Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
SKD503T оригінальний транзистор, TO220
107,16 ₴
60 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
60 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SKD503T – N-канальний польовий транзистор CRMICRO в корпусі TO-220: 100 В, 120 А при 25 °C. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (TC=25 °C) | 120 А (обмеження корпусу; за кремнієм 172 А) |
| Струм Id (TC=100 °C) | 109 А (за кремнієм) |
| Опір Rds(on) | 3.6 мОм тип., 4.5 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6772 пФ |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 227 Вт |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Час відновлення діода trr | 80 нс (IF=50 А, dI/dt=100 А/мкс) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Стан | Оригінал |
SKD503T – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва CRMICRO (China Resources Microelectronics) в корпусі TO-220. Напруга Vds – 100 В. Струм стоку Id – 120 А при TC=25 °C (обмеження корпусу; за кремнієм 172 А) і 109 А при TC=100 °C (за кремнієм). Опір відкритого каналу Rds(on) – 3.6 мОм типово і 4.5 мОм максимум при VGS=10 В, ID=50 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В, типово 3 В (VDS=VGS, ID=250 мкА). Заряд затвора Qg – 90 нКл (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=20 А). Вхідна ємність Ciss типово 6772 пФ. Потужність розсіювання – 227 Вт при TC=25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C, напруга затвор-витік ±20 В. Час зворотного відновлення діода – 80 нс (IF=50 А, dI/dt=100 А/мкс).
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте тип каналу, напругу Vds, струм Id і опір Rds(on) при однакових умовах вимірювання, а також корпус і розпіновку. Пряма заміна за даними виробника – SKSS042N10N. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування двигунами
- Керування акумуляторами (BMS)
- ДБЖ (UPS)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 100, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×4.5=5.85 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Перевірте розпіновку за даташитом. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити SKD503T?
Виробник називає пряму заміну SKSS042N10N. Серед позицій у наявності підходить G042N10 (див. таблицю аналогів): однаковий канал і корпус, Vds не нижче 100 В, Rds(on) в допустимих межах.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити транзистор перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діодів: між стоком і витоком має бути діод тіла, а між затвором і іншими виводами – обрив.
Чому струм 120 А, а за кремнієм 172 А?
У даташиті 120 А при TC=25 °C – це обмеження корпусу TO-220, а 172 А – можливості самого кристала. Розраховуйте на значення з обмеженням корпусу.
Документація виробника: SKD503T (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.