Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор HYG065N15 ( HYG065N15NS1P , G065N15 ) оригінал ( заміна для PW065N15CS ), TO220

124,55 ₴

131 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

131 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HYG065N15 – N-канальний MOSFET виробництва HUAYI у корпусі TO-220 на 150 В. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникHUAYI
Напруга Vds150 В (Tc 25 °C)
Струм Id165 А (Tc 25 °C)
Струм Id при 100 °C116 А (Tc 100 °C)
Rds(on) typ.6.2 мОм (Vgs 10 В, Id 100 А, Tc 25 °C; макс. 7.5 мОм)
Vgs(th)3.2 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА; діапазон 2–4 В)
Заряд затвора Qg96 нКл (Vds 75 В, Id 100 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6646 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц)
Потужність Pd375 Вт (Tc 25 °C)
Макс. Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

HYG065N15 – польовий транзистор з N-каналом виробництва HUAYI у корпусі TO-220. Напруга Vds – 150 В, струм стоку Id – 165 А при Tc 25 °C і 116 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) typ. – 6.2 мОм при Vgs 10 В, Id 100 А (макс. 7.5 мОм). Порогова напруга Vgs(th) – 3.2 В (діапазон 2–4 В), заряд затвора Qg – 96 нКл при Vds 75 В, Id 100 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 6646 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 375 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вбудований діод має trr 141.7 нс при Isd 100 А, dI/dt 100 А/мкс. Параметри наведено за даташитом HYG065N15NS1P (HUAYI).

Товар – оригінал, не демонтаж. HYG065N15 може замінити PW065N15CS; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для підбору заміни іншої деталі порівнюйте напругу, струм, Rds(on), заряд затвора і корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Силові комутаційні схеми
  • Джерела безперебійного живлення
Часто питають
Чи може HYG065N15 замінити PW065N15CS?

HYG065N15 може замінити PW065N15CS. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який корпус?

Корпус TO-220 (за даташитом TO-220FB-3L). Перед монтажем звірте розпіновку з даташитом.

Що врахувати при підборі драйвера затвора?

Заряд затвора Qg – 96 нКл при Vds 75 В, Id 100 А, Vgs 10 В. Порогова напруга Vgs(th) – 3.2 В, діапазон 2–4 В.

Datasheet

Документація виробника: HYG065N15NS1P (HUAYI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HYG065N15NS1P (HUAYI) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Діод Шоттки MSP10065G1 оригінал (10A,650V), TO220-2pin

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMaplesemi
КорпусTO-220AC, 2 виводи
Vrrm650 В
If10 А при Tc = 150 °C
Vf (тип.)1.45 В при If = 10 А, Tc = 25 °C
Qc (тип.)28 нКл при Vr = 400 В, If = 10 А, Tj = 25 °C
Ifsm105 А (Tc = 25 °C, tp = 10 мс)
Ptot138 Вт при Tc = 25 °C
Робоча температура-55…+175 °C
СтанОригінал

Транзистор G75T65AK5HD ( CRG75T65AK5HD ) оригінал, TO247

В наявності

250,04 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникCRMICRO
Напруга колектор-емітер Vces650 В (Tj 25 °C)
Струм колектора Ic90 А (Tc 25 °C); 75 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icm300 А (Tc 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pd468 Вт (Tc 25 °C)
Заряд затвора Qg173 нКл (typ, Vce 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies5477 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Вбудований діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Схожі товари

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.