Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T65AK5SD ( CRG40T65AK5SD ) оригінал, TO247
250,04 ₴
41 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
41 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G40T65AK5SD (CRG40T65AK5SD) – IGBT-транзистор CRMICRO на 650 В з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| Vce(sat) | 1.40 В тип. (макс. 1.80 В) при IC = 40 А, VGE = 15 В, Tc 25 °C |
| Qg | 97.0 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2798 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Pd | 250 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
G40T65AK5SD (CRG40T65AK5SD) – IGBT-транзистор CRMICRO у корпусі TO-247 з антипаралельним діодом. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА). Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.40 В типово (макс. 1.80 В) при IC = 40 А, VGE = 15 В, Tc 25 °C; при Tc 150 °C – 1.68 В типово. Порогова напруга Vge(th) – 3.5–6.5 В. Заряд затвора Qg – 97.0 нКл (VCE = 520 В, IC = 40 А, VGE = 15 В). Вхідна ємність Cies типово 2798 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Енергія вимкнення Eoff – 0.82 мДж типово (VCE = 400 В, IC = 40 А, Rg = 10 Ом, Tj 25 °C), час спаду tf – 41 нс. Діод: Vf 1.48 В типово при IF = 40 А, trr 48 нс типово. Потужність розсіювання – 250 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Оригінал, у корпусі TO-247. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) при тому самому струмі, наявність діода і корпус; значення порівнюйте з однаковими умовами вимірювання. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Фотоелектричні інвертори
- Зарядні станції
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити G40T65AK5SD?
Шукайте IGBT у корпусі TO-247 з Vces не нижче 650 В, Ic при 100 °C близьким до 40 А і порівнянним Vce(sat) при IC = 40 А. Діод має бути вбудований. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за даташитом.
Чи є у G40T65AK5SD вбудований діод?
Так, антипаралельний. Vf 1.48 В типово при IF = 40 А, trr 48 нс типово.
Для чого використовують G40T65AK5SD?
Для джерел безперебійного живлення (UPS), фотоелектричних інверторів і зарядних станцій.
Документація виробника: CRG40T65AK5SD (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.