Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP1921 ( MDP1921TH ) оригінал, TO220
103,40 ₴
22 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
22 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MDP1921 (MDP1921TH) – N-канальний Trench MOSFET MagnaChip Semicon на 100 В у корпусі TO-220 для перетворювачів DC/DC. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id при 25 °C | 153 А (обмеження корпусом 120 А) |
| Струм Id при 100 °C | 97 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 50 А | 3,8 мОм (тип.), 4,5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6750 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd при 25 °C | 223 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MagnaChip Semicon |
| Стан | Оригінал |
MDP1921 (MDP1921TH) – N-канальний польовий транзистор Trench MOSFET виробництва MagnaChip Semicon у корпусі TO-220. Напруга стік–витік Vds – 100 В при Ta 25 °C. Струм стоку Id – 153 А при TC 25 °C (обмеження кристалом; обмеження корпусом 120 А) і 97 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 3,8 мОм типово, 4,5 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В (типово 2,9 В) при Vds = Vgs. Заряд затвора Qg – 100 нКл при Vds 50 В, Id 50 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 6750 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 223 Вт при TC 25 °C (89 Вт при TC 100 °C), максимальна температура переходу 150 °C. Вбудований діод: Vsd 0,9 В типово, 1,2 В макс. при Is 50 А; trr 73 нс.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте канал (потрібен N), напругу Vds не нижче 100 В, струм, опір відкритого каналу при тому самому Vgs і корпус TO-220 з розпіновкою. Якщо заряд затвора в заміни помітно більший, перевірте, чи впорається драйвер.
Де застосовують
- Перетворювачі DC/DC
- Загальне призначення
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 100, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×153 = 122, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×4.5 = 5.85 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Заряд затвора в G042N10 вищий (119 нКл проти 100 нКл): перевірте драйвер. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити MDP1921?
Шукайте N-канальний транзистор у TO-220 з Vds не нижче 100 В, струмом близьким до 153 А і Rds(on) не гірше за 4,5 мОм при Vgs 10 В. У нашому каталозі за цими даними підходить G042N10. Перед заміною порівняйте datasheet.
Як перевірити польовий транзистор мультиметром?
Викличте перехід стік–витік у режимі перевірки діодів: вбудований діод має проводити в одному напрямку. Потім торкніться затвора щупом і перевірте, чи змінився опір між стоком і витоком. Нормальний транзистор відгукується на це, пробитий проводить в обидва боки.
Чому струм 153 А, а обмеження корпусом 120 А?
153 А – межа кристала при TC 25 °C, а корпус TO-220 обмежує струм до 120 А. Для розрахунку схеми беріть менше значення.
Документація виробника: MDP1921TH (MagnaChip Semicon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.