Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MS5N100FE оригінал, D2PAK
141,00 ₴
32 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
32 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MS5N100FE – N-канальний польовий транзистор MASPOWER для імпульсних перетворювачів, корпус D2PAK (TO-263). Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MASPOWER |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 1000 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 5 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 3 А |
| Опір Rds(on) | до 4.5 Ом (VGS=10 В, ID=1 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 18.68 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 198 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
MS5N100FE – N-канальний MOSFET виробництва MASPOWER у корпусі D2PAK (TO-263), виконаний за планарною технологією. Напруга Vds – 1000 В (VGS=0, ID=1 мА). Струм стоку Id – 5 А при температурі корпусу 25 °C і 3 А при 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – до 4.5 Ом (типово 3.5 Ом) при VGS=10 В, ID=1 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–5.0 В при VDS=VGS, ID=250 мкА. Заряд затвора Qg – типово 18.68 нКл (VDD=800 В, ID=2.5 А, VGS=10 В). Вхідна ємність Ciss типово 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 198 Вт при TC 25 °C для корпусів TO-220/TO-263, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте канал (потрібен N), напругу Vds не нижче 1000 В, струм Id, опір Rds(on) і корпус D2PAK. Параметри з різними умовами вимірювання між собою не порівнюйте. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні перетворювачі (switching application)
Чим замінити MS5N100FE?
Підійде N-канальний MOSFET у корпусі D2PAK з Vds не нижче 1000 В, струмом Id не менше 5 А при 25 °C і опором Rds(on) не вище 4.5 Ом при VGS=10 В. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який корпус у MS5N100FE?
D2PAK (TO-263) для поверхневого монтажу. Pd 198 Вт наведено для цього корпусу при TC 25 °C.
Який опір відкритого каналу?
До 4.5 Ом, типово 3.5 Ом при VGS=10 В, ID=1 А, Tj 25 °C. Напругу 10 В на затворі враховуйте при розрахунку драйвера.
Документація виробника: MS5N100FE (MASPOWER).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема UC3845B оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Поріг увімкнення UVLO | 8.4 В (VCC зростає) |
| Поріг вимкнення UVLO | 7.6 В |
| Опорна напруга Vref | 5.0 В (IO = 1.0 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота генератора | 52 кГц (TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ, VCC = 15 В) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ) |
| Струм виходу, макс. | 1.0 А (абсолютний максимум) |
| VCC, макс. | 36 В (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.