Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE60TD65BT оригінал, TO247
282,00 ₴
31 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
31 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE60TD65BT – оригінальний IGBT-транзистор Wuxi NCE Power Semiconductor з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Застосовується в кондиціонерах, інверторах і приводі двигунів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | NCE60TD65BT |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.7 В тип. (Ic 60 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 319 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
NCE60TD65BT – IGBT-транзистор виробництва Wuxi NCE Power Semiconductor у корпусі TO-247 із вбудованим антипаралельним діодом. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В (Tc 25 °C). Струм колектора Ic – 120 А при Tc 25 °C і 60 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.7 В типово, максимум 1.9 В (Ic 60 А, Vge 15 В, Tj 25 °C); при 175 °C – 1.9 В. Вхідна ємність Cies типово 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 319 Вт при Tc 25 °C і 159 Вт при 100 °C, діапазон температур –55…+175 °C. Час спаду tf – 18 нс (Vcc 400 В, Ic 60 А, Vge 0/15 В, Rg 5 Ом). Значення Vces, Ic, Vce(sat) і Pd збігаються з даними на сторінці JLCPCB.
Оригінал, не демонтаж. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) за однакових умов, наявність вбудованого діода та розпіновку корпусу TO-247. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Кондиціонери
- Інвертори
- Привід двигунів
Чим замінити NCE60TD65BT?
Підбирайте IGBT у корпусі TO-247 з вбудованим діодом: Vces не нижче, Ic при 100 °C не менше, Vce(sat) за однакових умов вимірювання. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Між затвором та іншими виводами не має бути зв'язку, а вбудований діод колектор–емітер має проводити лише в одному напрямку.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який заряд затвора в NCE60TD65BT?
Qg – 262 нКл (Vcc 480 В, Ic 60 А, Vge 15 В), тому драйвер затвора має бути розрахований на такий заряд.
Документація виробника: NCE60TD65BT (NCE).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.