Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор NCE40TD60BP оригінал, TO-3P

250,04 ₴

25 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

25 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

NCE40TD60BP – IGBT-транзистор NCE Power на 600 В і 40 А у корпусі TO-3P з вбудованим діодом. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникNCE Power (Wuxi NCE Power)
Напруга Vces600 В
Струм Ic при 25 °C80 А (Tc 25 °C)
Струм Ic при 100 °C40 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icm120 А (tp обмежено Tjmax)
Vce(sat)1,7 В тип., 1,9 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Напруга Vge±30 В
Потужність Pd286 Вт (Tc 25 °C), 114 Вт (Tc 100 °C)
Вхідна ємність Cies4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Вбудований діодє
КорпусTO-3P
СтанОригінал
Опис

NCE40TD60BP – IGBT-транзистор NCE Power у корпусі TO-3P з вбудованим діодом. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 120 А (tp обмежено Tjmax). Напруга насичення Vce(sat) – 1,7 В (тип.), 1,9 В (макс.) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 176 нКл при Vcc 480 В, Ic 40 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 286 Вт при Tc 25 °C і 114 Вт при Tc 100 °C, температура переходу до 150 °C.

Оригінал, не демонтаж. Діод у корпусі має Vfm 1,65 В (тип.), 2,0 В (макс.) при If 40 А і trr 242 нс при Vcc 400 В, If 40 А, di/dt 200 А/мкс. Час спаду tf – 16 нс при Vce 400 В, Ic 40 А, Vge 0/15 В, Rg 5 Ом. Витримка короткого замикання – 3 мкс при Vge 15 В, Vcc ≤ 400 В, Tj ≤ 150 °C. У документі є також версія NCE40TD60BT у корпусі TO-247, це інший корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Кондиціонери
  • Інвертори
  • Приводи двигунів
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
G80N60UFD Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 2,1 тип. ≤ 1.3×1,7 = 2,21, діод є в обох, корпус TO-3P Позиція в каталозі – оригінал демонтаж б/в. Vce(sat) вище, ніж у NCE40TD60BP. Купити
MGF65A4R Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 1,6 тип. ≤ 1.3×1,7 = 2,21, діод є в обох, корпус TO-3P Позиція в каталозі – оригінал демонтаж б/в. Купити
MGF65A4H Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 1,9 тип. ≤ 1.3×1,7 = 2,21, діод є в обох, корпус TO-3P Позиція в каталозі – оригінал демонтаж б/в. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити NCE40TD60BP?

У каталозі є IGBT у TO-3P на 600–650 В і 40 А при 100 °C: G80N60UFD, MGF65A4R, MGF65A4H. Перед заміною порівняйте datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим NCE40TD60BP відрізняється від NCE40TD60BT?

Версія NCE40TD60BT випускається в корпусі TO-247, а NCE40TD60BP – у TO-3P. Корпус має збігатися.

Де застосовується NCE40TD60BP?

У кондиціонерах, інверторах і приводах двигунів.

Datasheet

Документація виробника: NCE40TD60BP (NCE).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

NCE40TD60BP (NCE) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникAlpha and Omega Semiconductor (AOS)
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (Product Summary)60 А
Vce(sat) typ1.85 В при Ic=60 А
Vge(th) typ5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА
Заряд затвора Qg75 нКл
Вхідна ємність Cies3288 пФ
Час спаду tf16 нс
Стійкість до КЗ tsc10 мкс
Тепловий опір перехід-корпус0.3 °C/Вт
Діапазон Tj, Tstg-55…150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор K20T60 ( IKP20N60T ) оригінал, TO220

В наявності

213,85 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В
Струм Ic (100 °C)28 А
Струм Ic (25 °C)41 А
Імпульсний струм Icp60 А
Vce(sat)1,5 В typ, 2,05 В max (VGE = 15 В, Ic = 20 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot166 Вт (TC = 25 °C)
Tj max175 °C
СтанОригінал

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Потужність Pd (25 °C)316 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg262 нКл
Вхідна ємність Cies7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 60 А, 25 °C)1.7 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.