Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TDM3458 оригінал, DFN5*6-8
121,73 ₴
26 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
26 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TDM3458 – N-канальний польовий транзистор Techcode у корпусі DFN5*6-8. Оригінал; використовують як навантажувальний ключ, у ШІМ-схемах і керуванні живленням.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, режим збагачення |
| Виробник | Techcode |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Напруга Vds | 30 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 60 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 38 А |
| Rds(on), Vgs 10 В | 4.5 мОм (тип.), 5.5 мОм (макс.) при Id 15 А, Tj 25 °C |
| Rds(on), Vgs 4.5 В | 6.7 мОм (тип.), 8.7 мОм (макс.) при Id 10 А, Tj 25 °C |
| Vgs(th) | 1.4–2.5 В (тип. 1.7 В), Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 5.8 нКл (Vds 15 В, Id 15 А, Vgs 4.5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 29.8 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr діода | 25 нс (If 5 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Стан | Оригінал |
TDM3458 – N-канальний MOSFET режиму збагачення виробництва Techcode у корпусі DFN5*6-8. Напруга Vds – 30 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА). Струм стоку Id – 60 А при Tc 25 °C і 38 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 4.5 мОм (тип.), 5.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 15 А, Tj 25 °C; при Vgs 4.5 В, Id 10 А – 6.7 мОм (тип.), 8.7 мОм (макс.). Порогова напруга Vgs(th) – 1.4–2.5 В (тип. 1.7 В) при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 5.8 нКл (Vds 15 В, Id 15 А, Vgs 4.5 В). Вхідна ємність Ciss типово 780 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 29.8 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Затвор має захист від ESD.
Це оригінал. Для заміни порівнюйте канал, Vds, Id та Rds(on) при однакових умовах, а також корпус і розпіновку: у DFN5*6-8 бувають різні варіанти виводів. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Навантажувальний ключ (load switch).
- Широтно-імпульсна модуляція (PWM).
- Керування живленням (power management).
Чим замінити TDM3458?
Підходить N-канальний MOSFET у тому самому корпусі DFN5*6-8 з такою ж розпіновкою, Vds не нижче 30 В, Id близьким до 60 А при Tc 25 °C та Rds(on) близьким до 5.5 мОм при Vgs 10 В. Порівнюйте значення за однакових умов вимірювання.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити такий транзистор?
Мультиметром у режимі діода перевірте внутрішній діод між витоком і стоком, а також відсутність короткого замикання між затвором, стоком і витоком.
Яка порогова напруга відкриття?
Vgs(th) – 1.4–2.5 В (тип. 1.7 В) при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Rds(on) 6.7 мОм (тип.) наведено вже при Vgs 4.5 В, Id 10 А.
Документація виробника: TDM3458 (Techcode).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема PL5500 ( 5500 ) , QFN-32
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вхідна напруга | 3.6–32 В |
| Вихідна напруга | 2–32 В |
| Частота перемикання | 150 / 300 / 600 / 1200 кГц |
| Струм драйверів затворів | 2 А |
| Вбудований LDO | 5 В / 55 мА |
| Максимум на виводах VBAT, VBUS, CSN, CSP, SW | 40 В |
| Робоча температура переходу | -40…+125 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 44 °C/Вт |
| Корпус | QFN4x4-32 |
| Виробник | Powlicon |
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.