Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор FQF18N50D ( FQF18N50CF , FQF18N50 , 18N50CF , 18N50D , 18N50 ) оригінал ( Заміна для SIF18N50 , SIF18N50C , JCS18N50FH , HFS18N50U , FXN18N50F ) , TO220F

164,50 ₴

42 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

42 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

FQF18N50D – N-канальний MOSFET на 500 В у корпусі TO-220F для імпульсних блоків живлення. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
Напруга Vds500 В
Rds(on) typ.0.30 Ом (Vgs 10 В, Id 6.5 А, Tj 25 °C; макс. 0.38 Ом)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (Vdd 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. Vgs±30 В
Макс. Tj150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал
Опис

FQF18N50D – польовий транзистор з N-каналом у корпусі TO-220F. Параметри наведено за даташитом найближчої деталі 18N50F (HXY MOSFET). Напруга Vds – 500 В, опір Rds(on) typ. – 0.30 Ом при Vgs 10 В, Id 6.5 А, Tj 25 °C (макс. 0.38 Ом). Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 48 нКл при Vdd 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Максимальна напруга затвор–витік – ±30 В, максимальна температура переходу – 150 °C.

Товар – оригінал, не демонтаж. Позначення в назві (FQF18N50CF, FQF18N50, 18N50CF, 18N50D, 18N50) – варіанти маркування. FQF18N50D може замінити SIF18N50, SIF18N50C, JCS18N50FH, HFS18N50U, FXN18N50F; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні блоки живлення адаптерів і зарядних пристроїв
Часто питають
Що може замінити FQF18N50D?

FQF18N50D може замінити SIF18N50, SIF18N50C, JCS18N50FH, HFS18N50U, FXN18N50F. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи збігаються параметри з даташитом точно?

Параметри взято з даташиту найближчої деталі 18N50F (HXY MOSFET), тому точного збігу не обіцяємо. Перед встановленням порівняйте їх зі схемою.

Який корпус?

Корпус TO-220F. Перед монтажем звірте розпіновку з даташитом.

Datasheet

Найближчий datasheet: 18N50F (HXY MOSFET).

Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Найближчий datasheet: 18N50F (HXY MOSFET) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )

В наявності

109,98 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss60 В
Струм Id (25 °C)200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)140 А (розрахунково)
Rds(on)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА
Qg155 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.