Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор 40N60FL ( NGTB40N60FLWG , 40N60FL2 , NGTB40N60FL2WG ) оригінал демонтаж б/в , TO247

164,50 ₴

10 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

10 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

40N60FL (NGTB40N60FLWG, 40N60FL2, NGTB40N60FL2WG) – IGBT-транзистор onsemi 600 В, 80 А у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В, IC = 500 мА, мін.)
Струм Ic (TC = 25 °C)80 А
Струм Ic (TC = 100 °C)40 А
Імпульсний струм Icm160 А
Vce(sat) (Tj 25 °C)1.7 В (VGE = 15 В, IC = 40 А, типове)
Vce(sat) (Tj 175 °C)1.85 В (VGE = 15 В, IC = 40 А, типове)
Vge±20 В
Vge(th)5.5 В (VGE = VCE, IC = 350 мкА, типове; діапазон 4.5–6.5 В)
Заряд затвора Qg170 нКл (VCE = 480 В, IC = 40 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies4060 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
Vf діода2.2 В (IF = 40 А, Tj 25 °C, типове)
trr діода72 нс (IF = 40 А, VR = 200 В, diF/dt = 200 А/мкс, Tj 25 °C)
Стійкість до КЗ5 мкс (VGE = 15 В, VCE = 400 В)
Виробникonsemi
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

40N60FL (NGTB40N60FLWG, 40N60FL2, NGTB40N60FL2WG) – IGBT-транзистор onsemi серії Field Stop II у корпусі TO-247. Параметри наведено за datasheet onsemi на NGTB40N60FL2WG. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В (VGE = 0 В, IC = 500 мА, мінімум). Струм колектора Ic – 80 А при TC = 25 °C і 40 А при TC = 100 °C, імпульсний Icm – 160 А (обмежений Tj max). Напруга насичення Vce(sat) – 1.7 В типово (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tj 25 °C) і 1.85 В типово при Tj 175 °C. Час стійкості до короткого замикання – 5 мкс (VGE = 15 В, VCE = 400 В). Порогова напруга затвора Vge(th) – 5.5 В типово (VGE = VCE, IC = 350 мкА, діапазон 4.5–6.5 В), повний заряд затвора Qg – 170 нКл (VCE = 480 В, IC = 40 А, VGE = 15 В). Вхідна ємність Cies типово 4060 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц). Вбудований діод: Vf 2.2 В типово (IF = 40 А, Tj 25 °C), trr 72 нс (IF = 40 А, VR = 200 В, diF/dt = 200 А/мкс, Tj 25 °C).

Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати, її перевіряє інженер тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при TC = 100 °C, Vce(sat) і корпус TO-247 з вашою схемою. Напруга на затворі Vge – ±20 В постійна. Магазин у Запоріжжі, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Сонячні інвертори
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • Зварювання
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити 40N60FL?

Шукайте IGBT у корпусі TO-247 з Vces не нижче 600 В і струмом Ic при TC = 100 °C не менше ніж у цієї деталі (40 А). Vce(sat) і заряд затвора звіряйте за datasheet.

Який діод усередині IGBT?

Вбудований діод: Vf 2.2 В типово при IF = 40 А і Tj 25 °C, trr 72 нс типово, струм If 80 А при 25 °C і 40 А при 100 °C.

Datasheet

Документація виробника: NGTB40N60FL2W, IGBT - Field Stop II, Rev. 2 (документ описує NGTB40N60FL2WG).

Параметри наведено за datasheet виробника (onsemi, NGTB40N60FL2W, Rev. 2, 2016-09).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

NGTB40N60FL2W, IGBT - Field Stop II, Rev. 2 (документ описує NGTB40N60FL2WG) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Імпульсний струм колектора Icm150 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)235 Вт
Напруга насичення Vce(sat)2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C)
КорпусTO-3P
Вбудований діодVf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс
СтанОригінал

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)20 А
Струм Ic (25 °C)35 А (розрахунок за формулою виробника)
Імпульсний струм Icp75 А
Vce(sat)2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247

В наявності

183,77 ₴
ПараметрЗначення
НомерIHW40N120R3
МаркуванняH40R1203
ВиробникInfineon
ТипIGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Vce(sat)1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)429 Вт
Вхідна ємність Cies2708 пФ
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247

IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )

В наявності

249,10 ₴
ПараметрЗначення
НомерYGW75N65HP
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)150 А
Струм Ic (100 °C)75 А
Vce(sat)1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)375 Вт
Вхідна ємність Cies4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.