Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

CRJF140N65G2F – оригінальний транзистор, TO220F

131,60 ₴

58 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

58 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

CRJF140N65G2F – оригінальний N-канальний Super Junction MOSFET (SJMOS) China Resources Microelectronics у корпусі TO-220F для блоків живлення та інверторів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Junction (SJMOS)
Напруга Vds650 В (мін.)
Струм стоку Id24 А (Tc 25 °C), 15 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on)110 мОм тип. / 140 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 11 А, Tj 25 °C)
Поріг Vgs(th)3,2–4,6 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Tj max150 °C
Час відновлення діода trr120 нс тип. (Isd 11 А)
КорпусTO-220F
ВиробникChina Resources Microelectronics (Chongqing)
Вхідна ємність Ciss1595 пФ
СтанОригінал
Опис

CRJF140N65G2F – N-канальний польовий транзистор Super Junction (SJMOS) виробництва China Resources Microelectronics (Chongqing) у корпусі TO-220F. Напруга Vds – 650 В мінімум. Струм стоку Id – 24 А при Tc 25 °C і 15 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) – 110 мОм типове і 140 мОм максимальне при Vgs 10 В, Id 11 А, Tj 25 °C. Поріг Vgs(th) – 3,2–4,6 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Tj max – 150 °C. Час відновлення діода trr – 120 нс (типове) при Isd 11 А. Вхідна ємність Ciss типово 1595 пФ.

Деталь оригінальна, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vds, Id при 100 °C, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус: заміна має бути в такому самому корпусі TO-220F. Параметри вказані за даташитом CRJF140N65G2F Rev 2.1. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • LED/LCD/PDP телевізори і монітори
  • Освітлення
  • Сонячні інвертори та ДБЖ
  • Зарядні пристрої
  • Блоки живлення
Часто питають
Чим замінити CRJF140N65G2F?

Підбирайте N-канальний MOSFET у TO-220F з Vds не нижче 650 В, Id при 100 °C не менше 15 А і Rds(on) не гірше 140 мОм при Vgs 10 В. Порівнюйте значення за однакових умов вимірювання.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи підходить для блоків живлення телевізорів?

У даташиті названі застосування: LED/LCD/PDP телевізори і монітори, блоки живлення, зарядні пристрої. Перед встановленням звірте Vds, Id і корпус із вашою схемою.

Який час відновлення вбудованого діода?

trr – 120 нс (типове) при Isd 11 А. Враховуйте це значення, коли підбираєте заміну для схеми з жорстким перемиканням.

Datasheet

Документація виробника: CRJF140N65G2F.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (HEXFET)
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А)
Струм стоку Id (100 °C)150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Rds(on)2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА)
Заряд затвора Qg120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6540 пФ
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C
Rds(on)6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А
Вхідна ємність Ciss4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd130.5 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5