Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGPF70N33 ( FGPF70N33BT ) оригінал, TO220F
216,20 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGPF70N33BT – оригінальний IGBT-транзистор onsemi (Fairchild) у корпусі TO-220F, trench-IGBT для плазмових панелей (PDP).
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 330 В |
| Імпульсний струм колектора Ic (імп.) | 160 А (TC 25 °C; імпульс 100 мкс, шпарність 0,1) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.7 В (typ., Ic 70 А, Vge 15 В, TC 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 49 нКл (typ., Vce 200 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1380 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 48 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
FGPF70N33BT – IGBT-транзистор onsemi (Fairchild) у корпусі TO-220F. Це trench-IGBT з малими втратами провідності та перемикання, розроблений для плазмових панелей (PDP). Напруга колектор–емітер Vces – 330 В. Напруга насичення Vce(sat) – 1.7 В типово (Ic 70 А, Vge 15 В, TC 25 °C), при TC 125 °C – 1.8 В. Імпульсний струм колектора – 160 А (TC 25 °C; повторюваний імпульс 100 мкс, шпарність 0,1). Потужність розсіювання – 48 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Заряд затвора Qg – 49 нКл типово (Vce 200 В, Ic 20 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 1380 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, імпульсний струм, Vce(sat), корпус TO-220F і розпіновку. Прямі заміни за даними виробника: FGPF70N33BTTU, FGPF4633; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Плазмові панелі (PDP)
Чим замінити FGPF70N33BT?
За даними виробника прямі заміни – FGPF70N33BTTU і FGPF4633. Перед заміною порівняйте Vces, Vce(sat), корпус TO-220F і розпіновку за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого призначений FGPF70N33BT?
Це trench-IGBT для плазмових панелей (PDP) з малими втратами провідності та перемикання.
Яка напруга насичення в FGPF70N33BT?
Vce(sat) – 1.7 В типово при Ic 70 А, Vge 15 В, TC 25 °C. При TC 125 °C – 1.8 В.
Документація виробника: FGPF70N33BTTU (onsemi).
Постійний струм колектора в документі не наведено, лише імпульсний.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.