряд затвора Qg – 220 нКл при Vcc 400 В, Ic 80 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 5140 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Максимальна температура переходу – 150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Для заміни порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність вбудованого діода та корпус. Заряд затвора і втрати перемикання впливають на драйвер, тому при заміні на іншу серію перевіряйте керування затвором за datasheet. Відправка Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- ДБЖ (UPS)
- Зварювальні апарати
- Інвертори
- Сонячна енергетика
Чим замінити TGAN80N60F2DS?
Підходить IGBT з Vces не нижче 600 В, Ic при 100 °C близько 80 А, вбудованим діодом і корпусом TO-3P. Порівнюйте Vce(sat) і заряд затвора за datasheet.
Чи є в TGAN80N60F2DS вбудований діод?
Так, діод вбудований. Його Vf – 2.31 В при If 80 А, Tvj 25 °C, trr – 65 нс при If 40 А.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує TGAN80N60F2DS?
Ic – 160 А при TC 25 °C і 80 А при TC 100 °C. Для розрахунку орієнтуйтеся на значення при 100 °C.
Документація виробника: TGAN80N60F2DS.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.