Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE85H21C оригінал, TO220
141,00 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE85H21C – оригінальний N-канальний польовий транзистор NCE Power у корпусі TO-220 для силових ключів, UPS та автомобільної електроніки.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Напруга Vds | 85 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 210 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 148 А |
| Опір Rds(on) | 4,1 мОм тип., 4,95 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Заряд затвора Qg | 140 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 7600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3,2 В) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
NCE85H21C – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) режиму збагачення виробництва NCE Power у корпусі TO-220. Напруга Vds – 85 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мінімум). Струм стоку Id – 210 А при Tc 25 °C і 148 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 4,1 мОм типово і 4,95 мОм максимум при VGS=10 В, ID=40 А, Tc 25 °C. Заряд затвора Qg – 140 нКл (VDS=40 В, ID=40 А, VGS=10 В). Вхідна ємність Ciss типово 7600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при VDS=VGS, ID=250 мкА. Потужність розсіювання – 300 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (N), Vds, Id, Rds(on) при однаковій напрузі на затворі та корпус TO-220; заряд затвора Qg потрібен, щоб драйвер витримав перемикання. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Автомобільні застосування
- Hard-switched та високочастотні схеми
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити NCE85H21C?
Заміна має бути N-канальною, у корпусі TO-220, з Vds не нижче 85 В, достатнім струмом Id та Rds(on) не гіршим за 4,95 мОм при VGS=10 В. Порівнюйте значення з однаковими умовами вимірювання у datasheet.
Як перевірити транзистор мультиметром?
Виводи: затвор, стік, витік. Перед перевіркою розрядіть затвор, закоротивши його на витік. У режимі діода перехід між стоком і витоком проводить в один бік, між затвором та іншими виводами струму немає.
Який струм у даташиті: 210 А чи 148 А?
Це один транзистор при різній температурі корпусу: 210 А при Tc 25 °C і 148 А при Tc 100 °C. Для розрахунку радіатора беріть значення при вищій температурі.
Документація виробника: NCE85H21C (NCE).
Струм 210 А у документі виробника подано з приміткою про обмеження за корпусом і виводами.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.