Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор DXG20N65FS оригінал ( заміна для DXG20N65FSEK , DXG20N65FSEU ), TO220F

80,37 ₴

71 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

71 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

DXG20N65FS – оригінальний IGBT-транзистор з вбудованим діодом у корпусі TO-220F. За даташитом DXG20N65FSEK: 650 В, 20 А.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор
Напруга Vces650 В
Струм Ic при 25 °C40 А
Струм Ic при 100 °C20 А
Напруга насичення Vce(sat)1,80 В (тип.)
Вбудований діодтак
КорпусTO-220F
СтанОригінал
Опис

DXG20N65FS – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) з вбудованим діодом у корпусі TO-220F. Точного даташиту на DXG20N65FS не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі DXG20N65FSEK (Daxin): напруга колектор–емітер Vces 650 В, струм колектора Ic 40 А при TC = 25 °C і 20 А при TC = 100 °C, імпульсний струм Icm 80 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,80 В (VGE = 15 В, IC = 20 А), порогова напруга Vge(th) від 4,0 до 5,5 В, напруга затвор–емітер ±30 В. Заряд затвора Qg типово 60 нКл, вхідна ємність Cies типово 778 пФ. Стійкість до короткого замикання 10 мкс. Розсіювана потужність Pd 37 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус 3,6 °C/Вт, температура переходу від -55 до +150 °C. Діод: прямий струм 20 А при TC = 100 °C, пряма напруга типово 2,3 В при IF = 20 А, час відновлення trr типово 42 нс.

Деталь оригінальна, не демонтаж. За назвою товару DXG20N65FS – заміна для DXG20N65FSEK і DXG20N65FSEU. Заміну підбирайте за корпусом TO-220F і розпіновкою, з напругою не нижче 650 В, струмом не нижче 20 А при 100 °C і з вбудованим діодом. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • керування двигунами
  • інвертори та силові ключі
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити DXG20N65FS?

Шукайте IGBT у корпусі TO-220F з вбудованим діодом, напругою колектор–емітер не нижче 650 В і струмом не нижче 20 А при TC = 100 °C. Параметри DXG20N65FS наведено за даташитом DXG20N65FSEK, тому перед заміною звірте їх зі схемою.

Чи можна ставити DXG20N65FS замість DXG20N65FSEK або DXG20N65FSEU?

За назвою товару DXG20N65FS – заміна для DXG20N65FSEK і DXG20N65FSEU. Параметри в картці наведено за даташитом DXG20N65FSEK; перед заміною звірте їх зі схемою.

Звідки параметри DXG20N65FS?

Точного даташиту на DXG20N65FS не знайшли. Параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі – DXG20N65FSEK (Daxin) у корпусі TO-220F. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.

Datasheet

Найближчий datasheet: DXG20N65FSEK (Daxin).

Точного даташиту на DXG20N65FS не знайдено. Найближчий схожий даташит – DXG20N65FSEK (Daxin).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Найближчий datasheet: DXG20N65FSEK (Daxin) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)20 А
Струм Ic (25 °C)35 А (розрахунок за формулою виробника)
Імпульсний струм Icp75 А
Vce(sat)2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

IGBT-транзистор IGW40T60U оригінал, TO-3P

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
НомерIGW40T60U
ТипIGBT-транзистор
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)75 А
Напруга насичення Vce(sat)1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Розсіювана потужність Pd484 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодтак (co-pack)
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220

В наявності

122,67 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT Trench Field Stop з діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА)
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)20 А
Vce(sat)1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C)
Vge(th)4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd125 Вт (Tj = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.