Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SW050R68E8T ( SWP050R68E8T ) оригінал, TO220
244,40 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SW050R68E8T (SWP050R68E8T) – N-канальний польовий транзистор Samwin у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds (BVDSS) | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 130 А (Tc 25 °C, обмежено температурою переходу) |
| Струм Id (100 °C) | 88 А (Tc 100 °C, обмежено температурою переходу) |
| Опір Rds(on) | 5.2 мОм тип. (VGS = 10 В, ID = 30 А, Tj 25 °C; макс. 6 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd | 195.3 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6259 пФ (Vds 34 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
SW050R68E8T (SWP050R68E8T) – N-канальний MOSFET виробника Samwin у корпусі TO-220, режим збагачення. Параметри наведено за datasheet SWP050R68E8T (Samwin). Напруга Vds (BVDSS) становить 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C). Струм Id дорівнює 130 А при Tc 25 °C і 88 А при Tc 100 °C (обмежено температурою переходу). Опір Rds(on) типово 5.2 мОм при VGS = 10 В, ID = 30 А, Tj 25 °C (макс. 6 мОм). Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В, потужність Pd 195.3 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Виводи: 1 затвор, 2 стік, 3 витік. Вхідна ємність Ciss типово 6259 пФ (Vds 34 В, f 1 МГц).
Товар новий: оригінал, не демонтаж. Для заміни шукайте N-канальний MOSFET у TO-220 з Vds не нижче 68 В, не меншим струмом Id і не вищим Rds(on) при Vgs 10 В. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Синхронне випрямлення
- плати захисту Li-акумуляторів
- інвертори (з datasheet)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FHP120N08 | канал N = N, Vds 80 ≥ 68, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×130=104, Rds(on) Vgs 10 В typ 6 ≤ 1.3×5.2=6.76 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Перевірте Qg і схему драйвера затвора за datasheet. | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 68, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×130=104, Rds(on) Vgs 10 В typ 3.5 ≤ 1.3×5.2=6.76 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Перевірте Qg і схему драйвера затвора за datasheet. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити SW050R68E8T?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з однаковою або вищою напругою Vds, не меншим струмом і порівнянним опором Rds(on) при Vgs 10 В. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Як перевірити SW050R68E8T мультиметром?
Витягніть транзистор зі схеми, розрядіть затвор і перевірте в режимі діода вбудований діод між стоком і витоком. Після короткого дотику до затвора канал має відкритися, а після розрядки затвора закритися.
Яке призначення виводів SW050R68E8T?
У корпусі TO-220: вивід 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік.
Документація виробника: SWP050R68E8T (Samwin).
Datasheet виробника описує тип SWP050R68E8T; номера SW050R68E8T у ньому немає.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.