Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор GS6B60KD ( IRGS6B60KD ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK

164,50 ₴

12 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

12 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

GS6B60KD (IRGS6B60KD) – IGBT-транзистор з ультрашвидким діодом у корпусі D2PAK. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
ТипIGBT n-канал з ультрашвидким діодом (NPT)
Напруга Vces600 В
Струм Ic (Tc 25 °C)18 А
Струм Ic (Tc 100 °C)10 А
Імпульсний струм Icm26 А
Vce(on) (Ic 5 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)1,80 В тип.
Напруга Vge±20 В
Потужність Pd (Tc 25 °C)90 Вт
Заряд затвора Qg18,2 нКл
Вхідна ємність Cies290 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
КорпусD2PAK
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

GS6B60KD (у datasheet Infineon – IRGS6B60KD) – n-канальний IGBT-транзистор Infineon (International Rectifier) з ультрашвидким діодом у корпусі D2PAK. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 18 А при Tc 25 °C і 10 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 26 А. Напруга насичення Vce(on) – 1,80 В типово при Ic 5 А, Vge 15 В, Tj 25 °C. Напруга затвор–емітер Vge – ±20 В, потужність розсіювання Pd – 90 Вт при Tc 25 °C. Стійкість до короткого замикання – 10 мкс при Tj 150 °C, Vcc 360 В, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 290 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).

Стан: оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівнюйте Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(on), заряд затвора Qg (18,2 нКл при Ic 5 А, Vcc 400 В, Vge 15 В) і корпус. Виробник випускає цю серію також у корпусах TO-220AB (IRGB6B60KD) і TO-262 (IRGSL6B60KD), але вони не підійдуть замість D2PAK без зміни плати.

Де застосовують

  • Керування двигунами
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити GS6B60KD?

Підбирайте IGBT у корпусі D2PAK з не меншою напругою Vces, струмом Ic при Tc 100 °C не нижче за 10 А, порівнянними Vce(on) і Qg та вбудованим швидким діодом. Порівнюйте за datasheet обох деталей.

Чи є GS6B60KD те саме, що IRGS6B60KD?

У назві товару вказані обидва позначення: GS6B60KD – коротке маркування, IRGS6B60KD – повне позначення з datasheet Infineon.

Який діод вбудований в GS6B60KD?

Ультрашвидкий: Vfm 1,25 В типово при If 5 А, trr 70 нс типово при If 5 А, Vcc 400 В, Tj 150 °C.

Datasheet

Документація виробника: PD-95229C, IRGB/S/SL6B60KDPbF.

Параметри наведено за datasheet виробника PD-95229C на IRGS6B60KD.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

PD-95229C, IRGB/S/SL6B60KDPbF Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)20 А
Струм Ic (25 °C)35 А (розрахунок за формулою виробника)
Імпульсний струм Icp75 А
Vce(sat)2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

IGBT-транзистор IGW40T60U оригінал, TO-3P

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
НомерIGW40T60U
ТипIGBT-транзистор
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор N1600 оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор з вбудованим діодом
Напруга Vces1600 В
Струм колектора Ic60 А (25 °C), 30 А (100 °C)
Потужність Ptot312 Вт (25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)1,8 В тип., 2,1 В макс. (IC = 30 А, VGE = 15 В)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.