Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN20N135FD ( 20N135FD ) оригінал, TO-3P
235,00 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TGAN20N135FD (20N135FD) – оригінальний IGBT-транзистор Trinno Technology на 1350 В з вбудованим діодом. Використовується в індукційному нагріві, інверторах і ДБЖ.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Імпульсний струм Icm | 60 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 20 А, Tc 25 °C) | 1.8 В |
| Заряд затвора Qg тип. | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1950 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 223 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Trinno Technology |
| Стан | Оригінал |
TGAN20N135FD (маркування 20N135FD) – IGBT-транзистор Trinno Technology у корпусі TO-3PN з вбудованим антипаралельним діодом. Напруга колектор–емітер Vces – 1350 В. Струм колектора Ic – 40 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 60 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1.8 В (мін. 1.5 В, макс. 2.3 В) при Vge 15 В, Ic 20 А, Tc 25 °C. Заряд затвора Qg типово 120 нКл (макс. 180 нКл) при Tc 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 1950 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Енергія вимкнення Eoff типово 0.76 мДж при Vcc 600 В, Ic 20 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C, час спаду tf типово 105 нс за тих самих умов. Потужність розсіювання Pd – 223 Вт при Tc 25 °C і 86 Вт при Tc 100 °C. Максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм Ic при Tc 100 °C і Vce(sat), а також корпус і наявність діода. Прямий струм діода If – 20 А при Tc 100 °C, Vf типово 2.4 В (макс. 2.8 В) при Tc 25 °C. Відправляємо по всій Україні Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційний нагрів
- М'яке перемикання (soft switching)
- ДБЖ (UPS)
- Зварювання
- Інвертори
Чим замінити TGAN20N135FD?
Порівнюйте Vces (1350 В), струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), корпус TO-3PN і наявність вбудованого діода, а перед заміною звірте параметри з datasheet. У нашому каталозі зараз немає аналога з підтвердженими параметрами.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яке маркування на корпусі?
У назві вказано 20N135FD. Повна назва деталі – TGAN20N135FD.
Для чого підходить цей IGBT?
Для індукційного нагріву, м'якого перемикання, ДБЖ, зварювання та інверторів. Vces тут 1350 В.
Документація виробника: TGAN20N135FD (TRinno).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.