Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор XNT30N65T оригінал, TO220
179,54 ₴
55 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
55 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
XNT30N65T – IGBT-транзистор 650 В, 30 А у корпусі TO-220, технологія Trench + Field Stop. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (за кодом у номері) |
| Струм Ic | 30 А (за каталогом, температура не вказана) |
| Vce(sat) | 1.75 В typ (Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 5.4 В typ (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C (для серії) |
| Час витримки КЗ | 5 мкс (VGE = 15 В) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
XNT30N65T – IGBT-транзистор у корпусі TO-220 з технологією Trench + Field Stop: низькі втрати провідності та перемикання, висока стійкість до короткого замикання. Напруга Vces – 650 В (за кодом у номері 30N65T). Номінальний струм Ic – 30 А за колонкою «Current» каталогу, температура не вказана. Напруга насичення Vce(sat) – 1.75 В (typ) при Tj = 25 °C. Порогова напруга Vge(th) – 5.4 В (typ) при Tj = 25 °C. Час витримки короткого замикання – 5 мкс при VGE = 15 В. Максимальна температура переходу – 175 °C для серії в каталозі.
Оригінал. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic, Vce(sat) і корпус, а наявність діода та Eoff уточніть у datasheet заміни. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Де застосовують
- Вентилятори
- Промислові приводи двигунів
- Портативні накопичувачі енергії
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити XNT30N65T?
Підбирайте IGBT у корпусі TO-220 з Vces не нижче 650 В, Ic не менше ніж потрібно у вашій схемі та порівнянним Vce(sat). Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи підходить XNT30N65T для приводу двигуна?
Серія призначена для вентиляторів, промислових приводів двигунів і портативних накопичувачів енергії; час витримки короткого замикання – 5 мкс при VGE = 15 В.
Яку напругу витримує XNT30N65T?
650 В за кодом у номері 30N65T; у таблиці каталогу для цього рядка напруга не вказана.
Документація виробника: XNT30N65T (каталог igbtsemi.com).
Документ – загальний каталог серії: напруга Vces взята з коду в номері, діод, Eoff, Qg і Pd у ньому не вказані.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор NCE60H15A оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id | 150 А (Tc 25 °C), 105 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 4.0 мОм макс. (VGS 10 В, ID 75 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 130.8 нКл (typ., VDS 30 В, ID 75 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5451 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 220 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.