Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор AOK30B60D1 ( K30B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

345,92 ₴

5 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

5 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

AOK30B60D1 (K30B60D1) – IGBT-транзистор з антипаралельним діодом виробника Alpha & Omega Semiconductor. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникAlpha & Omega Semiconductor
КорпусTO-247
Напруга колектор–емітер Vce600 В (Ic=1 мА, Vge=0 В, Tj 25 °C)
Струм колектора Ic30 А (Tc 100 °C)
Напруга затвор–емітер Vge±20 В
Напруга насичення Vce(sat)1.85 В тип. (Vge=15 В, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vge(th)5.6 В тип. (Vce=5 В, Ic=1 мА)
Пряма напруга діода Vf1.47 В тип. (If=15 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg34 нКл (Vge=15 В, Vce=480 В, Ic=30 А)
Вхідна ємність Cies1324 пФ
Час спаду tf16 нс (Tj 25 °C, Vge=15 В, Vce=400 В, Ic=30 А, Rg=10 Ом)
Енергія вимкнення Eoff0.24 мДж (Tj 25 °C, Vge=15 В, Vce=400 В, Ic=30 А, Rg=10 Ом)
Час зворотного відновлення діода trr120 нс (Tj 25 °C, If=15 А, dI/dt=200 А/мкс, Vce=400 В)
Температура переходу і зберігання (Tj, Tstg)-55…150 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

AOK30B60D1, він же K30B60D1, – IGBT з антипаралельним діодом від Alpha & Omega Semiconductor у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер – 600 В (при Ic=1 мА, Vge=0 В, Tj 25 °C), струм колектора – 30 А при Tc 100 °C. Напруга затвор–емітер – ±20 В. Напруга насичення Vce(sat) – 1.85 В (тип.) при Vge=15 В, Tj 25 °C. Пряма напруга діода – 1.47 В (тип.) при If=15 А, Tj 25 °C. Заряд затвора – 34 нКл при Vge=15 В, Vce=480 В, Ic=30 А. Вхідна ємність Cies типово 1324 пФ. Час спаду tf – 16 нс, енергія вимкнення Eoff – 0.24 мДж (Vce=400 В, Ic=30 А, Rg=10 Ом, Tj 25 °C).

Стан – оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Заміну підбирайте за datasheet: напруга, струм, наявність діода, заряд затвора та корпус TO-247 мають бути не гіршими. Якщо заряд затвора в заміни суттєво більший, перевірте, чи витримає драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Зварювальні апарати
  • Сонячні інвертори
  • ДБЖ
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити AOK30B60D1?

Підбирайте заміну за datasheet: напруга не нижча, ніж 600 В, струм колектора не менший, ніж 30 А при Tc 100 °C, той самий корпус TO-247 і діод усередині. Готових аналогів у нашому каталозі для цього номера ми не підтверджуємо.

Чи є всередині діод?

Так, це IGBT з антипаралельним діодом: пряма напруга діода 1.47 В (тип.) при If=15 А, Tj 25 °C.

Яка напруга керування на затворі?

Напруга Vge, за якої наведено Vce(sat), – 15 В; гранична напруга затвор–емітер – ±20 В.

Datasheet

Документація виробника: AOK30B60D1, 600V, 30A Alpha IGBT with Diode, Rev.3.1.

Параметри наведено за datasheet виробника (Alpha & Omega Semiconductor, AOK30B60D1 Rev.3.1).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

AOK30B60D1, 600V, 30A Alpha IGBT with Diode, Rev.3.1 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
НомерIRGP20B60PD
МаркуванняGP20B60PD
ВиробникInfineon (International Rectifier)
ТипIGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)22 А
Vce(on)2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)220 Вт
Вхідна ємність Cies1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Потужність Pd (25 °C)286 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg176 нКл
Вхідна ємність Cies4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 40 А, 25 °C)1.65 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.