Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор GW38IH130D ( STGW38IH130D ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P

164,50 ₴

3 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

3 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

GW38IH130D (STGW38IH130D) – IGBT-транзистор STMicroelectronics на 1300 В у корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга колектор-емітер Vces1300 В (VGE = 0)
Струм колектора Ic (100 °C)33 А (TC = 100 °C)
Напруга насичення Vce(sat)2.1 В тип., 2.8 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 20 А, TC = 25 °C)
Порогова напруга Vge(th)3.75–5.75 В
Пряма напруга діода Vf1.9 В (If = 20 А)
Вбудований діодтак, антипаралельний (free-wheeling)
КорпусTO-3P
ВиробникSTMicroelectronics
Вхідна ємність Cies2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

STGW38IH130D (маркування GW38IH130D) – IGBT-транзистор STMicroelectronics у корпусі TO-3P з вбудованим антипаралельним діодом (free-wheeling). Напруга колектор-емітер Vces – 1300 В при VGE = 0. Струм колектора Ic – 33 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.1 В типова і 2.8 В максимальна при VGE = 15 В, Ic = 20 А, TC = 25 °C. Порогова напруга затвора Vge(th) – 3.75–5.75 В при VCE = VGE, Ic = 1 мА. Пряма напруга діода Vf – 1.9 В при If = 20 А. Вхідна ємність Cies типово 2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц).

Стан: оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, струм колектора, Vce(sat), корпус і розпіновку при однакових умовах. У документі виробника корпус TO-3P наведено як версію STGWT38IH130D з тим самим кристалом. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Індукційні плити, мікрохвильові печі
  • Схеми з м'яким перемиканням (soft-switching), резонансні схеми
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Де застосовується GW38IH130D?

В індукційних плитах, мікрохвильових печах, схемах з м'яким перемиканням (soft-switching) і резонансних схемах.

Чи є в транзисторі вбудований діод?

Так, антипаралельний (free-wheeling). Пряма напруга діода Vf – 1.9 В при If = 20 А.

Чим замінити GW38IH130D?

Порівняйте Vces, струм колектора, Vce(sat), корпус і розпіновку при однакових умовах. У каталозі підходящих аналогів зараз немає. Інші виконання серії за даними виробника: STGWT38IH130D, STGWS38IH130D.

Datasheet

Документація виробника: STGW38IH130D, STGWT38IH130D, Doc ID 15697 Rev 4.

Параметри наведено за datasheet STMicroelectronics STGW38IH130D / STGWT38IH130D; струм колектора взято із заголовка документа, тому умови для нього не вказуємо.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

STGW38IH130D, STGWT38IH130D, Doc ID 15697 Rev 4 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор N1600 оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор з вбудованим діодом
Напруга Vces1600 В
Струм колектора Ic60 А (25 °C), 30 А (100 °C)
Потужність Ptot312 Вт (25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)1,8 В тип., 2,1 В макс. (IC = 30 А, VGE = 15 В)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )

В наявності

249,10 ₴
ПараметрЗначення
НомерYGW75N65HP
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)150 А
Струм Ic (100 °C)75 А
Vce(sat)1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)375 Вт
Вхідна ємність Cies4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.