Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG076R5NT ( 076R5NT ) оригінал, TO220
237,82 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SVG076R5NT ( 076R5NT ) – N-канальний MOSFET Silan у корпусі TO-220-3L, Vds 70 В, Id 100 А при Tc 25 °C. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення (LVMOS) |
| Напруга Vds | 70 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 100 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 63 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 6.5 мОм макс., тип. 5.4 мОм (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл тип. (VDD=56 В, VGS=10 В, ID=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3052 пФ (Vds 35 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 114 Вт (Tc 25 °C, корпус TO-220) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 45 нс тип. (IS=40 А, VGS=0 В, dIF/dt=100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
SVG076R5NT (маркування 076R5NT) – N-канальний MOSFET (LVMOS) виробництва Silan Microelectronics у корпусі TO-220-3L. Напруга Vds – 70 В при VGS=0 В, ID=250 мкА. Струм стоку Id – 100 А при Tc 25 °C і 63 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) – не більше 6.5 мОм (типово 5.4 мОм) при VGS=10 В, ID=40 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при VDS=VGS, ID=250 мкА. Заряд затвора Qg – 50 нКл (типово) при VDD=56 В, VGS=10 В, ID=40 А. Вхідна ємність Ciss типово 3052 пФ (Vds 35 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 114 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Час відновлення діода trr – 45 нс (типово) при IS=40 А, VGS=0 В, dIF/dt=100 А/мкс.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on), Qg і корпус із цими цифрами та з datasheet. У таблиці аналогів – N-канальні MOSFET у корпусі TO-220 з нашого каталогу, які проходять порівняння за Vds, Id та Rds(on); у кількох з них заряд затвора Qg більший, тому перевірте драйвер. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- ДБЖ (UPS)
- Керування живленням у інверторних системах
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PDP8974 | канал N = N, Vds 80 ≥ 70, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×100=80, Rds(on) при Vgs 10 В макс. 3.2 ≤ 1.3×6.5=8.45 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | порівняйте datasheet перед заміною | Купити |
| FHP120N08 | канал N = N, Vds 80 ≥ 70, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×100=80, Rds(on) при Vgs 10 В макс. 8 ≤ 1.3×6.5=8.45 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Rds(on) близький до верхньої межі правила – порівняйте datasheet | Купити |
| NCE82H140 | канал N = N, Vds 82 ≥ 70, Id(25 °C) 140 ≥ 0.8×100=80, Rds(on) при Vgs 10 В макс. 4.3 ≤ 1.3×6.5=8.45 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | драйвер: заряд затвора Qg більший | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 70, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×100=80, Rds(on) при Vgs 10 В макс. 3.1 ≤ 1.3×6.5=8.45 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | драйвер: заряд затвора Qg більший | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 70, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×100=80, Rds(on) при Vgs 10 В макс. 4.2 ≤ 1.3×6.5=8.45 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | драйвер: заряд затвора Qg більший | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити SVG076R5NT?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 70 В, Id близьким до 100 А при Tc 25 °C та Rds(on) не гірше 6.5 мОм при VGS=10 В. Варіанти з нашого каталогу – у таблиці аналогів. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Що означає 076R5NT у назві?
Це маркування на корпусі деталі SVG076R5NT.
На що звернути увагу при заміні на аналог з таблиці?
У SVG076R5NT заряд затвора Qg – 50 нКл (типово) при VDD=56 В, VGS=10 В, ID=40 А. Для NCE82H140, NCEP85T16 і G042N10 Qg більший, тому драйвер затвора має бути розрахований на більший заряд.
Документація виробника: SVG076R5NT (Silan Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.