Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор G028N10 ( HYG028N10 , HYG028N10NS1P ) оригінал, TO220

94,00 ₴

24 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

24 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

G028N10 (HYG028N10, HYG028N10NS1P) – N-канальний польовий транзистор HUAYI у корпусі TO220. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220FB-3L

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET, режим збагачення
ВиробникHUAYI
КорпусTO-220FB-3L
Напруга Vdss100 В
Струм Id230 А
Rds(on) (Vgs=10 В, Ids=50 А)2,6 мОм (тип.), 3,3 мОм (макс.)
Vgs(th)2 (мін.), 3 (тип.), 4 (макс.) В
Qg176 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал
Опис

G028N10 (HYG028N10, HYG028N10NS1P) – N-канальний MOSFET режиму збагачення виробництва HUAYI у корпусі TO-220 (TO-220FB-3L). Напруга стік-витік Vdss – 100 В (мінімум при Vgs=0 В, Ids=250 мкА). Струм стоку Id – 230 А (за заголовком datasheet). Опір відкритого каналу Rds(on) – 2,6 мОм (тип.) і 3,3 мОм (макс.) при Vgs=10 В, Ids=50 А. Порогова напруга Vgs(th) – від 2 до 4 В (3 В тип.) при Vds=Vgs, Ids=250 мкА. Заряд затвора Qg – 176 нКл (тип.) при Vds=80 В, Vgs=10 В, Id=50 А. Вхідна ємність Ciss типово 10320 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).

Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vdss не менше 100 В і порівнюйте Id та Rds(on) при однаковому Vgs. Якщо в заміни заряд затвора Qg суттєво більший, може знадобитися інший драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Комутаційні застосування потужності (Power Switching)
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • Керування двигунами (Motor Control)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити G028N10?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vdss не менше 100 В. Порівнюйте Id, Rds(on) при Vgs=10 В і заряд затвора Qg. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Чи підходить G028N10 для керування двигуном або ДБЖ?

У datasheet виробника вказано застосування: комутація потужності, джерела безперебійного живлення (UPS) та керування двигунами (Motor Control).

Який опір відкритого каналу у G028N10?

Rds(on) – 2,6 мОм (тип.) і 3,3 мОм (макс.) при Vgs=10 В, Ids=50 А.

Datasheet

Документація виробника: HYG028N10NS1P/B, V1.0.

Параметри наведено за datasheet виробника HUAYI (HYG028N10NS1P/B, V1.0). Імпульсний струм, Id при 100 °C, Pd, Tj max і Vgss не наведено.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HYG028N10NS1P/B, V1.0 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (HEXFET)
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C
Rds(on)6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А
Вхідна ємність Ciss4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd130.5 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.