Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GT50J327 ( 50J327 ) оригінал, TO-218
235,00 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GT50J327 (50J327) – N-канальний IGBT Toshiba у корпусі TO-218 з вбудованим діодом, для інверторів з резонансом струму. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-218 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 50 А (температура корпусу в документі не вказана) |
| Імпульсний струм Icp | 100 А |
| Vce(sat) | 1.9 В (тип.), 2.3 В (макс.) при Ic 50 А, Vge 15 В |
| Потужність Pc | 140 Вт (температура корпусу в документі не вказана) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, If 20 А (DC) |
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал |
GT50J327 (маркування 50J327) – N-канальний IGBT виробництва Toshiba у корпусі TO-218. За даташитом напруга колектор–емітер Vces – 600 В, безперервний струм колектора Ic – 50 А (температура корпусу в документі не вказана), імпульсний Icp – 100 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.9 В типово і 2.3 В максимум при Ic 50 А та Vge 15 В. Порогова напруга Vge(off) – 3.0–6.0 В при Ic 50 мА та Vce 5 В. Потужність розсіювання Pc – 140 Вт (температура корпусу в документі не вказана).
У транзистор вбудований діод: If 20 А (DC) і 40 А в імпульсі, Vf не більше 2.0 В при If 15 А. Час спаду tf – 0.19 мкс типово, 0.32 мкс максимум при Vcc 300 В, Ic 50 А та резистивному навантаженні. Вхідна ємність Cies – 2500 пФ при Vce 10 В і частоті 1 МГц. Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з даташитом Vces, Ic, Vce(sat), наявність діода та корпус. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Інвертори з резонансом струму
Чим замінити GT50J327?
Підходить IGBT з тим самим корпусом TO-218, напругою Vces не нижче 600 В і струмом не менше за 50 А, з вбудованим діодом. Параметри порівнюйте за даташитом.
Чи є у GT50J327 вбудований діод?
Так, діод вбудований: If 20 А (DC) і 40 А в імпульсі.
Для чого використовують GT50J327?
Згідно з даташитом – в інверторах з резонансом струму.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Документація виробника: GT50J327 (Toshiba).
Tj max, Vges і тепловий опір у документі не читаються, тому не вказані.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.