Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTP02N03N оригінал, TO220
237,82 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
PTP02N03N – N-канальний польовий транзистор PIP у корпусі TO-220, на 30 В і 120 А при 25 °C. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | PIP (Perfect Intelligent Power Semiconductor) |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 30 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 120 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C) | 2.6 мОм (тип.), 3.4 мОм (макс.) |
| Rds(on) (Vgs 4,5 В, Id 24 А) | 3.6 мОм (тип.), 4.7 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1.7 В (1.0–3.0 В) |
| Заряд затвора Qg | 88 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 120 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
PTP02N03N – N-канальний MOSFET виробництва PIP (Perfect Intelligent Power Semiconductor) у корпусі TO-220. Напруга Vds – 30 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 120 А при Tc 25 °C. Опір Rds(on) при Vgs 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C – 2.6 мОм (тип.), до 3.4 мОм (макс.); при Vgs 4,5 В, Id 24 А – 3.6 мОм (тип.), до 4.7 мОм (макс.). Порогова напруга Vgs(th) – 1.7 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА, діапазон 1.0–3.0 В. Заряд затвора Qg – 88 нКл при Vds 20 В, Id 30 А, Vgs 0–10 В. Вхідна ємність Ciss типово 5700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 120 Вт при Tc 25 °C, максимальна напруга затвор–витік ±20 В, температура переходу до 150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Для заміни порівнюйте канал (потрібен N), напругу Vds, струм Id, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-220. Заряд затвора порівнюйте за datasheet: від нього залежить драйвер. Відправляємо Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Високоефективні DC/DC перетворювачі
- Мостові ключі для двигунів
- Oring FET, комутація навантаження
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PDP8974 | канал N = N, Vds 80 ≥ 30, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В typ 3.2 ≤ 1.3×2.6=3.38 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Vds значно вище | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 30, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В typ 3.1 ≤ 1.3×2.6=3.38 мОм, корпус TO-220-3L = TO-220 | Vds значно вище | Купити |
| IRFB3206 | канал N = N, Vds 60 ≥ 30, Id(25 °C) 210 (обмеження корпусом 120) ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В typ 2.4 ≤ 1.3×2.6=3.38 мОм, корпус TO-220AB = TO-220 | демонтаж, оригінал | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити PTP02N03N?
Підходить N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 30 В, струмом Id близьким до 120 А і Rds(on) при Vgs 10 В близьким до 2.6 мОм. Варіанти з нашого каталогу є в таблиці аналогів. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи можна керувати PTP02N03N логічним рівнем?
У datasheet Rds(on) наведено при Vgs 4,5 В: 3.6 мОм (тип.), до 4.7 мОм (макс.) при Id 24 А. Порогова напруга Vgs(th) – 1.7 В.
Яка максимальна напруга на затворі?
±20 В між затвором і витоком.
Документація виробника: PTP02N03N (PIP).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.