Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор G20T65FULA ( BLG20T65FULA-A ) оригінал , TO220F

253,80 ₴

53 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

53 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

G20T65FULA (BLG20T65FULA-A) – IGBT-транзистор Belling зі швидким діодом у корпусі TO-220F, оригінал. Застосовують в BLDC-приводах, UPS, PFC і портативних енергостанціях.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникBelling
КорпусTO-220F
Напруга Vces650 В (VGE=0 В, IC=250 мкА)
Струм Ic (Tc=25 °C)40 А
Струм Ic (Tc=100 °C)20 А
Vce(sat)1.55 В (VGE=15 В, IC=20 А, Tj=25 °C)
Заряд затвора Qg44 нКл
Вхідна ємність Cies892 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TO-220F, Tc=25 °C)39 Вт
Вбудований діодє
Макс. температура переходу175 °C
СтанОригінал
Опис

G20T65FULA (BLG20T65FULA-A) – IGBT-транзистор виробництва Belling в корпусі TO-220F з антипаралельним швидким діодом. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (VGE=0 В, IC=250 мкА). Струм колектора Ic – 40 А при Tc=25 °C і 20 А при Tc=100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.55 В при VGE=15 В, IC=20 А, Tj=25 °C (максимум 1.95 В); при Tj=125 °C – 1.80 В, при Tj=175 °C – 1.90 В. Заряд затвора Qg – 44 нКл (VCC=520 В, IC=20 А, VGE=15 В). Вхідна ємність Cies типово 892 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd для корпусу TO-220F – 39 Вт при Tc=25 °C. Час витримки короткого замикання – 3 мкс (VGE=15 В, VCC≤400 В, Tj≤175 °C). Максимальна температура переходу – 175 °C.

Це оригінальна деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм Ic при Tc=100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg і наявність вбудованого діода, а також корпус і розпіновку. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • BLDC-приводи
  • UPS
  • Приводи електродвигунів
  • PFC
  • Портативні енергостанції
Часто питають
Чим замінити G20T65FULA?

Шукайте IGBT у корпусі TO-220F з Vces не нижче 650 В, струмом Ic при Tc=100 °C не нижче 20 А і вбудованим швидким діодом. Порівняйте Vce(sat) і заряд затвора Qg (44 нКл). Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.

Чи є у G20T65FULA вбудований діод?

Так, антипаралельний швидкий діод. Його Vf – 1.90 В при IF=20 А, Tj=25 °C (максимум 2.50 В).

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чому потужність розсіювання лише 39 Вт?

Це значення для ізольованого корпусу TO-220F при Tc=25 °C. У datasheet для корпусу TO-220 вказано 136 Вт, але в цій деталі корпус TO-220F.

Datasheet

Документація виробника: BLG20T65FULA-A.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)20 А
Струм Ic (25 °C)35 А (розрахунок за формулою виробника)
Імпульсний струм Icp75 А
Vce(sat)2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипЗворотно-провідний IGBT (soft switching)
Напруга Vce1200 В
Струм Ic (25 °C)50 А
Струм Ic (100 °C)25 А
Потужність Ptot (25 °C)365 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.6 В
Заряд затвора Qg60.7 нКл
Вхідна ємність Cies2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 25 А, 25 °C)1.5 В
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор IGW40T60U оригінал, TO-3P

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
НомерIGW40T60U
ТипIGBT-транзистор
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220

В наявності

122,67 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT Trench Field Stop з діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА)
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)20 А
Vce(sat)1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C)
Vge(th)4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd125 Вт (Tj = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.