Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SRC60R140BTG ( SRC60R140B ) оригінал, TO247
250,04 ₴
22 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
22 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SRC60R140BTG (SRC60R140B) – N-канальний польовий транзистор Super Junction на 600 В у корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 25 А |
| Струм Id (Tc 125 °C) | 11.2 А |
| Опір Rds(on) | 140 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 13 А |
| Поріг Vgs(th) | 2.3–4.3 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 40.4 нКл тип. при Vgs 0…10 В, Vdd 480 В, Id 13 А |
| Вхідна ємність Ciss | 1650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 178.6 Вт (для TO-247) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Shenzhen Sanrise Technology |
| Стан | Оригінал |
SRC60R140BTG (також SRC60R140B) – N-канальний MOSFET Super Junction виробництва Shenzhen Sanrise Technology у корпусі TO-247. Напруга стік–витік Vds – 600 В. Струм стоку Id – 25 А при Tc 25 °C і 11.2 А при Tc 125 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – до 140 мОм при Vgs 10 В, Id 13 А. Поріг відкривання Vgs(th) – 2.3–4.3 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 40.4 нКл (тип.) при Vgs 0…10 В, Vdd 480 В, Id 13 А. Вхідна ємність Ciss типово 1650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 178.6 Вт для корпусу TO-247, максимальна температура переходу – 150 °C. Вбудований діод швидкий: Vsd 0,90 В (тип.) при Is 13 А, trr 124 нс (тип.) при Vr 400 В, If 13 А.
Це оригінал. Для заміни дивіться на канал (потрібен N), напругу Vds не нижче 600 В, струм і Rds(on) при тих самих умовах, а також на корпус TO-247 і розпіновку. Якщо у заміни заряд затвора вищий, перевірте, чи впорається драйвер. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Блоки живлення AC/DC
- Блоки живлення ПК
- Сервери та телеком
- Сонячні інвертори
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 60R060P7 (IPW60R060P7) | канал N = N, Vds 600 ≥ 600, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×25 = 20, Rds(on) при Vgs 10 В макс. 60 мОм ≤ 1.3×140 = 182 мОм, корпус TO-247 = TO-247 | Демонтаж; корпус PG-TO247-3. Перед заміною порівняйте заряд затвора й розпіновку за datasheet. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити SRC60R140BTG?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 600 В і струмом та Rds(on) не гіршими при тих самих умовах. У нашому каталозі є 60R060P7 (IPW60R060P7), він пройшов це порівняння, деталі в таблиці аналогів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити транзистор перед установкою?
Мультиметром у режимі діода перевірте, що між затвором, стоком і витоком немає короткого замикання, а внутрішній діод сток–витік проводить в одну сторону. Для повної перевірки порівняйте параметри з datasheet.
Чи є у SRC60R140BTG вбудований діод?
Так, вбудований діод швидкий: Vsd 0,90 В (тип.) при Is 13 А, час відновлення trr 124 нс (тип.) при Vr 400 В, If 13 А.
Документація виробника: SRC60R140B (Shenzhen Sanrise Technology).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.