Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор BT60T60 ( BT60T60ANFK ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
258,50 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
BT60T60 (BT60T60ANFK) – IGBT-транзистор 600 В з вбудованим діодом у корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (TJ = 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.85 В typ, макс. 2.4 В (IC = 60 А, VGE = 15 В) |
| Vge(th) | 5.4 В typ |
| Qg | 117 нКл (VCE = 400 В, IC = 60 А) |
| Вхідна ємність Cies | 3398 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 403 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
BT60T60 (BT60T60ANFK) – IGBT-транзистор виробника Wuxi China Resources Huajing Microelectronics з технологією Field Stop. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В при TJ = 25 °C. Струм колектора Ic – 120 А при TC = 25 °C і 60 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.85 В (typ, макс. 2.4 В) при IC = 60 А, VGE = 15 В, TJ = 25 °C. Порогова напруга Vge(th) – 5.4 В (typ) при IC = 1 мА. Всередині є діод: Vf 1.3 В (typ) при IF = 30 А, trr 80 нс при IF = 30 А, di/dt = 200 А/мкс. Вхідна ємність Cies типово 3398 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 403 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода й корпус; заряд затвора Qg – 117 нКл при VCE = 400 В, IC = 60 А, VGE = 15 В – важливий для драйвера. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Де застосовують
- ДБЖ (UPS)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити BT60T60?
Підбирайте IGBT з Vces не нижче 600 В, Ic при 100 °C близьким до 60 А, порівнянним Vce(sat), вбудованим діодом і корпусом TO-3P. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи є в BT60T60 вбудований діод?
Так, у корпусі є діод: Vf 1.3 В (typ) при IF = 30 А, trr 80 нс.
Для яких схем підходить BT60T60?
За даними документа – ДБЖ (UPS); технологія Field Stop, Vce(sat) 1.85 В (typ) при IC = 60 А.
Документація виробника: BT60T60ANFK (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.