Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MS5N100FT оригінал, TO220
66,74 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MS5N100FT – високовольтний N-канальний MOSFET виробництва MASPOWER у корпусі TO-220, оригінал. Для імпульсних перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 1000 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 5 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 3 А |
| Опір Rds(on) | 4.5 Ом (макс., Vgs 10 В, Id 1 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 18.68 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 198 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 1.02 мкс |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MASPOWER |
| Стан | Оригінал |
MS5N100FT – N-канальний польовий транзистор планарної технології виробництва MASPOWER у корпусі TO-220. За даташитом серії MS5N100/S/FT/FE/FD (для корпусу TO-220): напруга Vds 1000 В (при Vgs 0 і Id 1 мА), струм стоку 5 А при Tc 25 °C і 3 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 4.5 Ом при Vgs 10 В і Id 1 А, типове значення 3.5 Ом. Поріг відкриття Vgs(th) 2.0–5.0 В, заряд затвора Qg типово 18.68 нКл при Vdd 800 В, Id 2.5 А. Вхідна ємність Ciss типово 506 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність 198 Вт при Tc 25 °C, діапазон температури переходу -55…150 °C. Час відновлення вбудованого діода trr 1.02 мкс при Isd 5 А.
Стан – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте канал (N), напругу Vds, струм стоку, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-220. У серії однакові номери в корпусах з різною потужністю, тому дивіться саме колонку TO-220. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні перетворювачі (switching application)
Чим замінити MS5N100FT?
Виробник у даташиті серії вказує варіанти MS5N100, MS5N100S, MS5N100FE та MS5N100FD. Вони відрізняються корпусом, тому перевіряйте корпус і даташит. Інші заміни порівнюйте за Vds 1000 В і Rds(on) при Vgs 10 В.
Це оригінал чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка максимальна напруга?
Vds 1000 В при Vgs 0 і Id 1 мА.
Чи підходить для імпульсних перетворювачів?
Так, у даташиті це вказано як застосування (switching application). Враховуйте Rds(on) 4.5 Ом макс. при Vgs 10 В і Id 1 А.
Документація виробника: MS5N100FT (MASPOWER).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема UC3845B оригінал, DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | DIP8 |
| Поріг увімкнення UVLO | 8.4 В (VCC зростає) |
| Поріг вимкнення UVLO | 7.6 В |
| Опорна напруга Vref | 5.0 В (IO = 1.0 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота генератора | 52 кГц (TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ, VCC = 15 В) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ) |
| Струм виходу, макс. | 1.0 А (абсолютний максимум) |
| VCC, макс. | 36 В (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.