Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE85H21TC оригінал, TO247
113,74 ₴
18 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
18 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE85H21TC – N-канальний польовий транзистор NCE Power Semiconductor у корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 210 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А |
| Опір Rds(on) | 3,9 мОм макс. (тип. 3,4 мОм), VGS=10 В, ID=40 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3,2 В) |
| Заряд затвора Qg | 180 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 7200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 330 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | NCE Power Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
NCE85H21TC – N-канальний MOSFET режиму збагачення виробництва NCE Power Semiconductor у корпусі TO-247. Напруга Vds 85 В (VGS=0 В, ID=250 мкА). Струм стоку Id 210 А при TC 25 °C і 150 А при TC 100 °C. Опір Rds(on) не більше 3,9 мОм (тип. 3,4 мОм) при VGS=10 В, ID=40 А. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В (тип. 3,2 В) при ID=250 мкА, напруга затвор–витік ±20 В. Заряд затвора Qg типово 180 нКл (ID=30 А, VDD=30 В, VGS=10 В). Вхідна ємність Ciss типово 7200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd 330 Вт при TC 25 °C, температура переходу до 175 °C.
Стан товару – оригінал. Магазин у Запоріжжі, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Щоб підібрати заміну, порівняйте з вашою деталлю канал, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs, заряд затвора Qg і корпус TO-247. Якщо Qg у заміни помітно більший, перевірте, чи впорається драйвер затвора.
Де застосовують
- Автомобільна електроніка
- Жорстко комутовані та високочастотні схеми
- Джерела безперебійного живлення
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити NCE85H21TC?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 85 В, Id не менше 210 А і Rds(on) близьким до 3,9 мОм або нижчим при VGS=10 В. Якщо Qg більший, перевірте драйвер затвора.
Як перевірити MOSFET мультиметром?
Розрядіть затвор, потім у режимі перевірки діодів перевірте перехід витік–стік: в один бік має бути обрив, в інший – падіння на внутрішньому діоді. Коротке замикання між виводами означає пробій.
Який Rds(on) у NCE85H21TC?
Не більше 3,9 мОм (тип. 3,4 мОм) при VGS=10 В, ID=40 А.
Документація виробника: NCE85H21TC (NCE Power Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.