Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор TGAN20N135FDL2 ( 20N135FDL2 ) оригінал, TO-3P

345,92 ₴

8 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

8 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

TGAN20N135FDL2 (20N135FDL2) – оригінальний IGBT-транзистор Trinno Technology на 1350 В з вбудованим діодом у корпусі TO-3P. Використовується в індукційному нагріві, UPS та інверторах.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникTrinno Technology
Напруга Vces1350 В (VGE = 0 В, Ic 1 мА)
Струм Ic40 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C)
Vce(sat)1,8 В тип., 2,2 В макс. (VGE 15 В, Ic 20 А, Tvj 25 °C)
Потужність розсіювання223 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (VCC 600 В, Ic 20 А, VGE 15 В)
Діодє, If 20 А (Tc 100 °C)
КорпусTO-3P
СтанОригінал
Опис

TGAN20N135FDL2 – N-канальний IGBT із вбудованим діодом, виробник Trinno Technology, технологія Field Stop Trench. Напруга колектор–емітер Vces – 1350 В при VGE = 0 В, Ic 1 мА. Струм колектора Ic – 40 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1,8 В (тип.), 2,2 В (макс.) при VGE 15 В, Ic 20 А, Tvj 25 °C. Потужність розсіювання – 223 Вт при Tc 25 °C (86 Вт при Tc 100 °C). Максимальна температура переходу Tvj – 150 °C. Заряд затвора Qg – 120 нКл (тип.) при VCC 600 В, Ic 20 А, VGE 15 В. Енергія вимкнення Eoff – 0,51 мДж (тип.) при VCC 600 В, Ic 20 А, Rg 5 Ом, індуктивне навантаження.

Оригінал, не демонтаж. Корпус TO-3P (у документі виробника TO-3PN). Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) та Qg: від заряду затвора залежить навантаження на драйвер. Наявність діода теж має збігатися. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Індукційний нагрів
  • Схеми з м'яким перемиканням
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • Зварювальні апарати
  • Інвертори
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити TGAN20N135FDL2?

Шукайте IGBT з тим самим корпусом TO-3P і діодом у складі, з Vces не нижче 1350 В і струмом Ic при Tc 100 °C не нижче 20 А. Порівнюйте також Vce(sat) і заряд затвора Qg. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Чи підходить TGAN20N135FDL2 для індукційного нагріву?

Індукційний нагрів і схеми з м'яким перемиканням є серед застосувань, які вказує виробник. Vces – 1350 В, Ic – 20 А при Tc 100 °C.

Чи є у транзистора вбудований діод?

Так, If 20 А при Tc 100 °C, імпульсний струм 100 А.

Datasheet

Документація виробника: TGAN20N135FDL2 (TRINNO).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

TGAN20N135FDL2 (TRINNO) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247

В наявності

320,54 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)240 А
Струм колектора Ic (100 °C)160 А
Напруга насичення Vce(sat)1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Час відновлення діода trr360 нс (Tj 175 °C)
Розсіювана потужність Pd750 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусSuper-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор N1600 оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор з вбудованим діодом
Напруга Vces1600 В
Струм колектора Ic60 А (25 °C), 30 А (100 °C)
Потужність Ptot312 Вт (25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)1,8 В тип., 2,1 В макс. (IC = 30 А, VGE = 15 В)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )

В наявності

249,10 ₴
ПараметрЗначення
НомерYGW75N65HP
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)150 А
Струм Ic (100 °C)75 А
Vce(sat)1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)375 Вт
Вхідна ємність Cies4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.